Publication:
Real-Time Technique for Semiconductor Material Parameter Measurement Under Continuous Neutron Irradiation with High Integral Fluence

Файлы
electronics-14-03802.pdf(1.99 MB)
Дата
2025
Авторы
Vasil'evskii, I. S.
Klochkov, A. N.
Nekrasov, P. V.
Vinichenko, A. N.
Kargin, N. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Real-Time Technique for Semiconductor Material Parameter Measurement Under Continuous Neutron Irradiation with High Integral Fluence / Vasil'evskii, I. S. [et al.] // Electronics (Switzerland). - 2025. - 14. - № 19. - 10.3390/electronics14193802
URI
https://www.doi.org/10.3390/electronics14193802
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-105019047971&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/39733
Коллекции
Публикации