Publication:
Effects of space radiation on resistive memory and comparison with other types of non-volatile memory

Дата
2022
Авторы
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2022 IEEE.In this work we consider the prospect of using resistive memory microcircuits (RRAM, CBRAM) for space applications. Total dose and single event effects in resistive memory test cells and finished CMOS RRAM microcircuits were investigated. We also provide a comparative assessment of typical hardness levels for other types of non-volatile memories such as flash, ferroelectric (FRAM), magnetoresistive (MRAM) memory. We have summarized the data on SEE and TID hardness levels for different types of commercially available non-volatile memories.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Effects of space radiation on resistive memory and comparison with other types of non-volatile memory / Shvetsov-Shilovskiy, I. [et al.] // Moscow Workshop on Electronic and Networking Technologies, MWENT 2022 - Proceedings. - 2022. - 10.1109/MWENT55238.2022.9802312
Коллекции