Персона:
Гусев, Александр Сергеевич

Научные группы

Научная группа

Лаборатория «Технологии проектирования нитридгаллиевой ЭКБ функциональных систем» центра радиофотоники и СВЧ-технологий

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Фамилия

Гусев

Имя

Александр Сергеевич

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 25

Открытый доступ
ИССЛЕДОВАНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ КРАМЕРСОВО-ВЫРОЖДЕННОЙ СИСТЕМЫ 14NV-13C В МАГНИТНОМ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
(НИЯУ МИФИ, 2024) Салказанов, А. Т.; Вергелес, С. С.; Гусев, А. С.; Калошин, М. М.; Кукин, Н. С.; Маргушин, Р. Е.; Каргин, Н. И.; Низовцев, А. П.; Салказанов, Александр Тотразович; Гусев, Александр Сергеевич; Калошин, Михаил Михайлович; Каргин, Николай Иванович; Низовцев, Александр Павлович
В данной работе проводится исследование трехспиновой системы 14NV-13C, которая включает электронный спин NV-центра и ядерные спины атомов 13С и 14N. В этой системе наблюдается двукратное вырождение энергетических уровней в нулевом магнитном поле (вырождение Крамерса) из-за инвариантности спинового гамильтониана к обращению времени. Для исследования влияния магнитного и электрического поля на энергетические уровни системы было проведено моделирование спектров оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) этой гибридной квантовой системы в рамках метода спин-гамильтониана при одновременном воздействии на систему магнитного и электрического или внутрикристаллического поля. Построенная модель хорошо согласуется с экспериментальным спектром ОДМР одиночного комплекса 14NV-13C, локализованном в образце сверхчистого алмаза с помощью конфокального микроскопа. По расщеплению спектра ОДМР в нулевом магнитном поле и по данным квантово-химического моделирования было определено, что атом 13С расположен в третьей координационной сфере NV-центра, и соответствующий этому положению тензор сверхтонкого взаимодействия электронного спина NV-центра и ядерного спина изотопа углерода 13С использовался в модели. В результате численные расчеты показали, что вырождение снимается только магнитным полем, независимо от наличия какого-либо электрического (кристаллического) поля, что делает данную квантовую систему перспективным для магнитометрии.
Открытый доступ
Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом
(НИЯУ МИФИ, 2024) Рыжук, Р. В.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Калошин, М. М.; Катков, А. В.; Цунваза, Д. М.; Захарченко, Р. В.; Рындя, Сергей Михайлович; Рыжук, Роман Валериевич; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович
Изобретение относится к приборам твердотельной электроники, и в частности к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом состоит из подложки, буферного слоя GaN, нанесенного на подложку, ультратонкого барьерного слоя AlN ультратонкий не более 7, нанесенного на буферный слой, защитного верхнего слоя GaN, нанесенного на барьерный слой, электродов истока, затвора и стока, нанесенных на защитный слой и пространственно отделенных друг от друга, пассивирующего слоя Si3N4, нанесенного на защитный слой между электродами, а также металлизации полевой пластины, нанесенной на пассивирующий слой и электрически соединенной с затвором, при этом расстояние между затвором и стоком, а также длина полевой пластины - взаимосвязанные величины, подобранные исходя из требуемого значения напряжения пробоя. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/□, с топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. 4 ил.
Только метаданные
Hyperfine Characteristics of Quantum Registers NV-13С in Diamond Nanocrystals Formed by Seeding Approach from Isotopic Aza-Adamantane and Methyl-Aza-Adamanthane
(2020) Kilin, S. Y.; Pushkarchuk, A. L.; Kuten, S. A.; Jelezko, F.; Nizovtsev, A. P.; Gusev, A. S.; Низовцев, Александр Павлович; Гусев, Александр Сергеевич
