Publication:
Single Event Burnout Sensitivity Prediction Based on Commercial MOSFET Electrical Characteristics Analysis

Дата
2021
Авторы
Kessarinskiy, V. S.
Kessarinskiy, L. N.
Tararaksin, A. S.
Shirin, A. O.
Boychenko, D. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт интеллектуальных кибернетических систем
Цель ИИКС и стратегия развития - это подготовка кадров, способных противостоять современным угрозам и вызовам, обладающих знаниями и компетенциями в области кибернетики, информационной и финансовой безопасности для решения задач разработки базового программного обеспечения, повышения защищенности критически важных информационных систем и противодействия отмыванию денег, полученных преступным путем, и финансированию терроризма.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.Power MOSFET transistors are the main part of the power supply system for any equipment, including spacecraft. Modern vertical MOSFETs are designed as regular matrix structures of elementary parallel cells (mini-transistors), made according to submicron process. Single event burnout (SEB) of a vertical cell is the main mechanism for failure of vertical MOSFETs from single particle effect. In addition to SEB, there are several other reasons for the MOSFET burnout, caused by extremal bias, that are tested during manufacturing. The MOSFETs SEB sensitivity prediction model is presented. The model is based on the analysis of burnout bias characteristics from the datasheets. The comparison of experimental data and model prediction results is presented in the article. The figure of merit (FOM) for SEB sensitivity prediction is proposed. The optimal value of FOM for n-MOSFETs and LET 40 MeV cm2/mg is presented. So, the model helps to determine the most sensitive MOSFET transistors before expensive testing done.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Single Event Burnout Sensitivity Prediction Based on Commercial MOSFET Electrical Characteristics Analysis / Kessarinskiy, V.S. [et al.] // SIBCON 2021 - International Siberian Conference on Control and Communications. - 2021. - 10.1109/SIBCON50419.2021.9438864
URI
https://www.doi.org/10.1109/SIBCON50419.2021.9438864
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85107629165&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000680842100015
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24215
Коллекции
Публикации