2020, Sotskov, D., Elesin, V., Kuznetsov, A., Usachev, N., Zidkov, N., Nikiforov, A., Сотсков, Денис Иванович, Елесин, Вадим Владимирович, Кузнецов, Александр Геннадьевич, Усачев, Николай Александрович, Жидков, Никита Михайлович, Никифоров, Александр Юрьевич

Design and testing results of a single power supply wide-band low noise amplifier (LNA) based on low cost 0.5 mu m D-mode pHEMT process are presented. It is shown that the designed cascode LNA has operating frequency range up to 3.5 GHz, power gain above 15 dB, noise figure below 2.2 dB, output linearity above 17 dBm and power consumption less than 325 mW. Potential immunity of the LNA to total ionizing dose and destructive single event effects exceed 300 krad and 60 MeV center dot cm(2)/mg respectively.

2021, Sotskov, D. I., Kuznetsov, A. G., Elesin, V. V., Usachev, N. A., Chukov, G. V., Nikiforov, A. Y., Сотсков, Денис Иванович, Кузнецов, Александр Геннадьевич, Елесин, Вадим Владимирович, Усачев, Николай Александрович, Чуков, Георгий Викторович, Никифоров, Александр Юрьевич

© 2021 IEEE.Radiation-oriented (RO-) and microwave (MW) characterization of the several process technologies - CMOS silicon-on-insulator (SOI) 180 nm process, CMOS 90 nm process, SiGe BiCMOS 0.42/0.25 μm process, GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) 2 μm process and GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) 0.5 μm process, which suitable for the development of radiation-tolerance transceiver integrated circuits with operating frequencies up to 30 GHz are presented. The results of MW-characterization showed two process technologies manufacturing in "foundry"mode - CMOS SOI 180 nm and CMOS 90 nm potentiality for the development of transceiver ICs with operating frequencies above 3 GHz and 12 GHz respectively. Obtained experimental results allow to determine radiation-tolerance indicators for the total ionizing dose, neutrons, impulse exposure and heavy ions and specify critical elements and IP-block fragments for given processes. Experimental data can be used at the first step of reasonable choice of process technologies for radiation-tolerant transceiver design.

2024, Никифоров, А. Ю., Никифоров, Александр Юрьевич

Здравствуйте, уважаемые читатели и авторы журнала «Безопасность информационных технологий»! Вот и еще год нашей жизни – тридцатый, юбилейный, год нашего журнала пролетел-просвистел (почти). Теперь журнал выходит в цвете – новые возможности для иллюстраций. Аудитория журнала и его востребованность научным сообществом растут – сейчас мы относимся ко второй квартили по уровню цитируемости и замахиваемся на первый квартиль. В этой колонке и в целом в данном выпуске журнала мы подождем подводить итоги года – на момент готовности издания номера до Нового года осталось еще немало времени. Первое что здесь и сейчас совершенно необходимо сделать – это поздравить с 70-летием двух очень важных для нашего журнала и меня лично коллег-корифеев – д.т.н., профессора Александра Александровича Шелупанова из ТУСУРа и к.т.н. Анатолия Петровича Дураковского из НИЯУ МИФИ – что и делаю от души и с огромным удовольствием! Здоровья, творческого долголетия и отличного настроения Вам – учителям, соратникам и друзьям! Более подробно – на отдельных вкладках этого номера журнала. Одним из наиболее важных информационных событий по тематике журнала за рассматриваемый период был десятый Российский Форум «Микроэлектроника 2024» (далее – Форум»), который прошел с 23 по 28 сентября с.г. в Парке науки и искусств Федеральной территории «Сириус». Очень информативный обзор пленарных заседаний Форума опубликован в журнале «ЭЛЕКТРОНИКА: наука, технология, бизнес», который, является генеральным информационным партнером Форума. И уже второй год с любезного разрешения наших друзей и коллег мы перепечатываем профильную для нас часть этого материала, в том числе описание пленарного заседания «Доверенные программно-аппаратные комплексы и ЭКБ для объектов критической информационной инфраструктуры (КИИ)», в рубрике «События и мнения» нашего журнала.

2024, Сотсков, Д. И., Котов, В. Н., Зубаков, А. В., Усачев, Н. А., Никифоров, А. Ю., Бойченко, Д. В., Сотсков, Денис Иванович, Котов, Владислав Николаевич, Никифоров, Александр Юрьевич, Зубаков, Алексей Владимирович, Усачев, Николай Александрович, Бойченко, Дмитрий Владимирович

