Персона: Никифоров, Александр Юрьевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Никифоров
Имя
Александр Юрьевич
Имя
26 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 26
- ПубликацияОткрытый доступКОЛОНКА ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА(НИЯУ МИФИ, 2024) Никифоров, А. Ю.; Никифоров, Александр ЮрьевичЗдравствуйте, уважаемые читатели и авторы журнала «Безопасность информационных технологий»! Вот и еще год нашей жизни – тридцатый, юбилейный, год нашего журнала пролетел-просвистел (почти). Теперь журнал выходит в цвете – новые возможности для иллюстраций. Аудитория журнала и его востребованность научным сообществом растут – сейчас мы относимся ко второй квартили по уровню цитируемости и замахиваемся на первый квартиль. В этой колонке и в целом в данном выпуске журнала мы подождем подводить итоги года – на момент готовности издания номера до Нового года осталось еще немало времени. Первое что здесь и сейчас совершенно необходимо сделать – это поздравить с 70-летием двух очень важных для нашего журнала и меня лично коллег-корифеев – д.т.н., профессора Александра Александровича Шелупанова из ТУСУРа и к.т.н. Анатолия Петровича Дураковского из НИЯУ МИФИ – что и делаю от души и с огромным удовольствием! Здоровья, творческого долголетия и отличного настроения Вам – учителям, соратникам и друзьям! Более подробно – на отдельных вкладках этого номера журнала. Одним из наиболее важных информационных событий по тематике журнала за рассматриваемый период был десятый Российский Форум «Микроэлектроника 2024» (далее – Форум»), который прошел с 23 по 28 сентября с.г. в Парке науки и искусств Федеральной территории «Сириус». Очень информативный обзор пленарных заседаний Форума опубликован в журнале «ЭЛЕКТРОНИКА: наука, технология, бизнес», который, является генеральным информационным партнером Форума. И уже второй год с любезного разрешения наших друзей и коллег мы перепечатываем профильную для нас часть этого материала, в том числе описание пленарного заседания «Доверенные программно-аппаратные комплексы и ЭКБ для объектов критической информационной инфраструктуры (КИИ)», в рубрике «События и мнения» нашего журнала.
- ПубликацияТолько метаданныеAMOS Temperature-Insensitive Voltage Divider and Its Application for Voltage Reference Design(2021) Danilov, I. A.; Gorbunov, M. S.; Nikiforov, A. Y.; Никифоров, Александр Юрьевич© 2021 IEEE.We propose a MOS temperature-insensitive voltage divider circuit. The circuit works well in both weak inversion and strong inversion modes. The temperature insensitivity of this device is derived analytically and demonstrated by simulation. We also propose a voltage reference circuit based on the divider. We use a 90 nm CMOS Process DesignKit (PDK) to provide SPICE simulation.
- ПубликацияТолько метаданныеAutomated Formation of the Unified Ontological Space of Students' Knowledge and Skills to Implement Intellectual Tutoring Tasks Based on Tutoring Integrated Expert Systems(2022) Rybina, G. V.; Nikiforov, A. Y.; Slinkov, A. A.; Grigoryev, A. A.; Рыбина, Галина Валентиновна; Никифоров, Александр Юрьевич; Слиньков, Александр Александрович; Григорьев, Андрей Александрович© 2022 IEEE.The experience of development and use in the educational process of NRNU MEPhI of tutoring integrated systems, created on the basis of problem-oriented methodology and AT-TECHNOLOGY workbench, is analyzed. The focus of this work is on the place, role and features of the development and application of courses / disciplines applied ontologies to design the basic components of tutoring integrated expert systems-student models and student models.