Персона: Усачев, Николай Александрович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе.
Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.
Статус
Фамилия
Усачев
Имя
Николай Александрович
Имя
20 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 20
- ПубликацияТолько метаданныеA SINGLE POWER SUPPLY 0.1-3.5 GHZ LOW NOISE AMPLIFIER DESIGN USING A LOW COST 0.5 mu M D-MODE PHEMT PROCESS(2020) Sotskov, D.; Elesin, V.; Kuznetsov, A.; Usachev, N.; Zidkov, N.; Nikiforov, A.; Сотсков, Денис Иванович; Елесин, Вадим Владимирович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Усачев, Николай Александрович; Жидков, Никита Михайлович; Никифоров, Александр ЮрьевичDesign and testing results of a single power supply wide-band low noise amplifier (LNA) based on low cost 0.5 mu m D-mode pHEMT process are presented. It is shown that the designed cascode LNA has operating frequency range up to 3.5 GHz, power gain above 15 dB, noise figure below 2.2 dB, output linearity above 17 dBm and power consumption less than 325 mW. Potential immunity of the LNA to total ionizing dose and destructive single event effects exceed 300 krad and 60 MeV center dot cm(2)/mg respectively.
- ПубликацияТолько метаданныеSOI CMOS, SiGe BiCMOS, GaAs HBT and GaAs PHEMT Technologies Characterization for Radiation-Tolerant Microwave Applications(2021) Sotskov, D. I.; Kuznetsov, A. G.; Elesin, V. V.; Usachev, N. A.; Chukov, G. V.; Nikiforov, A. Y.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Елесин, Вадим Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Чуков, Георгий Викторович; Никифоров, Александр Юрьевич© 2021 IEEE.Radiation-oriented (RO-) and microwave (MW) characterization of the several process technologies - CMOS silicon-on-insulator (SOI) 180 nm process, CMOS 90 nm process, SiGe BiCMOS 0.42/0.25 μm process, GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) 2 μm process and GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) 0.5 μm process, which suitable for the development of radiation-tolerance transceiver integrated circuits with operating frequencies up to 30 GHz are presented. The results of MW-characterization showed two process technologies manufacturing in "foundry"mode - CMOS SOI 180 nm and CMOS 90 nm potentiality for the development of transceiver ICs with operating frequencies above 3 GHz and 12 GHz respectively. Obtained experimental results allow to determine radiation-tolerance indicators for the total ionizing dose, neutrons, impulse exposure and heavy ions and specify critical elements and IP-block fragments for given processes. Experimental data can be used at the first step of reasonable choice of process technologies for radiation-tolerant transceiver design.
- ПубликацияТолько метаданныеComparative Analysis of Millimeter-Wave Transceivers for 5G Applications(2022) Usachev, N.; Sotskov, D.; Zhidkov, N.; Elesin, V.; Усачев, Николай Александрович; Сотсков, Денис Иванович; Жидков, Никита Михайлович; Елесин, Вадим Владимирович© 2022 IEEE.High data rate and low latency are the key parameters of a fifth-generation (5G) mobile network. Millimeter-wave transceiver integrated circuits (IC) are the important building blocks of a remote radio unit that determine the commination distance and consume the significant value of power. Transceiver ICs include beamformer and frequency converter paths. Active phased antenna arrays with a size of up to 256 elements are employed to improve radio channel efficiencies such as data rate and operating range. In this work, a brief review of the 5G beamformer millimeter-wave transceivers ICs implemented in SiGe BiCMOS and CMOS processes is presented. A variety of examples of transceivers IC with a frequency range from 24 to 30 GHz are compared in terms of the Figure of merit (FOM). It's shown that the CMOS transceiver ICs has a maximum FOM of 1.2 ċ 1018Hz/W.
