Publication:
Technique for Numerical Simulation of Post-irradiation Annealing including Temperature Drift of Electrical Parameters of Devices under Test

Дата
2021
Авторы
Bakerenkov, A. S.
Rodin, A. S.
Felitsyn, V. A.
Pershenkov, V. S.
Zhukov, A. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.Dependences of LM 111 voltage comparator input current on time during post-radiation annealing are investigated. The technique based on the Gummel- Poon model of a bipolar transistor for numerical simulation of the annealing process, taking into account the temperature drift of the radiation-sensitive parameter is presented.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Technique for Numerical Simulation of Post-irradiation Annealing including Temperature Drift of Electrical Parameters of Devices under Test / Bakerenkov, A.S. [et al.] // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM. - 2021. - 2021-September. - P. 369-370. - 10.1109/MIEL52794.2021.9569089
URI
https://www.doi.org/10.1109/MIEL52794.2021.9569089
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85118463978&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24907
Коллекции
Публикации