Publication: ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs
| dc.contributor.author | Пономарев, Д. С. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, И. С. | |
| dc.contributor.author | Галиев, Г. Б. | |
| dc.contributor.author | Климов, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Кульбачинский, В. А. | |
| dc.contributor.author | Васильев, А. Л. | |
| dc.contributor.author | Субботин, И. А. | |
| dc.contributor.author | Васильевский, Иван Сергеевич | |
| dc.date.accessioned | 2024-04-25T13:58:52Z | |
| dc.date.available | 2024-04-25T13:58:52Z | |
| dc.date.issued | 2012 | |
| dc.description.abstract | Одним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов. | |
| dc.identifier.citation | ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В АНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ n0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs//Мокеровские чтения. Научно-практическая конференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники, 12−13 мая 2012 г.: тезисы докладов. М.: НИЯУ МИФИ, 2012. – с. 18-19. | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10188 | |
| dc.publisher | НИЯУ МИФИ | |
| dc.title | ДРЕЙФОВАЯ СКОРОСТЬ НАСЫЩЕНИЯ И ЭФФЕКТИВНАЯ МАССА ЭЛЕКТРОНОВ В НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СОСТАВНОЙ КВАНТОВОЙ ЯМОЙ In0,53Ga0,47As/InAs/In0,53Ga0,47As/InAs | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| relation.isAuthorOfPublication | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | 8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9 |