© 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: We predict the characteristics of hyperfine interactions (hfi) for a number of electron-nuclear spin systems NV-13C in diamonds grown by seeding approach from the specific isotopic aza-adamantane or methyl-aza-adamantane molecules differing in 13C position in the precursor as well as in the orientation of the NV center in the post-obtained diamond. For the purpose we have used the spatial and hfi data simulated previously for the cluster C510[NV]–H252. The data obtained can be used to identify (and correlate with the precursor used) the specific NV-13C spin system by measuring the hfi-induced splitting in optically detected magnetic resonance spectra being characteristic for the NV-13C system.
Открытый доступ
ЧИСЛЕННАЯ МОДЕЛЬ ВРЕМЯПРОЛЕТНОГО АНАЛИЗАТОРА ДЛЯ ПУЧКА КЛАСТЕРНЫХ ИОНОВ Ar
(НИЯУ МИФИ, 2019) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Колодко, Д. В.; Рындя, С. М.; Сигловая, Н. В.; Агейченков, Д. Г.; Гусев, Александр Сергеевич; Колодко, Добрыня Вячеславич; Рындя, Сергей Михайлович; Каргин, Николай Иванович; Бакун, Алексей Дмитриевич; Сигловая, Наталия Владимировна
Polishing with cluster ions makes it possible to obtain nanorelief on various materials. Often in such installations, the ion mass distribution is not known reliably. This paper presents the results of a time-of-flight mass analyzer simulation. The time-of-flight analyzer will be used for separation of cluster ions on the Exogenesis nAccel 100 unit.
Открытый доступ
МЕТОДИКА ФОРМИРОВАНИЯ СВЕРХГЛАДКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ СИТАЛЛА ИОННО-КЛАСТЕРНЫМИ И АТОМАРНЫМИ ПУЧКАМИ АРГОНА
(НИЯУ МИФИ, 2019) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Сигловая, Н. В.; Бакун, Алексей Дмитриевич; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Сигловая, Наталия Владимировна
Optical glass ceramics (ex. sitall) is a promising material for the elements of devices operating in a wide temperature range. However, typical methods do not allow to form a substrate with a mean-square surface roughness of less than 0.2 nm in the spatial frequency range corresponding to the scattering of incident optical radiation. To obtain super-smooth substrates of optical glass ceramics it is proposed to use the method of gas cluster ion beam (GCIB) and accelerated neutral atom beam (ANAB) processing.
Открытый доступ
АНАЛИЗ ВЛИЯНИЯ ИОННО-КЛАСТЕРНОЙ ОБРАБОТКИ НА СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ МЕТОДОМ ФЛИККЕР- ШУМОВОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
(НИЯУ МИФИ, 2017) Бакун, А. Д.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Матющенко, И. А.; Тимашев, С. Ф.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Тимашев, Сергей Федорович; Бакун, Алексей Дмитриевич
A method of parameterization of supersmooth surfaces used in micro- and nanoelectronics as substrates and light-reflecting elements is proposed. The method is based on the flicker-noise spectroscopy (FNS) as the general phenomenological approach to extracting information from the chaotic temporal or spatial signals. The glass-ceramic samples were processed by cluster-ion beams and their topology was investigated by atomic force microscopy before and after treatment. It is established that gas cluster ion beams processing of glass ceramics leads to angstrom-level surface roughness.
Только метаданные
Study of the Processes of Mesoporous-Silicon Carbonization
(2019) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: Experimental and theoretical studies of the processes of mesoporous-silicon carbonization during the formation of buffer layers for the subsequent epitaxy of 3C-SiC films and related wide-gap semiconductors are performed. Analytical expressions for the effective diffusion factor and diffusion length of carbon atoms in a porous system are obtained. The proposed model takes into account the processes of Knudsen diffusion, coagulation and the overgrowth of pores during the formation of a silicon-carbide layer.
Только метаданные
PLD Grown SiC Thin Films on Al2O3: Morphology and Structure
(2019) Kargin, N. I.; Gusev, A. S.; Ryndya, S. M.; Timofeev, A. A.; Grekhov, M. M.; Siglovaya, N. V.; Antonenko, S. V.; Каргин, Николай Иванович; Гусев, Александр Сергеевич; Рындя, Сергей Михайлович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Сигловая, Наталия Владимировна; Антоненко, Сергей Васильевич
