Персона:
Никифоров, Александр Юрьевич

Загружается...
Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Никифоров
Имя
Александр Юрьевич
Имя

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 23
  • Публикация
    Только метаданные
    SOI CMOS, SiGe BiCMOS, GaAs HBT and GaAs PHEMT Technologies Characterization for Radiation-Tolerant Microwave Applications
    (2021) Sotskov, D. I.; Kuznetsov, A. G.; Elesin, V. V.; Usachev, N. A.; Chukov, G. V.; Nikiforov, A. Y.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Елесин, Вадим Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Чуков, Георгий Викторович; Никифоров, Александр Юрьевич
    © 2021 IEEE.Radiation-oriented (RO-) and microwave (MW) characterization of the several process technologies - CMOS silicon-on-insulator (SOI) 180 nm process, CMOS 90 nm process, SiGe BiCMOS 0.42/0.25 μm process, GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) 2 μm process and GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) 0.5 μm process, which suitable for the development of radiation-tolerance transceiver integrated circuits with operating frequencies up to 30 GHz are presented. The results of MW-characterization showed two process technologies manufacturing in "foundry"mode - CMOS SOI 180 nm and CMOS 90 nm potentiality for the development of transceiver ICs with operating frequencies above 3 GHz and 12 GHz respectively. Obtained experimental results allow to determine radiation-tolerance indicators for the total ionizing dose, neutrons, impulse exposure and heavy ions and specify critical elements and IP-block fragments for given processes. Experimental data can be used at the first step of reasonable choice of process technologies for radiation-tolerant transceiver design.
  • Публикация
    Открытый доступ
    Возможность применения алгоритмов машинного обучения для прогнозирования качества ЭКБ И РЭА
    (2023) Колосова, А. С.; Каменева, А. С. ; Чуков, Г. В. ; Никифоров, А. Ю. ; Каменева, Анна Сергеевна; Чуков, Георгий Викторович; Никифоров, Александр Юрьевич; Колосова, Анна Сергеевна
    Рассмотрены основные алгоритмы и методы машинного обучения и проведен анализ возможности их применения для оценки качества как основного элемента обеспечения доверенности выпускаемой электронной компонентной базы (ЭКБ) и радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Приводятся примеры успешного применения данных алгоритмов для улучшения таких показателей качества ЭКБ как надежность, стойкость к внешним воздействующим факторам и др. При проведении исследований стойкости ЭКБ к внешним воздействующим факторам, необходимой является процедура идентификации образцов ЭКБ методом рентгеноскопии, для выявления возможной неоднородности в конструкции образцов, принадлежащих к одной партии. Неоднородность партии может влиять на показатели надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, в связи с чем актуальной задачей является построение надежной системы идентификации. В статье предложен подход к решению задачи поиска неоднородности партии при идентификации образцов ЭКБ с помощью рентгеноскопии, в том числе как метода обеспечения доверенности, с помощью сверточной нейронной сети и алгоритмов кластеризации.
  • Публикация
    Открытый доступ
    ВПЕЧАТЛЕНИЯ УЧАСТНИКОВ МЕЖДУНАРОДНОГО ВОЕННО-ТЕХНИЧЕСКОГО ФОРУМА «АРМИЯ-2024»
    (НИЯУ МИФИ, 2024) Никифоров, А. Ю.; Усачев, Н. А.; Ермаков, А В.; Никифоров, Александр Юрьевич; Усачев, Николай Александрович; Ермаков, Александр Викторович
    В период с 12 по 14 августа в КВЦ «Патриот» прошел Международный военно-технический Форум «АРМИЯ-2024». Согласно официальным данным, в работе Форума приняли участие делегации оборонных ведомств более 80 иностранных государств, а также 110 официальных военных делегаций и предприятий иностранных государств. Форум включал в себя научно-деловую программу, протокольные и культурно-художественные мероприятия. Организатором Форума традиционно выступило Минобороны России, генеральными партнерами выступили: Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Холдинг «Вертолеты России», АО «Технодинамика». Открыли работу Форума в своем видеообращении Президент России В.В. Путин, и выступления Министра обороны России А.Р. Белоусова, Министра промышленности и торговли А.А. Алиханова, Министра обороны Республики Беларусь В.Г. Хренина. Более 1,5 тыс. отечественных и зарубежных предприятий и организаций представили свыше 28 тыс. образцов продукции военного и двойного назначения в виде натурных образцов, макетов и рекламно-информационных материалов. Национальные экспозиции представили Белоруссия, Иран и Китай.