- ПубликацияТолько метаданныеA Practical Approach to Underground UHF Channel Characterization(2021) Elesina, V. V.; Kuznetsov, A. G.; Chukov, G. V.; Elesin, V. V.; Usachev, N. A.; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Чуков, Георгий Викторович; Елесин, Вадим Владимирович; Усачев, Николай Александрович© 2021 IEEE.Radio frequency identification systems (RFID) are widely used for monitoring and localization of underground infrastructure objects: pipelines, power, and communication networks. Wireless underground sensor networks (WUSN) are the promising application areas that cover a number of fields: agriculture, mining, environmental control, etc. A progress in semiconductor technologies has opened up new opportunities for developing cheap and compact monolithic ultra-high frequency (UHF) receiver and transmitter integrated circuits - basic building blocks of RFID and WUSN systems. Read range (RR), the path loss (PL) and the bit error rate (BER) are the main characteristics of RFID and WUSN communication channel. The dielectric properties of the soil, determined by the composition and moisture, affect the electromagnetic wave (EMW) propagation that leads to significant PL and limits RR. In this work, a practical approach to UHF underground channel characterization, based on the modified Friis model and the vector network measurements is proposed. The modeling and measurements issues are discussed, that are important for the path loss prediction in the soil with different composition and moisture.
- ПубликацияОткрытый доступLong-term transient radiation effects in high-speed signal switches implemented in 0.1 um E/D pHEMT process(2019) Kuznetsov, A.; Elesin, V.; Usachev, N.; Chukov, G.; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Елесин, Вадим Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Чуков, Георгий ВикторовичThe transient radiation effects in 0.1 mu m E/D pHEMT high-speed signal switches have been investigated. It was shown that a signal switch transient recovery time caused by pulsed irradiation can exceed 100 ms due to a switch control driver's functional upset.
- ПубликацияОткрытый доступМЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ МИКРОСХЕМЫ РАДИОЧАСТОТНОЙ МЕТКИ СИСТЕМ ЦИФРОВОЙ МАРКИРОВКИ И ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ КРИТИЧЕСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ(НИЯУ МИФИ, 2024) Сотсков, Д. И.; Котов, В. Н.; Зубаков, А. В.; Усачев, Н. А.; Никифоров, А. Ю.; Бойченко, Д. В.; Сотсков, Денис Иванович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр Юрьевич; Зубаков, Алексей Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий ВладимировичПредставлена методика проектирования основной части блока управления питанием (БУП) микросхемы радиочастотной метки (РЧМ) УВЧ-диапазона. Методика представляет собой пошаговый алгоритм проектирования БУП и состоит из пяти взаимосвязанных этапов. На первом этапе осуществляется формирование требований к параметрам БУП (выходное напряжение, мощность постоянного тока на выходе, коэффициент полезного действия, емкость выходного конденсатора) и значению добротности аналогового тракта РЧМ. На втором этапе осуществляется проектирование электрической схемы умножителя напряжения (УН), предназначенного для преобразования напряжения входного радиочастотного (РЧ) сигнала в нестабилизированное постоянное напряжение. В ходе третьего этапа осуществляется проектирование электрической схемы ограничителя постоянного напряжения, необходимого для снижения уровня выходного напряжения УН до безопасного уровня. Результатом выполнения четвертого этапа является электрическая схема защиты от перенапряжения, предназначенной для обеспечения требуемого уровня стойкости микросхемы РЧМ к воздействию электростатического разряда и РЧ сигнала высокой мощности. В рамках заключительного этапа осуществляется оценка и приведение в соответствие с требуемым значением добротности аналогового тракта РЧМ. Предложенная методика может быть использована для оперативной разработки отечественных микросхем РЧМ УВЧ-диапазона (стандарты ISO 18000-6C, GJB 7377.1 и др.) на основе КМОП технологических процессов, в т.ч. микросхем РЧМ, предназначенных для применения на объектах критической инфраструктуры. С использованием представленной методики выполнено проектирование БУП с расчетным значением коэффициента полезного действия 70%, оценочной добротностью аналогового тракта РЧМ менее 15 при мощности входного РЧ сигнала 12,7 дБм.
