Персона: Уланова, Анастасия Владиславовна
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Уланова
Имя
Анастасия Владиславовна
Имя
9 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 9 из 9
- ПубликацияТолько метаданныеComparative Assessment of Digital and UHF Optoelectronic Transceivers Radiation Hardness(2019) Mozhaev, R. K.; Cherniak, M. E.; Pechenkin, A. A.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич© 2019 IEEE.A method for radiation hardness evaluation of digital and microwave transmitting-receiving optoelectronic modules is presented. The technical aspects of parameters monitoring during exposure are described. The most vulnerable components of optoelectronic modules are identified.
- ПубликацияТолько метаданныеSoftware and Hardware System for Charge Coupled Devices with Interline Transfer of Charge Parameters Monitoring during Radiation Tests(2019) Lukashin, V. P.; Cherniak, M. E.; Akhmetov, A. O.; Nikiforov, A. Y.; Ulanova, A. V.; Лукашин, Владислав Павлович; Никифоров, Александр Юрьевич; Уланова, Анастасия Владиславовна© 2019 IEEE.The paper presents a method of device monitoring during radiation testing for charge coupled devices with interline transfer (hereinafter-CCD). The results of heavy ions, dose rate and total ionizing dose tests are presented together with the description of the developed software and hardware set-up based on the National Instruments platform and on the designed specialized equipment adapted for radiation tests.
- ПубликацияТолько метаданныеEvaluation of Organic Light-Emitting Diodes Total Ionizing Dose Sensitivity in Temperature Range(2021) Mozhaev, R. K.; Pechenkin, A. A.; Ukolov, D. S.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич© 2021 IEEE.The paper presents the comparative results of spectrum degradation organic light-emitting diode with different dominant wavelengths. The diodes were exposed with stationary gamma-irradiation at room and low temperatures. The research has shown moderate degradation of the light-emission spectrum when exposed at room temperature and significant degradation at low temperature. The greatest deterioration in the optical parameters was observed for organic light-emitting diodes with blue and white light emission color.
- ПубликацияОткрытый доступНОРМЫ ИСПЫТАНИЙ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ОТДЕЛЬНЫХ ЧАСТИЦ: МИНИМАКСНЫЙ ПОДХОД(НИЯУ МИФИ, 2024) Согоян, А. В.; Чумаков, А. И.; Уланова, А. В.; Смолин, А. А.; Яненко, А. В.; Бойченко, Д. В.; Яненко, Андрей Викторович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич; Уланова, Анастасия ВладиславовнаПри проведении испытаний интегральных схем (ИС) и полупроводниковых приборов на стойкость к воздействию протонов, нейтронов и ионов одним из ключевых является вопрос определения «нормы испытаний» – уровня воздействия испытательной установки (ИУ), позволяющего по результатам эксперимента сделать заключение о соответствии изделия заданным требованиям с определённой доверительной вероятностью. Статистически достоверное определение вероятности безотказной работы (ВБР) изделий по результатам испытаний малых выборок является трудноразрешимой задачей, в особенности – для вновь разрабатываемых ИС. Ещё более сложной задача оказывается при отсутствии отказов в ходе эксперимента. Применительно к возникновению одиночных радиационных эффектов (ОРЭ) в ИС при воздействии частиц космического пространства (КП) проблема заключается в сочетании высоких уровней заданных флюенсов и требуемых ВБР. Анализ показывает, что даже (гипотетически) детальное воспроизведение характеристик специальных факторов (СФ) в ходе испытаний в общем случае не способно само по себе («автоматически») обеспечить заданную достоверность результата. Обоснованное уменьшение норм испытаний может быть достигнуто за счет использования априорной количественной информации о проявлении ОРЭ в рассматриваемых изделиях в сочетании с модельными представлениями о механизмах ОРЭ. В работе рассмотрен минимаксный подход к определению норм испытаний, в рамках которого априорная информация вводится в форме «жестких» ограничений на значения параметров задачи.
- ПубликацияТолько метаданныеMethod for Determining the Most Sensitive Region of an Optocoupler Chip under X-ray-Induced Dose Effects(2019) Ranneva, E. V.; Verizhnikov, A. I.; Tsyrlov, A. M.; Fedosov, V. S.; Chernyak, M. E.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Kalashnikov, V. D.; Titovets, D. O.; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич; Калашников, Владислав Дмитриевич; Титовец, Дмитрий Олегович© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: This paper is devoted to analyzing the effect of gamma radiation on the behavior of optocouplers. According to a series of experiments that involve masking various parts of a chip from X-ray irradiation, the most sensitive region of the chip is determined and the design of the optocoupler is improved. Upon modification, the radiation hardness of the device more than triples.