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: In this paper, submicron SiC thin films are obtained on α-Al2O3 (0001) substrates from a ceramic target in vacuum by means of pulsed laser deposition. The influence of the substrate temperature on the composition, structure and surface morphology of the experimental samples is studied using scanning and transmission electron microscopy, scanning probe microscopy, X-ray diffractometry, Fourier transform infrared spectroscopy and Raman spectrometry. It is shown that at Tsub = 1000°C the heteroepitaxial growth of 3C-SiC is observed with the following preferential orientation with respect to the substrate: [0001]Al2O3||[111]SiС and [211A]Al2O3||[211]SiС, [100]Al2O3||[(Formula presented.)]SiС. The shape of the reflections from the {011} and {131} 3C–SiC planes on the electron diffraction pattern indicates the presence of local regions in the film that are rotated at angles of up to 7.5° around the growth axis. Thus, it is found that the 3C–SiC film obtained on α‑Al2O3 at a substrate temperature of 1000°C has a mosaic structure partially compensating for the mechanical stresses arising from a mismatch between the lattice parameters and thermal-expansion coefficients along the basal plane.
Только метаданные
Relaxation of Mechanical Stress in Epitaxial Films of Cubic Silicon Carbide on Silicon Substrates with a Buffer Porous Layer
(2021) Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Ryndya, S. M.; Safaraliev, G. K.; Siglovaya, N. V.; Smirnova, M. O.; Solomatin, I. O.; Sultanov, A. O.; Timofeev, A. A.; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Рындя, Сергей Михайлович; Сафаралиев, Гаджимет Керимович; Сигловая, Наталия Владимировна; Смирнова, Марина Олеговна; Султанов, Азрет Оюсович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич
© 2021, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of this study quantitatively and qualitatively illustrate the processes of mismatch stress relaxation upon epitaxy of cubic silicon carbide on silicon. The mechanical stress distribution in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si heterostructures is analyzed. It is shown that a porous buffer layer plays a role in the reduction of mismatch stress. The data of the theoretical study are verified by experimental residual stress in 3C–SiC/Si and 3C–SiC/por-Si samples.
Только метаданные
Effect of graphene domains orientation on quasi van der Waals epitaxy of GaN
(2021) Kovalchuk, N. G.; Mikhalik, M. M.; Borisenko, D. P.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Dobrokhotov, P. L.; Timofeev, A. A.; Labunov, V. A.; Komissarov, I. V.; Борисенко, Денис Петрович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Тимофеев, Алексей Афанасьевич; Лабунов, Владимир
© 2021 Author(s).We demonstrate the growth features of III-nitrides on graphene buffer layers obtained by the CVD method on a copper catalyst with different dominant grain orientations. The reflection high-energy electron diffraction technique (RHEED) is used to map the 2D reciprocal space structures of graphene buffers and growing nitride layers. The RHEED reciprocal space pattern for the graphene layer grown on a (111) textured copper foil and transferred to a SiO2/Si substrate demonstrates the sixfold symmetry characteristic of a highly oriented material. In turn, graphene grown on a Cu (100) foil consists of two types of domains that are 30° rotated relative to each other. It has also been demonstrated that III-nitride films exactly repeat the texture of the 2D graphene buffers. The GaN sample grown over the highly textured substrate demonstrates a clear sixfold symmetry of the RHEED reciprocal space map as well as { 10 1 ¯ 3 } XRD pole figure, which is close to 2D surface morphology. In turn, the GaN film grown over the graphene buffer layer transferred from the Cu (100) textured foil has 12-fold axial symmetry, which is equivalent to the essentially two-domain in-plane orientation of the initial graphene.