Представлена методика проектирования основной части блока управления питанием (БУП) микросхемы радиочастотной метки (РЧМ) УВЧ-диапазона. Методика представляет собой пошаговый алгоритм проектирования БУП и состоит из пяти взаимосвязанных этапов. На первом этапе осуществляется формирование требований к параметрам БУП (выходное напряжение, мощность постоянного тока на выходе, коэффициент полезного действия, емкость выходного конденсатора) и значению добротности аналогового тракта РЧМ. На втором этапе осуществляется проектирование электрической схемы умножителя напряжения (УН), предназначенного для преобразования напряжения входного радиочастотного (РЧ) сигнала в нестабилизированное постоянное напряжение. В ходе третьего этапа осуществляется проектирование электрической схемы ограничителя постоянного напряжения, необходимого для снижения уровня выходного напряжения УН до безопасного уровня. Результатом выполнения четвертого этапа является электрическая схема защиты от перенапряжения, предназначенной для обеспечения требуемого уровня стойкости микросхемы РЧМ к воздействию электростатического разряда и РЧ сигнала высокой мощности. В рамках заключительного этапа осуществляется оценка и приведение в соответствие с требуемым значением добротности аналогового тракта РЧМ. Предложенная методика может быть использована для оперативной разработки отечественных микросхем РЧМ УВЧ-диапазона (стандарты ISO 18000-6C, GJB 7377.1 и др.) на основе КМОП технологических процессов, в т.ч. микросхем РЧМ, предназначенных для применения на объектах критической инфраструктуры. С использованием представленной методики выполнено проектирование БУП с расчетным значением коэффициента полезного действия 70%, оценочной добротностью аналогового тракта РЧМ менее 15 при мощности входного РЧ сигнала 12,7 дБм.

2019, Shemonaev, A. N., Epifantsev, K. A., Skorobogatov, P. K., Nikiforov, A. Y., Шемонаев, Александр Николаевич, Епифанцев, Константин Алексеевич, Скоробогатов, Петр Константинович, Никифоров, Александр Юрьевич

© 2019 IEEE.The paper presents the results of ARM 32-bit Cortex-M0 and M4 CMOS microcontroller's sensitivity to a series of voltage pulses in comparison to a single pulse-all with damage subthreshold energy. The effect of pulses amount on the device voltage overstress threshold value was found and analyzed.

2019, Moskovskaya, Y. M., Sogojan, A. V., Nikiforov, A. Y., Bogdanov, Y. I., Bogdanova, N. A., Fastovets, D. V., Moskovskaya, Y. M., Sogoyan, A. V., Nikiforov, A. Y., Московская, Юлия Марковна, Согоян, Армен Вагоевич, Никифоров, Александр Юрьевич

© 2019 IEEE.Nonparametric statistical criteria usage has been considered for estimating radiation hardness threshold variation of CMOS IC wafer lots series. It gives one the possibility to assess every newly manufactured IC lot by a small sample size to determine whether test sample and the whole lot statistically belong to the previously tested general reference group of samples or not. The approach allows us to minimize the overirradiation factor and obtain a statistically reliable radiation test result even for small-size test samples.

2021, Danilov, I. A., Gorbunov, M. S., Nikiforov, A. Y., Никифоров, Александр Юрьевич

© 2021 IEEE.We propose a MOS temperature-insensitive voltage divider circuit. The circuit works well in both weak inversion and strong inversion modes. The temperature insensitivity of this device is derived analytically and demonstrated by simulation. We also propose a voltage reference circuit based on the divider. We use a 90 nm CMOS Process DesignKit (PDK) to provide SPICE simulation.

2019, Mozhaev, R. K., Cherniak, M. E., Pechenkin, A. A., Ulanova, A. V., Nikiforov, A. Y., Можаев, Роман Константинович, Печенкин, Александр Александрович, Уланова, Анастасия Владиславовна, Никифоров, Александр Юрьевич

© 2019 IEEE.A method for radiation hardness evaluation of digital and microwave transmitting-receiving optoelectronic modules is presented. The technical aspects of parameters monitoring during exposure are described. The most vulnerable components of optoelectronic modules are identified.

2021, Mozhaev, R. K., Pechenkin, A. A., Ukolov, D. S., Ulanova, A. V., Nikiforov, A. Y., Можаев, Роман Константинович, Печенкин, Александр Александрович, Уланова, Анастасия Владиславовна, Никифоров, Александр Юрьевич

© 2021 IEEE.The paper presents the comparative results of spectrum degradation organic light-emitting diode with different dominant wavelengths. The diodes were exposed with stationary gamma-irradiation at room and low temperatures. The research has shown moderate degradation of the light-emission spectrum when exposed at room temperature and significant degradation at low temperature. The greatest deterioration in the optical parameters was observed for organic light-emitting diodes with blue and white light emission color.

2022, Rybina, G. V., Nikiforov, A. Y., Slinkov, A. A., Grigoryev, A. A., Рыбина, Галина Валентиновна, Никифоров, Александр Юрьевич, Слиньков, Александр Александрович, Григорьев, Андрей Александрович

© 2022 IEEE.The experience of development and use in the educational process of NRNU MEPhI of tutoring integrated systems, created on the basis of problem-oriented methodology and AT-TECHNOLOGY workbench, is analyzed. The focus of this work is on the place, role and features of the development and application of courses / disciplines applied ontologies to design the basic components of tutoring integrated expert systems-student models and student models.