Publication:
АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ИОННО-КЛАСТЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ МЕТОДОМ ФЛИККЕР- ШУМОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

Дата
2017
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
A method of parameterization of supersmooth surfaces used in micro- and nanoelectronics as substrates and light-reflecting elements is proposed. The method is based on the flicker-noise spectroscopy (FNS) as the general phenomenological approach to extracting information from the chaotic temporal or spatial signals. The glass-ceramic samples were processed by cluster-ion beams and their topology was investigated by atomic force microscopy before and after treatment. It is established that gas cluster ion beams processing of glass ceramics leads to angstrom-level surface roughness.
Описание
Ключевые слова
Конференции НИЯУ МИФИ
Цитирование
АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ИОННО-КЛАСТЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ МЕТОДОМ ФЛИККЕР- ШУМОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ [Text.] /Баку А. Д. [и тд.] // Взаимодействие ионов с поверхностью «ВИП – 2017»: труды XXIII Международной конференции Том 1. - 2017. - С.73-75