Персона:
Усачев, Николай Александрович

Научные группы

Научная группа

Научно-исследовательская лаборатория «Разработка компонентов изделий твердотельной аналого-цифровой СВЧ электроники доверенного и экстремального назначения»

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Фамилия

Усачев

Имя

Николай Александрович

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 20

Открытый доступ
ВПЕЧАТЛЕНИЯ УЧАСТНИКОВ XVII МЕЖДУНАРОДНОГО НАВИГАЦИОННОГО ФОРУМА И ВЫСТАВКИ «СВЯЗЬ-2024»
(НИЯУ МИФИ, 2024) Усачев, Н. А.; Ермаков, А. В.; Землеруб, А. К.; Усачев, Николай Александрович
24 апреля 2024 г. на базе площадки ЦВК «Экспоцентр» прошел XVII Международный навигационный Форум и Конгресс «Сфера» (https://glonass-forum.ru/), который является ключевым событием в мире навигационных и смежных технологий и решений на основе ГНСС-систем для задач в областях транспортной логистики, промышленности, сельского хозяйства, геодезии и многих других. В работе Форума в этом году приняли участие порядка 500 представителей из более чем 500 компаний.
Открытый доступ
ВПЕЧАТЛЕНИЯ УЧАСТНИКОВ МЕЖДУНАРОДНОГО ВОЕННО-ТЕХНИЧЕСКОГО ФОРУМА «АРМИЯ-2024»
(НИЯУ МИФИ, 2024) Никифоров, А. Ю.; Усачев, Н. А.; Ермаков, А В.; Никифоров, Александр Юрьевич; Усачев, Николай Александрович; Ермаков, Александр Викторович
В период с 12 по 14 августа в КВЦ «Патриот» прошел Международный военно-технический Форум «АРМИЯ-2024». Согласно официальным данным, в работе Форума приняли участие делегации оборонных ведомств более 80 иностранных государств, а также 110 официальных военных делегаций и предприятий иностранных государств. Форум включал в себя научно-деловую программу, протокольные и культурно-художественные мероприятия. Организатором Форума традиционно выступило Минобороны России, генеральными партнерами выступили: Концерн ВКО «Алмаз-Антей», Холдинг «Вертолеты России», АО «Технодинамика». Открыли работу Форума в своем видеообращении Президент России В.В. Путин, и выступления Министра обороны России А.Р. Белоусова, Министра промышленности и торговли А.А. Алиханова, Министра обороны Республики Беларусь В.Г. Хренина. Более 1,5 тыс. отечественных и зарубежных предприятий и организаций представили свыше 28 тыс. образцов продукции военного и двойного назначения в виде натурных образцов, макетов и рекламно-информационных материалов. Национальные экспозиции представили Белоруссия, Иран и Китай.
Открытый доступ
ВПЕЧАТЛЕНИЯ УЧАСТНИКА XIII ВСЕРОССИЙСКОЙ НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ «ПРОБЛЕМЫ ОБЕСПЕЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ ПРЕДПРИЯТИЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ПУТИ ИХ РЕШЕНИЯ»
(НИЯУ МИФИ, 2024) Усачев, Н. А.; Усачев, Николай Александрович
В период с 22 по 23 августа 2024 г. в конференц-зале на борту теплохода «Анна Каренина» прошла XIII всероссийская научно-техническая конференция «Проблемы обеспечения электронной компонентной базы предприятий промышленности и пути их решения». В работе конференции, которая является ежегодным событием, приняли участие более 90 руководителей и специалистов из более 50 ведущих предприятий отрасли – разработчиков электронной компонентной базы (ЭКБ) и радиоэлектронной аппаратуры, испытательных центров, сертифицированных поставщиков ЭКБ и контрольно-измерительного оборудования. Организатором конференции традиционно выступило АО «Тестприбор» (https://www.test-expert.ru/press-center/conference/konferentsiya-ekb-2024). Среди ключевых участников следует отметить ГК «Росатом», АО «НИИП», АО «НИИ КП», АО «Тестприбор», ООО «ГК «Трансвит», Минобороны России, АО «НПФ Диполь», АО «ИТЦ-НПО ПМ», АО «ПКК Миландр», АО «РИЦ «Техносфера», АО «ДЦ «Кристалл», АО «ИСС» им. академика М.Ф. Решетнёва», ООО «Прогноз-РС», АО «НИИЭТ», АО «Спецэлектрокомплект», АО «ЦКБ МТ «Рубин», АО «Обуховский завод», АО «Корпорация «ВНИИЭМ», «АО «НПП «Оптэкс», АО «РКС», АО «Морион», АО «ЭНПО СПЭЛС», ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН, АО «НИИМА Прогресс», АО «НПП «Завод Искра», АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф. Стельмаха», АО «Орбита» и др.
Только метаданные
Displacement Damage Effects Mitigation Approach for Heterojunction Bipolar Transistor Frequency Synthesizers
(2020) Sotskov, D. I.; Elesin, V. V.; Kuznetsov, A. G.; Zhidkov, N. M.; Metelkin, I. O.; Amburkin, K. M.; Amburkin, D. M.; Usachev, N. A.; Boychenko, D. V.; Elesina, V. V.; Сотсков, Денис Иванович; Елесин, Вадим Владимирович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Жидков, Никита Михайлович; Амбуркин, Константин Михайлович; Амбуркин, Дмитрий Михайлович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
