Publication:
Method for Determining the Most Sensitive Region of an Optocoupler Chip under X-ray-Induced Dose Effects

Дата
2019
Авторы
Ranneva, E. V.
Verizhnikov, A. I.
Tsyrlov, A. M.
Fedosov, V. S.
Chernyak, M. E.
Ulanova, A. V.
Nikiforov, A. Y.
Kalashnikov, V. D.
Titovets, D. O.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: This paper is devoted to analyzing the effect of gamma radiation on the behavior of optocouplers. According to a series of experiments that involve masking various parts of a chip from X-ray irradiation, the most sensitive region of the chip is determined and the design of the optocoupler is improved. Upon modification, the radiation hardness of the device more than triples.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Method for Determining the Most Sensitive Region of an Optocoupler Chip under X-ray-Induced Dose Effects / Ranneva, E.V. [et al.] // Russian Microelectronics. - 2019. - 48. - № 6. - P. 415-421. - 10.1134/S1063739719060039
Коллекции