Publication:
Correlation between temperature and dose rate dependences of input bias current degradation in bipolar operational amplifiers

Дата
2019
Авторы
Bakerenkov, A.
Pershenkov, V.
Felitsyn, V.
Rodin, A.
Telets, V.
Belyakov, V.
Zhukov, A.
Glukhov, N.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.It was demonstrated experimentally that in ELDRS-susceptible operational amplifiers elevated temperature irradiation increases degradation rate of input bias current, while in ELDRS-free devices degradation rates at room and elevated temperatures are approximately equal.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Correlation between temperature and dose rate dependences of input bias current degradation in bipolar operational amplifiers / Bakerenkov, A. [et al.] // 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings. - 2019. - P. 341-344. - 10.1109/MIEL.2019.8889589
Коллекции