Мокеровские чтения

Постоянный URI для этого раздела

https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/211

Сайт конференции

Фонд имени члена-корреспондента РАН профессора Мокерова В.Г.

В коллекции представлены полнотекстовые сборники конференций (01_Мокеровские чтения: тезисы докладов), а также полнотекстовые публикации авторов НИЯУ МИФИ.

Обзор

Просмотр Мокеровские чтения по Автор "Васильевский, И. С."

Теперь показываю 1 - 3 из 3
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    АКТИВАЦИОННАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В РЕЖИМЕ КВАНТОВОГО ЭФФЕКТА ХОЛЛА В КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs/InAlAs С ВЫСОКИМ СОДЕРЖАНИЕМ InAs
    (НИЯУ МИФИ, 2019) Гудина, С. В.; Арапов, Ю. Г.; Дерюшкина, Ю. В.; Неверов, В. Н.; Савельев, А. П.; Подгорных, С. М.; Шелушинина, Н. Г.; Якунин, М. В.; Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич
    The longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to 12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained.
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    ПОДВИЖНОСТЬ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InGaAs С НАНОВСТАВКАМИ InAs
    (НИЯУ МИФИ, 2011) Васильевский, И. С.; Пономарев, Д. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Юзеева, Н. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
  • Уменьшенное изображение
    Публикация
    Открытый доступ
    ТЕХНОЛОГИЯ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСЛОЕВ InAs И GaAs В СОСТАВНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ InAlAs/InGaAs
    (НИЯУ МИФИ, 2012) Васильев, А. В.; Пресняков, М. Ю.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Васильевский, Иван Сергеевич
    Слоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).