Персона:
Гусев, Александр Сергеевич

Научные группы

Научная группа

Лаборатория «Технологии проектирования нитридгаллиевой ЭКБ функциональных систем» центра радиофотоники и СВЧ-технологий

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Фамилия

Гусев

Имя

Александр Сергеевич

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 27

Только метаданные
Fine Tuning Phosphonate Synthesis Yields of CsPbBr3 Perovskite Nanocrystals with Enhanced Stability for Applications in Quantum Technologies
(2024) Samokhvalov, P. S.; Gusev, A. S.; Siglovaya, N. V.; Kargin, N. I.; Nabiev, I. R.; Самохвалов, Павел Сергеевич; Гусев, Александр Сергеевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Каргин, Николай Иванович; Набиев, Игорь Руфаилович
Только метаданные
PLD Grown SiC Thin Films on Al2O3: Morphology and Structure
(2019) Kargin, N. I.; Gusev, A. S.; Ryndya, S. M.; Timofeev, A. A.; Grekhov, M. M.; Siglovaya, N. V.; Antonenko, S. V.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Антоненко, Сергей Васильевич
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: In this paper, submicron SiC thin films are obtained on α-Al2O3 (0001) substrates from a ceramic target in vacuum by means of pulsed laser deposition. The influence of the substrate temperature on the composition, structure and surface morphology of the experimental samples is studied using scanning and transmission electron microscopy, scanning probe microscopy, X-ray diffractometry, Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectrometry. It is shown that at Tsub = 1000°C the heteroepitaxial growth of 3C-SiC is observed with the following preferential orientation with respect to the substrate: [0001]Al2O3||[111]SiС and [211A]Al2O3||[211]SiС, [100]Al2O3||[(Formula presented.)]SiС. The shape of the reflections from the {011} and {131} 3C–SiC planes on the electron diffraction pattern indicates the presence of local regions in the film that are rotated at angles of up to 7.5° around the growth axis. Thus, it is found that the 3C–SiC film obtained on α‑Al2O3 at a substrate temperature of 1000°C has a mosaic structure partially compensating for the mechanical stresses arising from a mismatch between the lattice parameters and thermal-expansion coefficients along the basal plane.
Открытый доступ
АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ИОННО-КЛАСТЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ МЕТОДОМ ФЛИККЕР- ШУМОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
(НИЯУ МИФИ, 2017) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Матющенко, И. А.; Тимашев, С. Ф.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Тимашев, Сергей Федорович; Бакун, Алексей Дмитриевич
A method of parameterization of supersmooth surfaces used in micro- and nanoelectronics as substrates and light-reflecting elements is proposed. The method is based on the flicker-noise spectroscopy (FNS) as the general phenomenological approach to extracting information from the chaotic temporal or spatial signals. The glass-ceramic samples were processed by cluster-ion beams and their topology was investigated by atomic force microscopy before and after treatment. It is established that gas cluster ion beams processing of glass ceramics leads to angstrom-level surface roughness.
Только метаданные
Hyperfine Characteristics of Quantum Registers NV-13С in Diamond Nanocrystals Formed by Seeding Approach from Isotopic Aza-Adamantane and Methyl-Aza-Adamanthane
(2020) Kilin, S. Y.; Pushkarchuk, A. L.; Kuten, S. A.; Jelezko, F.; Nizovtsev, A. P.; Gusev, A. S.; Низовцев, Александр Павлович; Гусев, Александр Сергеевич
© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: We predict the characteristics of hyperfine interactions (hfi) for a number of electron-nuclear spin systems NV-13C in diamonds grown by seeding approach from the specific isotopic aza-adamantane or methyl-aza-adamantane molecules differing in 13C position in the precursor as well as in the orientation of the NV center in the post-obtained diamond. For the purpose we have used the spatial and hfi data simulated previously for the cluster C510[NV]–H252. The data obtained can be used to identify (and correlate with the precursor used) the specific NV-13C spin system by measuring the hfi-induced splitting in optically detected magnetic resonance spectra being characteristic for the NV-13C system.
Только метаданные
Relaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer
(2021) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Smirnova, M. O.; Solomatin, I. O.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Смирнова, Марина Олеговна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич
© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of this study quantitatively and qualitatively illustrate the processes of mismatch stress relaxation upon epitaxy of cubic silicon carbide on silicon. The mechanical stress distribution in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si heterostructures is analyzed. It is shown that a porous buffer layer plays a role in the reduction of mismatch stress. The data of the theoretical study are verified by experimental residual stress in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si samples.