  • Публикация
    Открытый доступ
    КОЛОНКА ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА
    (НИЯУ МИФИ, 2024) Никифоров, А. Ю.; Никифоров, Александр Юрьевич
  • Публикация
    Только метаданные
    A SINGLE POWER SUPPLY 0.1-3.5 GHZ LOW NOISE AMPLIFIER DESIGN USING A LOW COST 0.5 mu M D-MODE PHEMT PROCESS
    (2020) Sotskov, D.; Elesin, V.; Kuznetsov, A.; Usachev, N.; Zidkov, N.; Nikiforov, A.; Сотсков, Денис Иванович; Елесин, Вадим Владимирович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Усачев, Николай Александрович; Жидков, Никита Михайлович; Никифоров, Александр Юрьевич
    Design and testing results of a single power supply wide-band low noise amplifier (LNA) based on low cost 0.5 mu m D-mode pHEMT process are presented. It is shown that the designed cascode LNA has operating frequency range up to 3.5 GHz, power gain above 15 dB, noise figure below 2.2 dB, output linearity above 17 dBm and power consumption less than 325 mW. Potential immunity of the LNA to total ionizing dose and destructive single event effects exceed 300 krad and 60 MeV center dot cm(2)/mg respectively.
  • Публикация
    Только метаданные
    Nonparametric Statistical Analysis of Radiation Hardness Threshold Variation in CMOS IC Wafer Lots Series with the Aim of Process Monitoring
    (2019) Moskovskaya, Y. M.; Sogojan, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Bogdanov, Y. I.; Bogdanova, N. A.; Fastovets, D. V.; Moskovskaya, Y. M.; Sogoyan, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Московская, Юлия Марковна; Согоян, Армен Вагоевич; Никифоров, Александр Юрьевич
    © 2019 IEEE.Nonparametric statistical criteria usage has been considered for estimating radiation hardness threshold variation of CMOS IC wafer lots series. It gives one the possibility to assess every newly manufactured IC lot by a small sample size to determine whether test sample and the whole lot statistically belong to the previously tested general reference group of samples or not. The approach allows us to minimize the overirradiation factor and obtain a statistically reliable radiation test result even for small-size test samples.
  • Публикация
    Только метаданные
    Comparative Assessment of Digital and UHF Optoelectronic Transceivers Radiation Hardness
    (2019) Mozhaev, R. K.; Cherniak, M. E.; Pechenkin, A. A.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич
    © 2019 IEEE.A method for radiation hardness evaluation of digital and microwave transmitting-receiving optoelectronic modules is presented. The technical aspects of parameters monitoring during exposure are described. The most vulnerable components of optoelectronic modules are identified.
  • Публикация
    Только метаданные
    Microcontroller's Sensitivity to Voltage Pulse Series in Comparison with a Single Voltage Pulse
    (2019) Shemonaev, A. N.; Epifantsev, K. A.; Skorobogatov, P. K.; Nikiforov, A. Y.; Шемонаев, Александр Николаевич; Епифанцев, Константин Алексеевич; Скоробогатов, Петр Константинович; Никифоров, Александр Юрьевич
    © 2019 IEEE.The paper presents the results of ARM 32-bit Cortex-M0 and M4 CMOS microcontroller's sensitivity to a series of voltage pulses in comparison to a single pulse-all with damage subthreshold energy. The effect of pulses amount on the device voltage overstress threshold value was found and analyzed.
  • Публикация
    Только метаданные
    Proton Accelerator's Direct Ionization Single Event Upset Test Procedure
    (2019) Akhmetov, A. O.; Sorokoumov, G. S.; Smolin, A. A.; Bobrovsky, D. V.; Boychenko, D. V.; Nikiforov, A. Y.; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Бойченко, Дмитрий Владимирович; Никифоров, Александр Юрьевич
    © 2019 IEEE.The paper presents single event upset (SEU) experimental results in Spartan-6 FPGA due to direct and indirect proton ionization. High energy proton beam and aluminum foils were used to decrease proton energy down to 1.. 20 MeV to observe proton direct ionization upsets.
  • Публикация
    Только метаданные
    Software and Hardware System for Charge Coupled Devices with Interline Transfer of Charge Parameters Monitoring during Radiation Tests
    (2019) Lukashin, V. P.; Cherniak, M. E.; Akhmetov, A. O.; Nikiforov, A. Y.; Ulanova, A. V.; Лукашин, Владислав Павлович; Никифоров, Александр Юрьевич; Уланова, Анастасия Владиславовна
    © 2019 IEEE.The paper presents a method of device monitoring during radiation testing for charge coupled devices with interline transfer (hereinafter-CCD). The results of heavy ions, dose rate and total ionizing dose tests are presented together with the description of the developed software and hardware set-up based on the National Instruments platform and on the designed specialized equipment adapted for radiation tests.