Персона:
Скоробогатов, Петр Константинович

Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Статус
Фамилия
Скоробогатов
Имя
Петр Константинович
Имя

Фильтры

2019 - 201922020 - 20223
5
5
Сброс фильтров

Настройки

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 5 из 5
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Effect of Operating Mode of the Input-Output Ports of Complex Functional Devices on Indicators of the Pulsed Electric Strength of the Product
    (2020) Shemonaev, A. N.; Epifantsev, K. A.; Skorobogatov, P. K.; Шемонаев, Александр Николаевич; Епифанцев, Константин Алексеевич; Скоробогатов, Петр Константинович
    © 2020, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: We test the durability of the simplest AVR ATtiny13A microcontroller (from Atmel) to the effects of single voltage pulses depending on the input-output port configuration. The dependence of the impulse electric strength of the microcontroller on the operation mode of the ports is discovered.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Microcontroller's Sensitivity to Voltage Pulse Series in Comparison with a Single Voltage Pulse
    (2019) Shemonaev, A. N.; Epifantsev, K. A.; Skorobogatov, P. K.; Nikiforov, A. Y.; Шемонаев, Александр Николаевич; Епифанцев, Константин Алексеевич; Скоробогатов, Петр Константинович; Никифоров, Александр Юрьевич
    © 2019 IEEE.The paper presents the results of ARM 32-bit Cortex-M0 and M4 CMOS microcontroller's sensitivity to a series of voltage pulses in comparison to a single pulse-all with damage subthreshold energy. The effect of pulses amount on the device voltage overstress threshold value was found and analyzed.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Automation of Pulse Electric Strength Test of Electronic Component Base
    (2019) Dyatlov, N. S.; Epifantsev, K. A.; Skorobogatov, P. K.; Епифанцев, Константин Алексеевич; Скоробогатов, Петр Константинович
    © 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: During the pulse electric strength test of the electronic component base (ECB), the single pulsing electrical overstress (EOS) of increasing amplitude affects the tested specimen until a functional or parametric failure of the product appears. In order to reduce the test time and minimize operator intervention, a specialized test bench was designed to perform the test in automatic mode. To have the possibility to switch the specimen between a sensitive measuring instrument and a high-voltage pulse generator, a mechanical switching device was developed, which also operates as a connecting link between test bench components. After putting the test bench into operation, the time of preparation and the test significantly decreases. Furthermore, it became possible to test the electronic component base on the multiple actions of voltage pulses.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Latch-up in Integrated Circuits under Single and Periodic Electrical Overstress
    (2022) Shemonaev, A.; Anikin, A.; Epifantsev, K.; Skorobogatov, P.; Шемонаев, Александр Николаевич; Аникин, Андрей Александрович; Епифанцев, Константин Алексеевич; Скоробогатов, Петр Константинович
    © 2022 IEEE.This paper describes the results of sensitivity test to latch-up of several types of ICs (SRAM, EEPROM memory, ADC, microcontroller) caused by single and multiple electrical overstresses. It was shown, that electrical strike with a high-repetition rate increases the sensitivity and vulnerability of ICs to latch-up. The article describes some aspects of the test procedure, which may affect on IC's sensitivity results.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Только метаданные
    Effect of a Series of Voltage Pulses on Passive Components and Transistors
    (2022) Anikin, A.; Epifantsev, K.; Shemonaev, A.; Skorobogatov, P.; Аникин, Андрей Александрович; Епифанцев, Константин Алексеевич; Шемонаев, Александр Николаевич; Скоробогатов, Петр Константинович
    © 2022 IEEE.The results of studies of capacitors and transistors under the influence of single and multiple voltage pulses are presented. It is shown that the impact of multiple electrical interference reduces the durability of the product compared to the impact of a single pulse.