- ПубликацияОткрытый доступВПЕЧАТЛЕНИЯ УЧАСТНИКОВ МЕЖДУНАРОДНОГО ВОЕННО-ТЕХНИЧЕСКОГО ФОРУМА «АРМИЯ-2024»(НИЯУ МИФИ, 2024) Никифоров, А. Ю.; Усачев, Н. А.; Ермаков, А В.; Никифоров, Александр Юрьевич; Усачев, Николай Александрович; Ермаков, Александр ВикторовичВ период с 12 по 14 августа в КВЦ «Патриот» прошел Международный военно-технический Форум «АРМИЯ-2024». Согласно официальным данным, в работе Форума приняли участие делегации оборонных ведомств более 80 иностранных государств, а также 110 официальных военных делегаций и предприятий иностранных государств. Форум включал в себя научно-деловую программу, протокольные и культурно-художественные мероприятия. Организатором Форума традиционно выступило Минобороны России, генеральными партнерами выступили: Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Холдинг «Вертолеты России», АО «Технодинамика». Открыли работу Форума в своем видеообращении Президент России В.В. Путин, и выступления Министра обороны России А.Р. Белоусова, Министра промышленности и торговли А.А. Алиханова, Министра обороны Республики Беларусь В.Г. Хренина. Более 1,5 тыс. отечественных и зарубежных предприятий и организаций представили свыше 28 тыс. образцов продукции военного и двойного назначения в виде натурных образцов, макетов и рекламно-информационных материалов. Национальные экспозиции представили Белоруссия, Иран и Китай.
- ПубликацияТолько метаданныеThe 4 Watt UHF VDMOS Power Amplifier for Space Applications(2023) Ermakov, A. V.; Sotskov, D. I.; Amburkin, D. M.; Usachev, N. A.; Boychenko, D. V.; Ермаков, Александр Викторович; Сотсков, Денис Иванович; Амбуркин, Дмитрий Михайлович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
- ПубликацияОткрытый доступЭлементы и функциональные блоки кремний-германиевых БиКМОП сверхвысокочастотных приемо-передающих интегральных микросхем(НИЯУ МИФИ, 2015) Усачев, Н. А.; Усачев, Николай Александрович; Елесин, В. В.
- ПубликацияОткрытый доступСПЕЦИАЛИЗИРОВАННАЯ СВЧ БИБЛИОТЕКА ДЛЯ РАЗРАБОТКИ ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩЕЙ ДОВЕРЕННОЙ ЭКБ(2023) Сотсков, Д. И. ; Зубаков, А. В. ; Усачев, Н. А. ; Жидков, Н. М. ; Кузнецов, А. Г. ; Ермаков, А. В. ; Никифоров, А. Ю. ; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Жидков, Никита Михайлович; Усачев, Николай Александрович; Сотсков, Денис Иванович; Ермаков, Александр Викторович; Зубаков, Алексей Владимирович; Никифоров, Александр ЮрьевичПредставлены результаты проектирования специализированной СВЧ библиотеки базовых элементов, предназначенной для использования в рамках отечественного КМОП технологического процесса с проектной нормой 180 нм. Библиотека включает в своем составе набор радиочастотных МОП-транзисторов для усилительного и ключевого применения, варикапы на основе МОП-структур трех типов, спиральные катушки индуктивности, МДМ-конденсаторы и прочие элементы. Библиотека предназначена для использования совместно с САПР Cadence Virtuoso IC и ориентирована на создание комплекта усилительных, генераторных и преобразовательных СВЧ сложно-функциональных блоков, а также блоков управления фазой и амплитудой сигнала приемопередающей ЭКБ. С использованием представленной библиотеки спроектирован тестовый кристалл, предназначенный для проведения исследований зондовыми методами и содержащий 13 типов базовых элементов и вспомогательные структуры для СВЧ-характеризации отечественного КМОП технологического процесса 180 нм.