Персона: Султанов, Азрет Оюсович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Султанов
Имя
Азрет Оюсович
Имя
6 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 6 из 6
- ПубликацияТолько метаданныеStudy of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization(2019) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Experimental and theoretical studies of the processes of mesoporous-silicon carbonization during the formation of buffer layers for the subsequent epitaxy of 3C-SiC films and related wide-gap semiconductors are performed. Analytical expressions for the effective diffusion factor and diffusion length of carbon atoms in a porous system are obtained. The proposed model takes into account the processes of Knudsen diffusion, coagulation and the overgrowth of pores during the formation of a silicon-carbide layer.
- ПубликацияТолько метаданныеAnalysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Katkov, A. V.; Ryndya, S. M.; Siglovaya, N. V.; Klochkov, A. N.; Ryzhuk, R. V.; Kargin, N. I.; Borisenko, D. P.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Катков, Андрей Викторович; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия Владимировна; Клочков, Алексей Николаевич; Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Борисенко, Денис Петрович
- ПубликацияТолько метаданныеIII-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Ryzhuk, R. V.; Nevolina, T. N.; Tsunvaza, D.; Safaraliev, G. K.; Kargin, N. I.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Рыжук, Роман Валериевич; Неволина, Татьяна Николаевна; Цунваза, Дамир; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Каргин, Николай Иванович
- ПубликацияТолько метаданныеPerspective of use of shungite cathode for microbial fuel cell design(2019) Parhaeva, A. P.; Bulycheva, E. S.; Kadochnikov, D. I.; Kulieva, M. A.; Losevskaya, E. G.; Sharapova, O. E.; Shuvalova, E. A.; Maslovskaya, E. V.; Sosin, D. V.; Shaltaeva, Y. R.; Sultanov, A. O.; Siglovaya, N. V.; Shostachenko, S. A.; Масловская, Елена Владимировна; Сосин, Дмитрий Витальевич; Шалтаева, Юлия Ринатовна; Султанов, Азрет Оюсович; Сигловая, Наталия Владимировна© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. The article is devoted to one of the directions of alternative energy - the creation and use of microbial fuel cell (MFC). It is used anode made of plate of macro porous silicon doped with antimony. The cathode is a plate of shungite rock. Shungite is a natural stone containing fullerenes. The possibility of functioning and effective operation of this system is investigated.
- ПубликацияТолько метаданныеRelaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer(2021) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Smirnova, M. O.; Solomatin, I. O.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Смирнова, Марина Олеговна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of this study quantitatively and qualitatively illustrate the processes of mismatch stress relaxation upon epitaxy of cubic silicon carbide on silicon. The mechanical stress distribution in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si heterostructures is analyzed. It is shown that a porous buffer layer plays a role in the reduction of mismatch stress. The data of the theoretical study are verified by experimental residual stress in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si samples.
- ПубликацияТолько метаданныеLocal laser annealing of 3C-SiC film deposited on the silicon substrate by CVD(2019) Mikhalik, M. M.; Avramchuk, A. V.; Komissarov, I. V.; Yu, Fominski, V.; Romanov, R. I.; Sultanov, A. O.; Siglovaya, N. V.; Ryndya, S. M.; Gusev, A. S.; Labunov, V. A.; Kargin, N. I.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Султанов, Азрет Оюсович; Сигловая, Наталия Владимировна; Рындя, Сергей Михайлович; Гусев, Александр Сергеевич; Лабунов, Владимир; Каргин, Николай Иванович© Published under licence by IOP Publishing Ltd. In this work, we try to suite an approach, which concerns of epitaxial graphene growth by laser irradiation of 3C-SiC (111) film deposited on silicon substrate (111) by chemical vapor deposition method. Laser treatment was performed by pulsed 1064 nm laser with 20 Hz repetition rate and 15 ns pulse duration, the fluency was varied 0-1.5 J/cm 2 . Raman spectroscopy studies show that for fluence above 0.8 J/cm 2 2D band is noticeable revealing formation of high crystallographic quality graphitic (graphene) film.