Publication:
Ionizing radiation dose sensor based on n-channel MOSFET

Дата
2020
Авторы
Podlepetsky, B.
Pershenkov, V. S.
Belyakov, V. V.
Bakerenkov, A. S.
Felitsyn, V. A.
Rodin, A. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© Springer Nature Switzerland AG 2020.We investigated the radiation sensitivity of dose-metrical sensors based on n-channel MOSFETs taking into account the effects of temperature and electrical modes. There were measured the output voltages V being equal to the gate voltage VG of MOSFET-based dosimeter as function of the radiation doses at const values of the drain current ID and the drain—source voltage VD (conversion functions), as well as the (ID − VG) characteristics before, during and after irradiations at different temperatures. It was shown how the conversion functions and the radiation sensitivities are depending on the temperature and electrical modes. It is found that the conversion functions V(D) have two characteristic regions for low and high doses (with negative and with positive radiation sensitivities). To interpret experimental data there were proposed the models of conversion function and its components taking into account the separate contributions of charges in the dielectric and in SiO2–Si interface.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Ionizing radiation dose sensor based on n-channel MOSFET / Podlepetsky, B.I. [et al.] // IFMBE Proceedings. - 2020. - 77. - P. 399-404. - 10.1007/978-3-030-31866-6_73
URI
https://www.doi.org/10.1007/978-3-030-31866-6_73
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85075602284&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000552314200073
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/20072
Коллекции
Публикации