Персона: Можаев, Роман Константинович
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Можаев
Имя
Роман Константинович
Имя
10 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 10
- ПубликацияТолько метаданныеApplication of Confocal Microscopy Methods for Research and Non-destructive Examination of Semiconductor Structures and Integrated Circuits(2021) Baluev, A. A.; Ukolov, D. S.; Pechenkin, A. A.; Mozhaev, R. K.; Балуев, Арсений Андреевич; Печенкин, Александр Александрович; Можаев, Роман Константинович© 2021 IEEE.The paper discusses the features and the possibilities of the under-development scanning confocal microscope in tasks of non-destructive examination of semiconductor electronics using the method of confocal microscopy with an emphasis on the possibility of studying the material and internal structure. The described technique allows studying integrated circuits from the substrate side of integrated circuits. This work is part of a global task and is devoted to mathematical modeling of the scanning process.
- ПубликацияТолько метаданныеRadiation Hardness Evaluation of LEDs Based on InGaN, GaN and AlInGaP Heterostructures(2019) Ukolov, D. S.; Chirkov, N. A.; Mozhaev, R. K.; Pechenkin, A. A.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович© 2019 IEEE.The radiation hardness results of light emitting diodes (LED) in green, blue and red regions of the spectrum and in white, based on InGaN, GaN and AlInGaP structures are presented. The technical aspects of monitoring parameters during exposure are described, and LEDs response to various radiation exposures are given.
- ПубликацияОткрытый доступПРИМЕНЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ МАШИННОГО ЗРЕНИЯ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ СФОКУСИРОВАННОГО ЛАЗЕРНОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ В ПРОЦЕССАХ ИССЛЕДОВАНИЙ И МИКРООБРАБОТКИ(НИЯУ МИФИ, 2023) Можаев, Р. К.; Печенкин, А. А.; Цирков, А. А.; Белозеров, К. Г.; Лукашин, В. П.; Балуев, А, А.; Балуев, Арсений Андреевич; Лукашин, Владислав Павлович; Цирков, Артем Николаевич; Печенкин, Александр Александрович; Можаев, Роман КонстантиновичМашинное зрение – это область искусственного интеллекта, занимающаяся обработкой изображений и видеопотока при помощи специальных алгоритмов. Это позволяет устройствам анализировать визуальную информацию. Машинное зрение помогает в таких задачах, как распознавание образов, сегментация изображений, обнаружение объектов и слежение за ними. В микроскопии машинное зрение играет важную роль, в частности в лазерной сканирующей микроскопии (LSM). Лазерная сканирующая микроскопия, лазерное нанесение надрезов и лазерная коррекция топологии полупроводниковых кристаллов являются важными технологическими процессами в производстве, контроле и наладке полупроводниковых кристаллов, как на отладочных образцах, так и в серийных партиях пластин. Лазерное воздействие позволяет не только механически разделять кристаллы, но и осуществлять более деликатные и малоинвазивные воздействия, в частности подстройки сопротивления тонкопленочных резисторов или пережигание перемычек, необходимых для конфигурирования схемы и отключения неиспользуемых блоков кристалла. В работе проведен анализ основных параметров системы позиционирования в составе лазерной сканирующей установки, их влияние на точность сканирования и координат воздействия сфокусированным излучением в контрольных точках. Описаны принципы алгоритмов машинного зрения при работе с изображением сканируемого объекта и результаты апробации в задаче автоматизированного лазерного пережигания перемычек на полупроводниковой пластине. Поскольку число перемычек может достигать сотен тысяч, а системы позиционирования имеют значительные погрешности машинное зрение позволяет корректировать погрешности позиционирования и повысить точность лазерного воздействия на любом участке и этапе сканирования, что значительно повышает качество итогового результата лазерного воздействия.
- ПубликацияТолько метаданныеComparative Assessment of Digital and UHF Optoelectronic Transceivers Radiation Hardness(2019) Mozhaev, R. K.; Cherniak, M. E.; Pechenkin, A. A.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич© 2019 IEEE.A method for radiation hardness evaluation of digital and microwave transmitting-receiving optoelectronic modules is presented. The technical aspects of parameters monitoring during exposure are described. The most vulnerable components of optoelectronic modules are identified.