© 1963-2012 IEEE.This work focuses on the design issues of radio frequency (RF) bipolar integrated circuits (ICs) as a part of frequency synthesizers for extreme environmental applications. It is shown that silicon-germanium (SiGe) and gallium arsenide (GaAs) heterojunction bipolar transistors (HBTs) as well as bipolar RF ICs (including frequency dividers, voltage-controlled oscillators, and wide-band amplifiers) are highly sensitive to ambient temperature and radiation-induced displacement damage. This article also presents a design approach based on specialized HBT macromodels and hardening techniques.
Только метаданные
D-mode pHEMT 0.5 um Process Characterization to Wide-Band LNA Design
(2019) Sotskov, D. I.; Usachev, N. A.; Elesin, V. V.; Kuznetsov, A. G.; Amburkin, K. M.; Chukov, G. V.; Titova, M. I.; Zidkov, N. M.; Сотсков, Денис Иванович; Усачев, Николай Александрович; Елесин, Вадим Владимирович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Амбуркин, Константин Михайлович; Чуков, Георгий Викторович; Жидков, Никита Михайлович
© 2019 IEEE.Results of domestic D-mode pHEMT 0.5 μm process characterization obtained during the design and testing of the single power supply wide-band low noise amplifier (LNA) are present. The simulation and test results demonstrate that designed cascode LNA has operating frequency range up to 3.5 GHz, power gain above 15 dB, noise figure below 2.2 dB, output linearity above than 17 dBm and power consumption less than 325 mW. Potential immunity of LNA to total ionizing dose and destructive single event effects exceed 300 krad and 60 MeV·cm2/mg respectively.
Только метаданные
Investigation of transient radiation effects in GaAs field effect transistors under pulse ionization
(2019) Metelkin, I. O.; Elesin, V. V.; Kuznetsov, A. G.; Usachev, N. А.; Елесин, Вадим Владимирович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Усачев, Николай Александрович
© 2019 IEEE.Measurements and numerical simulation results of GaAs MESFET and PHEMT response to transient irradiation for wide range of ionization levels and bias conditions are presented. It was shown that specific bias conditions and ionization levels can be found for detail separate investigation of channel current change and bipolar-like amplification effects. Simple Shockley FET model was found to be applicable to analyze channel current change due to photovoltage occurrence at channel-buffer junction.
Только метаданные
SiGe BiCMOS Voltage-Controlled Oscillator and Mixer IP-blocks for the Next-Generation Communication Transceivers
(2021) Selishchev, I. A.; Sotskov, D.; Kuznetsov, A. G.; Usachev, N. A.; Elesin, V. V.; Kotov, V. N.; Balbekov, A. O.; Сотсков, Денис Иванович; Кузнецов, Александр Геннадьевич; Усачев, Николай Александрович; Елесин, Вадим Владимирович; Котов, Владислав Николаевич
© 2021 IEEE.Design and testing results of I/Q mixer and voltage-controlled oscillator IP-blocks for application in 5G communications are presented. IP-blocks were implemented in a commercial 0.42/0.25 µm SiGe BiCMOS process. The test results demonstrate that designed mixer has a conversion gain of more than 5.5 dB in the operating RF frequency range from 25.5 GHz to 26.5 GHz and IF frequency range from 1 GHz to 2 GHz, power consumption less than 235 mW. The designed voltage-controlled oscillator has an operating frequency range from 20.8 GHz to 24.6 GHz in the control voltage range from 0 V to 4 V, the output power is not less than 6 dBm, power consumption is less than 116 mW.
Только метаданные
Compact Models for Radiation Hardening by Design of SiGe BiCMOS, GaAs and SOI CMOS Microwave Circuits
(2021) Sotskov, D. I.; Usachev, N. A.; Elesin, V. V.; Metelkin, I. O.; Zhidkov, N. M.; Nikiforov, A. Y.; Сотсков, Денис Иванович; Усачев, Николай Александрович; Елесин, Вадим Владимирович; Жидков, Никита Михайлович; Никифоров, Александр Юрьевич
© 2021 IEEE.Compact models of silicon-germanium and gallium-arsenide heterojunction bipolar transistors, gallium-arsenide pseudomorphic high electron mobility transistor, and silicon on insulator field-effect transistor radiation responses are presented. Special subcircuits for modeling displacement damages, dose rate, and total ionizing dose effects are connected to the standard device models. Models based on core VBIC, EEHEMT and BSIM provided by semiconductor foundry as a part of process design kit and verified in a frequency range from DC to 26 GHz and suitable for small signal and non-linear simulation. Radiation-dependent parameters are described by physically based equations which compatible with proprietary simulators. Examples of radiation-hardening by design techniques for microwave monolithic integrated circuits (MMIC) are presented with standard computer-aided design (CAD) tools. Proposed models were verified by estimating static and dynamic characteristics of transistors. Disagreement of experimental and simulation results are less than 20% that makes it useful and efficient tool for MMIC radiation hardening by design.
