Publication:
MOSFE-Capacitor Silicon Carbide-Based Hydrogen Gas Sensors

Файлы
W4362665955.pdf(3.76 MB)
Дата
2023
Авторы
Litvinov, A.
Etrekova, M.
Podlepetsky, B.
Samotaev, N.
Oblov, K.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
The features of the wide band gap SiC semiconductor use in the capacitive MOSFE sensors structure in terms of the hydrogen gas sensitivity effect, the response speed, and the measuring signals optimal parameters are studied. Sensors in a high-temperature ceramic housing with the Me/Ta2O5/SiCn+/4H-SiC structures and two types of gas-sensitive electrodes were made: Palladium and Platinum. The effectiveness of using Platinum as an alternative to Palladium in the MOSFE-Capacitor (MOSFEC) gas sensors high-temperature design is evaluated. It is shown that, compared with Silicon, the use of Silicon Carbide increases the response rate, while maintaining the sensors high hydrogen sensitivity. The operating temperature and test signal frequency influence for measuring the sensor s capacitance on the sensitivity to H2 have been studied.
Описание
Ключевые слова
Humidity Sensors , Gas Sensors , Gas Sensing Mechanisms , Chemical Sensors , Potentiometric Sensors , Operating temperature , Hydrogen sensor
Цитирование
MOSFE-Capacitor Silicon Carbide-Based Hydrogen Gas Sensors / Litvinov, A. [et al.] // Sensors. - 2023. - 23. - № 7. - 10.3390/s23073760
URI
https://www.doi.org/10.3390/s23073760
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85152332144&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000968988400001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/30090
Коллекции
Публикации