2019, Chumakov, A. I., Bobrovsky, D. V., Pechenkin, A. A., Savchenkov, D. V., Sorokoumov, G. S., Shvetsov-Shilovskiy, I. I., Чумаков, Александр Иннокентьевич, Бобровский, Дмитрий Владимирович, Печенкин, Александр Александрович, Сорокоумов, Георгий Сергеевич, Швецов-Шиловский, Иван Иванович

© 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of research on nonstationary latchup effects (LEs) under the influence of heavy charged particles and ionizing radiation pulses, which are spontaneously counteracted depending on the operating conditions, are presented. This behavior is caused by the effects of the rail span collapse inside the complementary metal-oxide-system (CMOS) of very large scale integrated (VLSI) circuits. The experimental studies are carried out on both the ion accelerator and the laser facilities.

2020, Shvetsov-Shilovskiy, I. I., Chumakov, A. I., Pechenkin, A. A., Bobrovsky, D. V., Швецов-Шиловский, Иван Иванович, Чумаков, Александр Иннокентьевич, Печенкин, Александр Александрович, Бобровский, Дмитрий Владимирович

This article concerns experimental and simulation results on nonstable latchups (SLs) in CMOS integrated circuits (ICs) under pulsed laser irradiation. Different transient responses in elements of the p-n-p-n structure and irregular ionization distribution on the IC surface are the main reasons for non-SLs. Radiation experimental test results are presented as well as a discussion of non-SL mechanisms.

2021, Novikov, A. A., Shvetsov-Shilovskiy, I. I., Oblova, E. N., Pechenkin, A. A., Chumakov, A. I., Швецов-Шиловский, Иван Иванович, Печенкин, Александр Александрович, Чумаков, Александр Иннокентьевич

© 2021 IEEE.In an Integrated Circuit with high SEL holding voltage, pulsed-laser radiation sensitivity was found to change due to TID irradiation. The impact of TID on the DUT SEL holding voltage and SEL sensitivity was investigated.

2025, Бобровский, Д. В., Швецов-Шиловский, И. И., Соловьев, С. А., Чумаков, А. И., Сыресин, Е. М., Сливин, А. А., Филатов, Г. А., Соловьев, Сергей Александрович, Чумаков, Александр Иннокентьевич, Бобровский, Дмитрий Владимирович, Швецов-Шиловский, Иван Иванович

В работе проводится анализ возможной области применения стенда «СОЧИ» на базе линейного ускорителя тяжелых ионов (ЛУТИ) для целей контроля неизменности топологии кристалла в целях обеспечения доверенности ЭКБ. Одна из характеристик интегральной схемы (ИС), определяющаяся топологией и проектными нормами – чувствительность к воздействию тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) по тиристорному эффекту и сбоям. Показано, что даже незначительные и не всегда заметные изменения топологии интегральной схемы могут приводить к резким изменениям параметров чувствительности по тиристорным эффектам (ТЭ), тогда как по одиночным сбоям изменения имеют место при изменении проектных норм и библиотечных элементов. Импульсный характер пучка на стенде «СОЧИ» не позволяют проводить испытания только очень чувствительных ЭКБ к воздействию ТЗЧ по тиристорному эффекту в количественном выражении (определение сечения эффекта), однако даже в этом случае возможно определять пороговое значение линейных потерь энергии возникновения ТЭ. Во всех других случаях параметры чувствительности ИС по одиночным радиационным эффектам могут быть определены.

2021, Shvetsov-Shilovskiy, I. I., Chumakov, A. I., Pechenkin, A. A., Bobrovsky, D. V., Швецов-Шиловский, Иван Иванович, Чумаков, Александр Иннокентьевич, Печенкин, Александр Александрович, Бобровский, Дмитрий Владимирович

© 2021 IEEE.The paper concerns experimental results on external conditions such as temperature, voltage supply, current limit, and features of the power circuit on latchup occurrence under uniform laser irradiation.