Персона: Жуков, Александр Иванович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Жуков
Имя
Александр Иванович
Имя
8 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 8 из 8
- ПубликацияТолько метаданныеCorrelation between temperature and dose rate dependences of input bias current degradation in bipolar operational amplifiers(2019) Bakerenkov, A.; Pershenkov, V.; Felitsyn, V.; Rodin, A.; Telets, V.; Belyakov, V.; Zhukov, A.; Glukhov, N.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Родин, Александр Сергеевич; Телец, Виталий Арсеньевич; Беляков, Владимир Васильевич; Жуков, Александр Иванович© 2019 IEEE.It was demonstrated experimentally that in ELDRS-susceptible operational amplifiers elevated temperature irradiation increases degradation rate of input bias current, while in ELDRS-free devices degradation rates at room and elevated temperatures are approximately equal.
- ПубликацияТолько метаданныеTesting for Enhanced Low Dose Rate Sensitivity and Reduced Low Dose Rate Sensitivity Bipolar Devices(2021) Pershenkov, V. S.; Felitsyn, V. A.; Bakerenkov, A. S.; Rodin, A. S.; Telets, V. A.; Belyakov, V. V.; Kovsharov, I. D.; Zhukov, A. I.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Родин, Александр Сергеевич; Телец, Виталий Арсеньевич; Беляков, Владимир Васильевич; Ковшаров, Илья Дмитриевич; Жуков, Александр Иванович© 2021 IEEE.A possible influence of location of the effective Fermi level in the forbidden gap of the surface base region on dose rate sensitivity of bipolar integrated circuits was described. Also, it is shown, that the position of the effective Fermi level leads to different behavior of bipolar devices during post-irradiation annealing at enhanced temperature. Experimental tests on dose rate sensitive devices were provided and discussed.
- ПубликацияТолько метаданныеENHANCED LOW DOSE RATE SENSITIVITY (ELDRS) AND REDUCED LOW DOSE RATE SENSITIVITY (RLDRS) IN BIPOLAR DEVICES.(2020) Pershenkov, V. S.; Bakerenkov, A. S.; Rodin, A. S.; Felitsyn, V. A.; Zhukov, A. I.; Telets, V. A.; Belyakov, V. V.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Родин, Александр Сергеевич; Жуков, Александр Иванович; Телец, Виталий Арсеньевич; Беляков, Владимир ВасильевичPossible physical mechanism of enhanced low dose rate sensitivity (ELDRS) and reduced low dose rate sensitivity (RLDRS) in bipolar devices is described. Modification of the low dose rate conversion model is presented. The enhanced or reduced sensitivity can be connected with a specific position of the effective Fermi level relatively acceptor and donor radiation-induced interface traps. The qualitative and quantitative analysis of the low dose rate effects is presented. The effect of the oxide trapped charge on the value of the oxide electric field and the yield of the oxide charge were taken into account. It leads to dependence of the accumulation of radiation-induced oxide charge and interface traps on the dose rate. In enhancement version the ELDRS and RLDRS conversion model describes the low dose rate effect in as "true" dose rate effect.
- ПубликацияТолько метаданныеRadiation Hardened Analog-to-Digital Convertor with Automatic Offset Voltage Compensation(2019) Felitsyn, V. A.; Bakerenkov, A. S.; Zhukov, A. I.; Butuzov, V. A.; Bocharov, Y. I.; Pershenkov, V. S.; Rodin, A. S.; Telets, V. A.; Belyakov, V. V.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Жуков, Александр Иванович; Бутузов, Владимир Алексеевич; Бочаров, Юрий Иванович; Родин, Александр Сергеевич; Телец, Виталий Арсеньевич; Беляков, Владимир Васильевич© 2019 IEEE.Radiation hardened ADC with automatic offset voltage compensation was developed. TID radiation effect in the ADC was investigated at different temperatures. The designed ADC devices demonstrate high radiation hardness. Up to total dose level 100 krad(Si) any significant radiation induced drift didn't observed in transfer characteristics of all irradiated devices. It is achieved by using techniques such as application of automatic offset voltage compensation circuit together with enclosed layout transistors (ELT), located in ADC control logic. Also, edge-less n-channel MOSFETs with additional guard rings were used to increase the radiation hardness of digital interface and control logic of ADC. In contrast with control logic ELT not used in interface logic. Thus significant degradation of digital interface power supply current was observed unlike control logic power supply. Developed device can be considered as a good technical decision for self-diagnostic systems of electronic devices proposed for application under ionizing radiation impact, especially for systems of spacecrafts and satellites.
- ПубликацияТолько метаданныеExperimental Estimation of Input Offset Voltage Radiation Degradation Rate in Bipolar Operational Amplifiers(2019) Bakerenkov, A.; Pershenkov, V.; Felitsyn, V.; Rodin, A.; Telets, V.; Belyakov, V.; Zhukov, A.; Glukhov, N.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Родин, Александр Сергеевич; Телец, Виталий Арсеньевич; Беляков, Владимир Васильевич; Жуков, Александр Иванович© 2019 IEEE.Radiation degradation rate of input offset voltage in bipolar operational amplifiers was estimated experimentally. High degradation rate was observed in devices with high input offset voltage initial values and temperature drifts. Obtained results were discussed.
- ПубликацияТолько метаданныеTID Sensor Based on a Bipolar Transistor(2020) Bakerenkov, A. S.; Pershenkov, V. S.; Felitsyn, V. A.; Rodin, A. S.; Telets, V. A.; Belyakov, V. V.; Zhukov, A. I.; Glukhov, N. S.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Родин, Александр Сергеевич; Телец, Виталий Арсеньевич; Беляков, Владимир Васильевич; Жуков, Александр Иванович© 2020 IEEE.The performance of the total ionizing dose sensor based on a bipolar transistor were researched in this work.
- ПубликацияТолько метаданныеTechnique for Numerical Simulation of Post-irradiation Annealing including Temperature Drift of Electrical Parameters of Devices under Test(2021) Bakerenkov, A. S.; Rodin, A. S.; Felitsyn, V. A.; Pershenkov, V. S.; Zhukov, A. I.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Родин, Александр Сергеевич; Жуков, Александр Иванович© 2021 IEEE.Dependences of LM 111 voltage comparator input current on time during post-radiation annealing are investigated. The technique based on the Gummel- Poon model of a bipolar transistor for numerical simulation of the annealing process, taking into account the temperature drift of the radiation-sensitive parameter is presented.
- ПубликацияТолько метаданныеRadiation Degradation of Temperature Dependences of Electrical Parameters of Bipolar Operational Amplifiers(2019) Bakerenkov, A. S.; Pershenkov, V. S.; Felitsyn, V. A.; Rodin, A. S.; Telets, V. A.; Belyakov, V. V.; Zhukov, A. I.; Glukhov, N. S.; Бакеренков, Александр Сергеевич; Родин, Александр Сергеевич; Телец, Виталий Арсеньевич; Беляков, Владимир Васильевич; Жуков, Александр Иванович© 2019 IEEE.The impact of radiation degradation on the temperature dependence of electrical parameters of bipolar operational amplifiers is presented. Results of the researches can improve our understanding of physical and circuit radiation effects in bipolar operational amplifiers.