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ МИКРОСХЕМЫ РАДИОЧАСТОТНОЙ МЕТКИ СИСТЕМ ЦИФРОВОЙ МАРКИРОВКИ И ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ КРИТИЧЕСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ(НИЯУ МИФИ, 2024) Сотсков, Д. И.; Котов, В. Н.; Зубаков, А. В.; Усачев, Н. А.; Никифоров, А. Ю.; Бойченко, Д. В.; Сотсков, Денис Иванович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр Юрьевич; Зубаков, Алексей Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий ВладимировичПредставлена методика проектирования основной части блока управления питанием (БУП) микросхемы радиочастотной метки (РЧМ) УВЧ-диапазона. Методика представляет собой пошаговый алгоритм проектирования БУП и состоит из пяти взаимосвязанных этапов. На первом этапе осуществляется формирование требований к параметрам БУП (выходное напряжение, мощность постоянного тока на выходе, коэффициент полезного действия, емкость выходного конденсатора) и значению добротности аналогового тракта РЧМ. На втором этапе осуществляется проектирование электрической схемы умножителя напряжения (УН), предназначенного для преобразования напряжения входного радиочастотного (РЧ) сигнала в нестабилизированное постоянное напряжение. В ходе третьего этапа осуществляется проектирование электрической схемы ограничителя постоянного напряжения, необходимого для снижения уровня выходного напряжения УН до безопасного уровня. Результатом выполнения четвертого этапа является электрическая схема защиты от перенапряжения, предназначенной для обеспечения требуемого уровня стойкости микросхемы РЧМ к воздействию электростатического разряда и РЧ сигнала высокой мощности. В рамках заключительного этапа осуществляется оценка и приведение в соответствие с требуемым значением добротности аналогового тракта РЧМ. Предложенная методика может быть использована для оперативной разработки отечественных микросхем РЧМ УВЧ-диапазона (стандарты ISO 18000-6C, GJB 7377.1 и др.) на основе КМОП технологических процессов, в т.ч. микросхем РЧМ, предназначенных для применения на объектах критической инфраструктуры. С использованием представленной методики выполнено проектирование БУП с расчетным значением коэффициента полезного действия 70%, оценочной добротностью аналогового тракта РЧМ менее 15 при мощности входного РЧ сигнала 12,7 дБм.
- ПубликацияОткрытый доступВПЕЧАТЛЕНИЯ УЧАСТНИКОВ МЕЖДУНАРОДНОГО ВОЕННО-ТЕХНИЧЕСКОГО ФОРУМА «АРМИЯ-2024»(НИЯУ МИФИ, 2024) Никифоров, А. Ю.; Усачев, Н. А.; Ермаков, А В.; Никифоров, Александр Юрьевич; Усачев, Николай Александрович; Ермаков, Александр ВикторовичВ период с 12 по 14 августа в КВЦ «Патриот» прошел Международный военно-технический Форум «АРМИЯ-2024». Согласно официальным данным, в работе Форума приняли участие делегации оборонных ведомств более 80 иностранных государств, а также 110 официальных военных делегаций и предприятий иностранных государств. Форум включал в себя научно-деловую программу, протокольные и культурно-художественные мероприятия. Организатором Форума традиционно выступило Минобороны России, генеральными партнерами выступили: Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Холдинг «Вертолеты России», АО «Технодинамика». Открыли работу Форума в своем видеообращении Президент России В.В. Путин, и выступления Министра обороны России А.Р. Белоусова, Министра промышленности и торговли А.А. Алиханова, Министра обороны Республики Беларусь В.Г. Хренина. Более 1,5 тыс. отечественных и зарубежных предприятий и организаций представили свыше 28 тыс. образцов продукции военного и двойного назначения в виде натурных образцов, макетов и рекламно-информационных материалов. Национальные экспозиции представили Белоруссия, Иран и Китай.
