Publication:
Influence of X-ray Source Spectrum on TID Degradation of CMOS Devices

Дата
2022
Авторы
Teplyakova, A. O.
Egorov, A. Y.
Kalashnikov, V. D.
Ulanova, A. V.
Marfin, V. A.
Rogovaia, M. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2022 IEEE.The paper presents an evaluation of degradation of parameters of CMOS devices under x-ray irradiation with different spectra. Using aluminum filters of different thicknesses and various operating modes of the X-ray facility the low-energy part of X-ray spectrum was attenuated. The obtained data indicates that the modification of the X-ray energy spectrum affects ionizing radiation response of CMOS ICs parameters. A quantitative assessment of the difference in the radiation behavior of IC's parameters is given. A hypothesis that can explain the cause of difference in parameter degradation is put forward.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Influence of X-ray Source Spectrum on TID Degradation of CMOS Devices / Teplyakova, A.O. [et al.] // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2022 - Proceedings. - 2022. - 10.1109/MWENT55238.2022.9802295
Коллекции