Publication:
SnO2-Pd as a Gate Material for the Capacitor Type Gas Sensor

Дата
2019
Авторы
Samotaev, N.
Oblov, K.
Litvinov, A.
Etrekova, M.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.The article describes the result of the use SnO2-Pd thin films as a gate for structure measured ppb range of NO2 gas by the capacitive method. The technological aspects of fabrication SnO2-Pd gate and one comparison by metrological parameters with the classical Pd gate field effect sensor are discussed. The use of SnO2-Pd material allows improvement in sensitivity of NO2 by an order of magnitude compare the classical Pd based gate field effect sensors.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
SnO2-Pd as a Gate Material for the Capacitor Type Gas Sensor / Samotaev, N. [et al.] // 2019 IEEE 31st International Conference on Microelectronics, MIEL 2019 - Proceedings. - 2019. - P. 153-156. - 10.1109/MIEL.2019.8889648
URI
https://www.doi.org/10.1109/MIEL.2019.8889648
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85075392446&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000565455600031
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18900
Коллекции
Публикации