Publication:
Compact Models for Radiation Hardening by Design of SiGe BiCMOS, GaAs and SOI CMOS Microwave Circuits

Дата
2021
Авторы
Sotskov, D. I.
Usachev, N. A.
Elesin, V. V.
Metelkin, I. O.
Zhidkov, N. M.
Nikiforov, A. Y.
Жидков, Никита Михайлович
Показать ещё 1
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.Compact models of silicon-germanium and gallium-arsenide heterojunction bipolar transistors, gallium-arsenide pseudomorphic high electron mobility transistor, and silicon on insulator field-effect transistor radiation responses are presented. Special subcircuits for modeling displacement damages, dose rate, and total ionizing dose effects are connected to the standard device models. Models based on core VBIC, EEHEMT and BSIM provided by semiconductor foundry as a part of process design kit and verified in a frequency range from DC to 26 GHz and suitable for small signal and non-linear simulation. Radiation-dependent parameters are described by physically based equations which compatible with proprietary simulators. Examples of radiation-hardening by design techniques for microwave monolithic integrated circuits (MMIC) are presented with standard computer-aided design (CAD) tools. Proposed models were verified by estimating static and dynamic characteristics of transistors. Disagreement of experimental and simulation results are less than 20% that makes it useful and efficient tool for MMIC radiation hardening by design.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Compact Models for Radiation Hardening by Design of SiGe BiCMOS, GaAs and SOI CMOS Microwave Circuits / Sotskov, D.I. [et al.] // SIBCON 2021 - International Siberian Conference on Control and Communications. - 2021. - 10.1109/SIBCON50419.2021.9438867
URI
https://www.doi.org/10.1109/SIBCON50419.2021.9438867
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85107635700&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000680842100018
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/24209
Коллекции
Публикации