- ПубликацияТолько метаданныеEffects of space radiation on resistive memory and comparison with other types of non-volatile memory(2022) Shvetsov-Shilovskiy, I.; Boruzdina, A.; Chepov, V.; Petrov, A.; Ulanova, A.; Петров, Андрей Григорьевич; Уланова, Анастасия Владиславовна© 2022 IEEE.In this work we consider the prospect of using resistive memory microcircuits (RRAM, CBRAM) for space applications. Total dose and single event effects in resistive memory test cells and finished CMOS RRAM microcircuits were investigated. We also provide a comparative assessment of typical hardness levels for other types of non-volatile memories such as flash, ferroelectric (FRAM), magnetoresistive (MRAM) memory. We have summarized the data on SEE and TID hardness levels for different types of commercially available non-volatile memories.
- ПубликацияТолько метаданныеInfluence of X-ray Source Spectrum on TID Degradation of CMOS Devices(2022) Teplyakova, A. O.; Egorov, A. Y.; Kalashnikov, V. D.; Ulanova, A. V.; Marfin, V. A.; Rogovaia, M. A.; Калашников, Владислав Дмитриевич; Уланова, Анастасия Владиславовна© 2022 IEEE.The paper presents an evaluation of degradation of parameters of CMOS devices under x-ray irradiation with different spectra. Using aluminum filters of different thicknesses and various operating modes of the X-ray facility the low-energy part of X-ray spectrum was attenuated. The obtained data indicates that the modification of the X-ray energy spectrum affects ionizing radiation response of CMOS ICs parameters. A quantitative assessment of the difference in the radiation behavior of IC's parameters is given. A hypothesis that can explain the cause of difference in parameter degradation is put forward.
- ПубликацияТолько метаданныеTotal Ionizing Dose Effects in High-Speed 16-bit Analog-to-Digital Converter(2022) Torshin, R.; Bobrovsky, D.; Ulanova, A.; Sorokoumov, G.; Kalashnikova, M.; Titovets, D.; Торшин, Роман Сергеевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Уланова, Анастасия Владиславовна; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Титовец, Дмитрий Олегович© 2022 IEEE.The paper presents the research results of Total Ionizing Dose (TID) Effects in high-speed (80 MSPS) analog-to-digital converter (ADC). The article incorporates the description of the equipment for parametric control of the device under test and methodology for measuring ADC characteristics. The article also presents pre-irradiation graphs of integral non-linearity (INL), differential non-linearity (DNL), amplitude spectrum and its degradation during exposure. With regard to findings of the study was determined the most critical operation mode of the Device Under Test (DUT) during irradiation and the most TID sensitive parameter.
- ПубликацияОткрытый доступНОРМЫ ИСПЫТАНИЙ НА СТОЙКОСТЬ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ОТДЕЛЬНЫХ ЧАСТИЦ: БАЙЕСОВСКИЙ ПОДХОД(НИЯУ МИФИ, 2025) Согоян, А. В.; Смолин, А. А.; Уланова, А. В.; Чумаков, А. И.; Яненко, А. В.; Бойченко, Д. В.; Яненко, Андрей Викторович; Согоян, Армен Вагоевич; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Уланова, Анастасия ВладиславовнаКлючевым аспектом безопасного функционирования вычислительных систем в условиях воздействия отдельных частиц (ионов, протонов и нейтронов) является обеспечение сбое- и отказоустойчивости их электронных компонентов. Статистически достоверное определение вероятности безотказной работы (ВБР) интегральных схем (ИС) по результатам испытаний на практике сталкивается с рядом принципиальных трудностей. В случае отсутствия наблюдаемых отказов в ходе эксперимента однозначная интерпретация результатов испытаний оказывается невозможна без использования априорной информации об изделии и характере проявления одиночных радиационных эффектов (ОРЭ). Обоснованное уменьшение норм испытаний при сохранении заданной достоверности оценки соответствия может быть достигнуто за счет использования априорной количественной информации о проявлении ОРЭ в изделиях рассматриваемого класса. В работе предложен метод определения норм испытаний, основанный на байесовской методологии. В рамках данного подхода параметры радиационной чувствительности изделий (по ОРЭ) рассматриваются как векторная случайная величина, а априорная плотность распределения этой величины строится на основании имеющихся эмпирических данных. Рассмотрены параметрические и непараметрические способы построения априорного распределения по эмпирической информации. Анализ показывает, что неопределенность расчета нормы практически полностью определяется априорной информацией и способом ее представления, а учет разброса характеристик образцов и погрешностиопределения флюенса частиц приводит к незначительному увеличению нормы испытаний. В рамках предложенного подхода проанализирована достоверность оценки соответствия изделия требованиям на основании априорной информации без проведения испытаний.