Publication:
Displacement Damage Effects Mitigation Approach for Heterojunction Bipolar Transistor Frequency Synthesizers

Дата
2020
Авторы
Sotskov, D. I.
Elesin, V. V.
Kuznetsov, A. G.
Zhidkov, N. M.
Metelkin, I. O.
Amburkin, K. M.
Amburkin, D. M.
Usachev, N. A.
Boychenko, D. V.
Elesina, V. V.
Показать ещё 8
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт интеллектуальных кибернетических систем
Цель ИИКС и стратегия развития - это подготовка кадров, способных противостоять современным угрозам и вызовам, обладающих знаниями и компетенциями в области кибернетики, информационной и финансовой безопасности для решения задач разработки базового программного обеспечения, повышения защищенности критически важных информационных систем и противодействия отмыванию денег, полученных преступным путем, и финансированию терроризма.
Выпуск журнала
Аннотация
© 1963-2012 IEEE.This work focuses on the design issues of radio frequency (RF) bipolar integrated circuits (ICs) as a part of frequency synthesizers for extreme environmental applications. It is shown that silicon-germanium (SiGe) and gallium arsenide (GaAs) heterojunction bipolar transistors (HBTs) as well as bipolar RF ICs (including frequency dividers, voltage-controlled oscillators, and wide-band amplifiers) are highly sensitive to ambient temperature and radiation-induced displacement damage. This article also presents a design approach based on specialized HBT macromodels and hardening techniques.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Displacement Damage Effects Mitigation Approach for Heterojunction Bipolar Transistor Frequency Synthesizers / Sotskov, D.I. [et al.] // IEEE Transactions on Nuclear Science. - 2020. - 67. - № 11. - P. 2396-2404. - 10.1109/TNS.2020.3015560
URI
https://www.doi.org/10.1109/TNS.2020.3015560
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85096748495&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000591857900013
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/22627
Коллекции
Публикации