- ПубликацияОткрытый доступСПЕЦИАЛИЗИРОВАННАЯ СВЧ БИБЛИОТЕКА ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩЕЙ ДОВЕРЕННОЙ ЭКБ(2023) Сотсков, Д. И. ; Зубаков, А. В. ; Усачев, Н. А. ; Жидков, Н. М. ; Кузнецов, А. Г. ; Ермаков, А. В. ; Никифоров, А. Ю. ; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Жидков, Никита Михайлович; Усачев, Николай Александрович; Сотсков, Денис Иванович; Ермаков, Александр Викторович; Зубаков, Алексей Владимирович; Никифоров, Александр ЮрьевичПредставлены результаты проектирования специализированной СВЧ библиотеки базовых элементов, предназначенной для использования в рамках отечественного КМОП технологического процесса с проектной нормой 180 нм. Библиотека включает в своем составе набор радиочастотных МОП-транзисторов для усилительного и ключевого применения, варикапы на основе МОП-структур трех типов, спиральные катушки индуктивности, МДМ-конденсаторы и прочие элементы. Библиотека предназначена для использования совместно с САПР Cadence Virtuoso IC и ориентирована на создание комплекта усилительных, генераторных и преобразовательных СВЧ сложно-функциональных блоков, а также блоков управления фазой и амплитудой сигнала приемопередающей ЭКБ. С использованием представленной библиотеки спроектирован тестовый кристалл, предназначенный для проведения исследований зондовыми методами и содержащий 13 типов базовых элементов и вспомогательные структуры для СВЧ-характеризации отечественного КМОП технологического процесса 180 нм.
- ПубликацияОткрытый доступКОЛОНКА ГЛАВНОГО РЕДАКТОРА(НИЯУ МИФИ, 2024) Никифоров, А. Ю.; Никифоров, Александр Юрьевич
- ПубликацияТолько метаданныеMethod for Determining the Most Sensitive Region of an Optocoupler Chip under X-ray-Induced Dose Effects(2019) Ranneva, E. V.; Verizhnikov, A. I.; Tsyrlov, A. M.; Fedosov, V. S.; Chernyak, M. E.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Kalashnikov, V. D.; Titovets, D. O.; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич; Калашников, Владислав Дмитриевич; Титовец, Дмитрий Олегович© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: This paper is devoted to analyzing the effect of gamma radiation on the behavior of optocouplers. According to a series of experiments that involve masking various parts of a chip from X-ray irradiation, the most sensitive region of the chip is determined and the design of the optocoupler is improved. Upon modification, the radiation hardness of the device more than triples.
- ПубликацияТолько метаданныеCharacterization of the Effects of Neutron-Induced Displacement Damage on the SiGe:C Heterojunction Bipolar Transistors(2021) Sotskov, D. I.; Kuznetsov, A. G.; Elesin, V. V.; Selishchev, I. A.; Kotov, V. N.; Nikiforov, A. Y.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Елесин, Вадим Владимирович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр ЮрьевичThis paper explores the effects of neutron-induced displacement damage on static and high frequency parameters of three types of SiGe: npn heterostructure bipolar transistors from the SGB25V BiCMOS technology. © 2021 IEEE.
- ПубликацияОткрытый доступВозможность применения алгоритмов машинного обучения для прогнозирования качества ЭКБ И РЭА(2023) Колосова, А. С.; Каменева, А. С. ; Чуков, Г. В. ; Никифоров, А. Ю. ; Каменева, Анна Сергеевна; Чуков, Георгий Викторович; Никифоров, Александр Юрьевич; Колосова, Анна СергеевнаРассмотрены основные алгоритмы и методы машинного обучения и проведен анализ возможности их применения для оценки качества как основного элемента обеспечения доверенности выпускаемой электронной компонентной базы (ЭКБ) и радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Приводятся примеры успешного применения данных алгоритмов для улучшения таких показателей качества ЭКБ как надежность, стойкость к внешним воздействующим факторам и др. При проведении исследований стойкости ЭКБ к внешним воздействующим факторам, необходимой является процедура идентификации образцов ЭКБ методом рентгеноскопии, для выявления возможной неоднородности в конструкции образцов, принадлежащих к одной партии. Неоднородность партии может влиять на показатели надежности и стойкости к внешним воздействующим факторам, в связи с чем актуальной задачей является построение надежной системы идентификации. В статье предложен подход к решению задачи поиска неоднородности партии при идентификации образцов ЭКБ с помощью рентгеноскопии, в том числе как метода обеспечения доверенности, с помощью сверточной нейронной сети и алгоритмов кластеризации.
- «
- 1 (current)
- 2
- 3
- »