Открытый доступ
МЕТОДИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ МИКРОСХЕМЫ РАДИОЧАСТОТНОЙ МЕТКИ СИСТЕМ ЦИФРОВОЙ МАРКИРОВКИ И ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ КРИТИЧЕСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ
(НИЯУ МИФИ, 2024) Сотсков, Д. И.; Котов, В. Н.; Зубаков, А. В.; Усачев, Н. А.; Никифоров, А. Ю.; Бойченко, Д. В.; Сотсков, Денис Иванович; Котов, Владислав Николаевич; Никифоров, Александр Юрьевич; Зубаков, Алексей Владимирович; Усачев, Николай Александрович; Бойченко, Дмитрий Владимирович
Представлена методика проектирования основной части блока управления питанием (БУП) микросхемы радиочастотной метки (РЧМ) УВЧ-диапазона. Методика представляет собой пошаговый алгоритм проектирования БУП и состоит из пяти взаимосвязанных этапов. На первом этапе осуществляется формирование требований к параметрам БУП (выходное напряжение, мощность постоянного тока на выходе, коэффициент полезного действия, емкость выходного конденсатора) и значению добротности аналогового тракта РЧМ. На втором этапе осуществляется проектирование электрической схемы умножителя напряжения (УН), предназначенного для преобразования напряжения входного радиочастотного (РЧ) сигнала в нестабилизированное постоянное напряжение. В ходе третьего этапа осуществляется проектирование электрической схемы ограничителя постоянного напряжения, необходимого для снижения уровня выходного напряжения УН до безопасного уровня. Результатом выполнения четвертого этапа является электрическая схема защиты от перенапряжения, предназначенной для обеспечения требуемого уровня стойкости микросхемы РЧМ к воздействию электростатического разряда и РЧ сигнала высокой мощности. В рамках заключительного этапа осуществляется оценка и приведение в соответствие с требуемым значением добротности аналогового тракта РЧМ. Предложенная методика может быть использована для оперативной разработки отечественных микросхем РЧМ УВЧ-диапазона (стандарты ISO 18000-6C, GJB 7377.1 и др.) на основе КМОП технологических процессов, в т.ч. микросхем РЧМ, предназначенных для применения на объектах критической инфраструктуры. С использованием представленной методики выполнено проектирование БУП с расчетным значением коэффициента полезного действия 70%, оценочной добротностью аналогового тракта РЧМ менее 15 при мощности входного РЧ сигнала 12,7 дБм.
Открытый доступ
ДОВЕРЕННЫЙ УВЧ ТРАКТ ПРИЕМНИКА СИСТЕМ ЦИФРОВОЙ МАРКИРОВКИ И ИДЕНТИФИКАЦИИ ОБЪЕКТОВ КРИТИЧЕСКОЙ ИНФРАСТРУКТУРЫ
(НИЯУ МИФИ, 2023) Сотсков, Д. И.; Зубаков, А. В.; Усачев, Н. А.; Ермаков, А. В.; Никифоров, А. Ю.; Никифоров, Александр Юрьевич; Ермаков, Александр Викторович; Сотсков, Денис Иванович; Зубаков, Алексей Владимирович; Усачев, Николай Александрович
Представлены результаты проектирования сложно-функциональных блоков из состава УВЧ тракта приемника систем цифровой маркировки и идентификации – малошумящего усилителя, квадратурного демодулятора и видеоусилителя со встроенным фильтром нижних частот, предназначенных для изготовления по отечественной КМОП технологии 180 нм. Малошумящий усилитель выполнен с интегрированной схемой шунтирования входа и включает также два переключателя сигналов с одним входом и двумя выходами, реализованных на основе МОП-транзисторов. Применение данного подхода позволило увеличить значение верхней границы линейности по входу УВЧ тракта приемника на величину не менее 30 дБ при увеличении значения интегрального коэффициента шума. Квадратурный демодулятор выполнен по классической схеме построения – в качестве смесительного ядра использовано пассивное кольцо на МОП-транзисторах. Видеоусилитель с программируемым коэффициентом усиления реализован совместно с интегрированным фильтром нижних частот, построенным на основе биквадратных звеньев Тоу-Томаса. Сложно-функциональные блоки предназначены для разработки приемопередающих СБИС считывателей с чувствительностью не более -75 дБм и верхней границей линейности амплитудной характеристики по входу в режиме «Talk» не менее 10 дБм. Характеристики доверенности приемного тракта обеспечиваются за счет применения собственных схемно-топологических решений, предполагающих верификацию в ходе экспериментальных исследований и испытаний кристаллов. Значения электрических параметров рассматриваемого в настоящей работе приемного тракта соответствуют зарубежным аналогам, выполненным по КМОП технологиям со схожими проектными нормами. Таким образом, актуальным является создание на основе рассматриваемой приемопередающей СБИС отечественных считывателей стандарта ISO 18000-6C, предназначенных для применения на объектах критической инфраструктуры.