Открытый доступ
ОДИНОЧНЫЕ ЛАЗЕРНЫЕ NV ЦЕНТРЫ В АЛМАЗЕ
(НИЯУ МИФИ, 2025) КОНОНЕНКО, В. В.; КОНОНЕНКО, Т. В.; КУПРИЯНОВ, А. А.; ПАШИНИН, В. П.; ЗАВЕДЕЕВ, Е. В.; КОМЛЕНОК, М. С.; КУРОЧИЦКИЙ, Н. Д.; КОНОВ, В. И.; САЛКОЗАНОВ, А. Т.; ГУСЕВ, А. С.; КАРГИН, Н. И.; КИЛИН, С. Я.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Килин, Сергей Яковлевич
В докладе рассматриваются фундаментальные аспекты воздействия лазерного излучения на монокристаллический алмаз. Основное внимание уделено необратимым лазерно-стимулированным изменениям структуры алмаза атомарного масштаба, которые кардинально меняют его физические и оптические свойства. Впервые сообщается о многоимпульсном лазерном формировании одиночных азотно- вакансионных центров в алмазе.
Только метаданные
Spatially controlled fabrication of single NV centers in IIa HPHT diamond
(2020) Trofimov, S. D.; Tarelkin, S. A.; Bolshedvorskii, S. V.; Bormashov, V. S.; Kargin, N. I.; Kukin, N. S.; Gusev, A. S.; Каргин, Николай Иванович; Кукин, Николай Сергеевич; Гусев, Александр Сергеевич
© 2019 Optical Society of America under the terms of the OSA Open Access Publishing Agreement.Single NV centers in HPHT IIa diamond are fabricated by helium implantation through lithographic masks. The concentrations of created NV centers in different growth sectors of HPHT are compared quantitatively. It is shown that the purest [001] growth sector (GS) of HPHT diamond allows to create groups of single NV centers in predetermined locations. The [001] GS HPHT diamond is thus considered a good material for applications that involve single NV centers.
Только метаданные
Local laser annealing of 3C-SiC film deposited on the silicon substrate by CVD
(2019) Mikhalik, M. M.; Avramchuk, A. V.; Komissarov, I. V.; Yu, Fominski, V.; Romanov, R. I.; Sultanov, A. O.; Siglovaya, N. V.; Ryndya, S. M.; Gusev, A. S.; Labunov, V. A.; Kargin, N. I.; Фоминский, Вячеслав Юрьевич; Романов, Роман Иванович; Султанов, Азрет Оюсович; Сигловая, Наталия Владимировна; Рындя, Сергей Михайлович; Гусев, Александр Сергеевич; Лабунов, Владимир; Каргин, Николай Иванович
© Published under licence by IOP Publishing Ltd. In this work, we try to suite an approach, which concerns of epitaxial graphene growth by laser irradiation of 3C-SiC (111) film deposited on silicon substrate (111) by chemical vapor deposition method. Laser treatment was performed by pulsed 1064 nm laser with 20 Hz repetition rate and 15 ns pulse duration, the fluency was varied 0-1.5 J/cm 2 . Raman spectroscopy studies show that for fluence above 0.8 J/cm 2 2D band is noticeable revealing formation of high crystallographic quality graphitic (graphene) film.
Открытый доступ
Plasma assisted-MBE of GaN and AlN on graphene buffer layers
(2019) Kovalchuk, N. G.; Borisenko, D. P.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Komissarov, I. V.; Labunov, V. A.; Борисенко, Денис Петрович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Лабунов, Владимир
The possibility of using chemical vapor deposition (CVD) graphene as a 2D buffer layer for epitaxial growth of III-nitrides by plasma assisted-MBE on amorphous substrates (SiO2 prepared by thermal oxidation of Si wafer) was investigated. The comparative study of graphene-coated parts of the wafers and the parts without graphene was carried out by scanning electron microscopy and X-ray diffractometry. It was shown that epitaxial GaN and AlN films with close to 2D surface morphology can be obtained by plasma assisted-MBE on amorphous SiO2 substrates with a multilayer graphene buffer using the HT AlN nucleation layer. (C) 2019 The Japan Society of Applied Physics
Только метаданные
Few-Layer Graphene as an Efficient Buffer for GaN/AlN Epitaxy on a SiO2/Si Substrate: A Joint Experimental and Theoretical Study
(2022) Borisenko, D. P.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Dobrokhotov, P. L.; Timofeev, A. A.; Labunov, V. A.; Mikhalik, M. M.; Katin, K. P.; Maslov, M. M.; Dzhumaev, P. S.; Komissarov, I. V.; Борисенко, Денис Петрович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Лабунов, Владимир; Катин, Константин Петрович; Маслов, Михаил Михайлович; Джумаев, Павел Сергеевич
Single-layer (SLG)/few-layer (FLG) and multilayer graphene (MLG) (andgt;15 layers) samples were obtained using the CVD method on high-textured Cu foil catalysts. In turn, plasma-assisted molecular beam epitaxy was applied to carry out the GaN graphene-assisted growth. A thin AlN layer was used at the initial stage to promote the nucleation process. The effect of graphene defectiveness and thickness on the quality of the GaN epilayers was studied. The bilayer graphene showed the lowest strain and provided optimal conditions for the growth of GaN/AlN. Theoretical studies based on the density functional theory have shown that the energy of interaction between graphene and AlN is almost the same as between graphite sheets (194 mJ/m2). However, the presence of vacancies and other defects as well as compression-induced ripples and nitrogen doping leads to a significant change in this energy. © 2022 by the authors.