- ПубликацияТолько метаданныеPractical Evaluation of Optocouplers TID-Hardness Research Method Using an X-ray Unit(2019) Novikov, S. V.; Cherniak, M. E.; Mozhaev, R. K.; Boychenko, D. V.; Можаев, Роман Константинович; Бойченко, Дмитрий Владимирович© 2019 IEEE.The article describes an optoisolators radiation hardness testing method to the effects of absorbed dose using an x-ray unit. Technological issues and features of the research are highlighted.
- ПубликацияТолько метаданныеEvaluation of Organic Light-Emitting Diodes Total Ionizing Dose Sensitivity in Temperature Range(2021) Mozhaev, R. K.; Pechenkin, A. A.; Ukolov, D. S.; Ulanova, A. V.; Nikiforov, A. Y.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович; Уланова, Анастасия Владиславовна; Никифоров, Александр Юрьевич© 2021 IEEE.The paper presents the comparative results of spectrum degradation organic light-emitting diode with different dominant wavelengths. The diodes were exposed with stationary gamma-irradiation at room and low temperatures. The research has shown moderate degradation of the light-emission spectrum when exposed at room temperature and significant degradation at low temperature. The greatest deterioration in the optical parameters was observed for organic light-emitting diodes with blue and white light emission color.
- ПубликацияТолько метаданныеHigh-speed spectrometer based on a silicon CCD-array matrix for transient changes measuring in optical radiation spectra(2021) Minibaev, T. I.; Ukolov, D. S.; Mozhaev, R. K.; Nikiforov, A. Y.; Можаев, Роман Константинович; Никифоров, Александр Юрьевич© 2021 IEEE.The paper discusses the high-speed 400-1000nm range spectrometer based on the M150 monochromator and a silicon CCD-array matrix as a detector module. A description and general diagram of the complex is presented, consisting of the following main parts: optical part, communication, and digital and software sections. The current work considers specialized software for transmitting, processing, and outputting data management of the spectrometer through a graphical user interface which allows selecting the desired wavelength range, exposure time, and duration of the graph. The complex utilizes the FPGA hardware capabilities to process converted signals in situ, providing additional services to make optical spectra analysis easier for the operator. The main application field of the spectrometer is the research of rapid changes in the spectral characteristics of optical materials, such as optic fibers and laser-pump crystals, and products based on them when exposed to pulsed ionizing radiation. Other possible subjects of research and areas of improvement are highlighted.
- ПубликацияТолько метаданныеLaser scanning confocal IR microscopy for non-destructive testing of semiconductors(2022) Ukolov, D.; Baluev, A.; Gromova, P.; Pechenkin, A.; Mozhaev, R.; Балуев, Арсений Андреевич; Печенкин, Александр Александрович; Можаев, Роман Константинович© 2022 IEEE.The article discusses characteristics of the laser scanning confocal IR microscope being developed for applications of non-destructive testing of semiconductor structures. The existing methods and analysis facilities of integrated circuits are described. In this review, the method of laser confocal IR-microscopy is considered. The laser scanning confocal IR-microscope will make it possible to reconstruct the internal structure of an integrated circuit and identify its materials without special environmental conditions during research, for example, such as vacuum chamber or x-ray facility.
- ПубликацияТолько метаданныеNear-Infrared Electroluminescence of Silicon Thyristor Structure and Its Possible Applications(2022) Mozhaev, R.; Pechenkin, A.; Gorbunov, M.; Можаев, Роман Константинович; Печенкин, Александр Александрович© 2022 IEEE.The paper presents a review of technological approaches of near-IR electroluminescence obtained in silicon. It was proven that the radiance was not of thermal type. The electroluminescence of a thyristor structure induced by the impact of focused laser pulse is demonstrated. Examples of light-emitting structures manufactured using commonly available technologies are shown.
- ПубликацияТолько метаданныеOptical Glasses Transmittance Reduction Under Gamma Radiation Exposure at Different Temperatures(2023) Baluev, A. A.; Mozhaev, R. K.; Lukashin, V. P.; Pechenkin, A. A.; Балуев, Арсений Андреевич; Можаев, Роман Константинович; Лукашин, Владислав Павлович; Печенкин, Александр Александрович