Publication:
TID Sensor Based on a Bipolar Transistor

Дата
2020
Авторы
Bakerenkov, A. S.
Pershenkov, V. S.
Felitsyn, V. A.
Rodin, A. S.
Telets, V. A.
Belyakov, V. V.
Zhukov, A. I.
Glukhov, N. S.
Показать ещё 3
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2020 IEEE.The performance of the total ionizing dose sensor based on a bipolar transistor were researched in this work.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
TID Sensor Based on a Bipolar Transistor / Bakerenkov, A.S. [et al.] // IEEE Radiation Effects Data Workshop. - 2020. - 2020-November. - 10.1109/REDW51883.2020.9325848
URI
https://www.doi.org/10.1109/REDW51883.2020.9325848
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85100246852&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000664045300003
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/23100
Коллекции
Публикации