Publication:
Investigation of transient radiation effects in GaAs field effect transistors under pulse ionization

Дата
2019
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.Measurements and numerical simulation results of GaAs MESFET and PHEMT response to transient irradiation for wide range of ionization levels and bias conditions are presented. It was shown that specific bias conditions and ionization levels can be found for detail separate investigation of channel current change and bipolar-like amplification effects. Simple Shockley FET model was found to be applicable to analyze channel current change due to photovoltage occurrence at channel-buffer junction.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Investigation of transient radiation effects in GaAs field effect transistors under pulse ionization / Metelkin, I.O. [et al.] // 2019 19th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2019. - 2019. - 10.1109/RADECS47380.2019.9745656
Коллекции