Персона: Гусев, Александр Сергеевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Гусев
Имя
Александр Сергеевич
Имя
26 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 26
- ПубликацияОткрытый доступСиловой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом(НИЯУ МИФИ, 2024) Рыжук, Р. В.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Калошин, М. М.; Катков, А. В.; Цунваза, Д. М.; Захарченко, Р. В.; Рындя, Сергей Михайлович; Рыжук, Роман Валериевич; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай ИвановичИзобретение относится к приборам твердотельной электроники, и в частности к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом состоит из подложки, буферного слоя GaN, нанесенного на подложку, ультратонкого барьерного слоя AlN ультратонкий не более 7, нанесенного на буферный слой, защитного верхнего слоя GaN, нанесенного на барьерный слой, электродов истока, затвора и стока, нанесенных на защитный слой и пространственно отделенных друг от друга, пассивирующего слоя Si3N4, нанесенного на защитный слой между электродами, а также металлизации полевой пластины, нанесенной на пассивирующий слой и электрически соединенной с затвором, при этом расстояние между затвором и стоком, а также длина полевой пластины - взаимосвязанные величины, подобранные исходя из требуемого значения напряжения пробоя. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/□, с топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. 4 ил.
- ПубликацияТолько метаданныеSingle NV centers in diamond produced by multipulse femtosecond laser irradiation(2025) Kononenko, V. V.; Dezhkina, M. A.; Kupriyanov, A. A.; Salkazanov, A. T.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Kilin, S. Ya.; Салказанов, Александр Тотразович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Килин, Сергей Яковлевич
- ПубликацияТолько метаданныеQuantum Memory on 13C–13C Dimers in Diamond with NV Centers: Simulation by Quantum Chemistry Methods(2023) Nizovtsev, A. P.; Pushkarchuk, A. L.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Низовцев, Александр Павлович; Пушкарчук, Александр Леонидович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович
- ПубликацияТолько метаданныеStudy of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization(2019) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Experimental and theoretical studies of the processes of mesoporous-silicon carbonization during the formation of buffer layers for the subsequent epitaxy of 3C-SiC films and related wide-gap semiconductors are performed. Analytical expressions for the effective diffusion factor and diffusion length of carbon atoms in a porous system are obtained. The proposed model takes into account the processes of Knudsen diffusion, coagulation and the overgrowth of pores during the formation of a silicon-carbide layer.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТОДИКА ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХГЛАДКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ СИТАЛЛА ИОННО-КЛАСТЕРНЫМИ И АТОМАРНЫМИ ПУЧКАМИ АРГОНА(НИЯУ МИФИ, 2019) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Сигловая, Н. В.; Бакун, Алексей Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия ВладимировнаOptical glass ceramics (ex. sitall) is a promising material for the elements of devices operating in a wide temperature range. However, typical methods do not allow to form a substrate with a mean-square surface roughness of less than 0.2 nm in the spatial frequency range corresponding to the scattering of incident optical radiation. To obtain super-smooth substrates of optical glass ceramics it is proposed to use the method of gas cluster ion beam (GCIB) and accelerated neutral atom beam (ANAB) processing.
- ПубликацияТолько метаданныеAnalysis of Carrier Scattering Mechanisms in AlN/GaN HEMT Heterostructures with an Ultrathin AlN Barrier(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Katkov, A. V.; Ryndya, S. M.; Siglovaya, N. V.; Klochkov, A. N.; Ryzhuk, R. V.; Kargin, N. I.; Borisenko, D. P.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Катков, Андрей Викторович; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия Владимировна; Клочков, Алексей Николаевич; Рыжук, Роман Валериевич; Каргин, Николай Иванович; Борисенко, Денис Петрович
- ПубликацияТолько метаданныеIII-nitride HEMT Heterostructures with Ultrathin AlN Barrier: Obtaining and Experimental Application(2024) Gusev, A. S.; Sultanov, A. O.; Ryzhuk, R. V.; Nevolina, T. N.; Tsunvaza, D.; Safaraliev, G. K.; Kargin, N. I.; Гусев, Александр Сергеевич; Султанов, Азрет Оюсович; Рыжук, Роман Валериевич; Неволина, Татьяна Николаевна; Цунваза, Дамир; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Каргин, Николай Иванович
- ПубликацияТолько метаданныеFine Tuning Phosphonate Synthesis Yields of CsPbBr3 Perovskite Nanocrystals with Enhanced Stability for Applications in Quantum Technologies(2024) Samokhvalov, P. S.; Gusev, A. S.; Siglovaya, N. V.; Kargin, N. I.; Nabiev, I. R.; Самохвалов, Павел Сергеевич; Гусев, Александр Сергеевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Каргин, Николай Иванович; Набиев, Игорь Руфаилович
- ПубликацияТолько метаданныеPLD Grown SiC Thin Films on Al2O3: Morphology and Structure(2019) Kargin, N. I.; Gusev, A. S.; Ryndya, S. M.; Timofeev, A. A.; Grekhov, M. M.; Siglovaya, N. V.; Antonenko, S. V.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Антоненко, Сергей Васильевич© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: In this paper, submicron SiC thin films are obtained on α-Al2O3 (0001) substrates from a ceramic target in vacuum by means of pulsed laser deposition. The influence of the substrate temperature on the composition, structure and surface morphology of the experimental samples is studied using scanning and transmission electron microscopy, scanning probe microscopy, X-ray diffractometry, Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectrometry. It is shown that at Tsub = 1000°C the heteroepitaxial growth of 3C-SiC is observed with the following preferential orientation with respect to the substrate: [0001]Al2O3||[111]SiС and [211A]Al2O3||[211]SiС, [100]Al2O3||[(Formula presented.)]SiС. The shape of the reflections from the {011} and {131} 3C–SiC planes on the electron diffraction pattern indicates the presence of local regions in the film that are rotated at angles of up to 7.5° around the growth axis. Thus, it is found that the 3C–SiC film obtained on α‑Al2O3 at a substrate temperature of 1000°C has a mosaic structure partially compensating for the mechanical stresses arising from a mismatch between the lattice parameters and thermal-expansion coefficients along the basal plane.
- ПубликацияТолько метаданныеOptically Detectable Magnetic Resonance of NV-Center Ensembles in CVD Diamond with Different 13C Contents(2024) Salkazanov, A.T.; Gusev, A.S.; Kaloshin, M.M.; Sauri, A.D.; Zharikov, A.M.; Nizovtsev, A.P.; Kilin, S.Ya.; Kargin, N.I.; Ryzhuk, R.V.; Салказанов, Александр Тотразович; Гусев, Александр Сергеевич; Калошин, Михаил Михайлович; Саури, Антон Давидович; Жариков, Александр Михайлович; Низовцев, Александр Павлович; Килин, Сергей Яковлевич; Каргин, Николай Иванович; Рыжук, Роман Валериевич
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »