Publication:
III-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application

Дата
2024
Авторы
Gusev, A. S.
Sultanov, A. O.
Ryzhuk, R. V.
Nevolina, T. N.
Tsunvaza, D.
Safaraliev, G. K.
Kargin, N. I.
Показать ещё 4
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
III-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application / Gusev, A. S. [et al.] // Russian Microelectronics. - 2024. - 53. - № 6. - P. 543-553. - 10.1134/S1063739724600857
URI
https://www.doi.org/10.1134/S1063739724600857
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85218181609&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/37505
Коллекции
Публикации