Publication:
Thermal stability of tantalum nitride based thin film resistors

Дата
2019
Авторы
Shostachenko, S. A.
Zakharchenko, R. V.
Ryzhuk, R. V.
Leshchev, S. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт фундаментальных проблем социо-гуманитарных наук
Институт фундаментальных проблем социо-гуманитарных наук (ИФП СГН) был создан в 2022 году для решения стратегических задач развития НИЯУ МИФИ. Основной целью создания ИФП СГН является повышение качества гуманитарного образования. В связи с этим, в число приоритетных задач Института входит: консолидация гуманитарных ресурсов НИЯУ МИФИ; курирование междисциплинарных исследований и проектов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 Published under licence by IOP Publishing Ltd. Tantalum nitride thin films were deposited on Al2O3 substrates by the dc-magnetron sputtering technique. The nitrogen content in the argon/nitrogen flow varied from 5 to 50%. Structural properties were studied using X-ray diffraction. The ratio of Ar:N2 was 4:1; the ratio of Ta:N became 1:1. Sheet resistance depends on thickness and is in the range of 20 - 80 Ω/□ due to thickness 100 - 50 nm. The TaN films deposited at a nitrogen/argon ratio of 20% show the thermal stability of the resistance in the 25-400°C temperature range. Sheet resistance degradation was ∼ 5%. The TCR value was determined in the range of 25 - 300 C and was equal to - 21 ppm/K.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Thermal stability of tantalum nitride based thin film resistors / Shostachenko, S.A. [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. - 2019. - 498. - № 1. - 10.1088/1757-899X/498/1/012014
URI
https://www.doi.org/10.1088/1757-899X/498/1/012014
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85065595497&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000472784800014
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/17951
Коллекции
Публикации