Publication: ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs
Дата
2012
Авторы
Пономарев, Д. С.
Васильевский, И. С.
Галиев, Г. Б.
Климов, Е. А.
Кульбачинский, В. А.
Васильев, А. Л.
Субботин, И. А.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Одним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В АНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ n0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 18-19.