Персона:
Каргин, Николай Иванович

Организационные подразделения

Организационная единица

Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике

Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.

Статус

Проректор, директор Центра радиофотоники и СВЧ-технологий, доктор технических наук.

Фамилия

Каргин

Имя

Николай Иванович

Полная страница элемента

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 106

Только метаданные
Search for an exotic S =-2, Q =-2 baryon resonance in proton-proton interactions at root S-N(N)=17.3 GeV
(2020) Aduszkiewicz, A.; Andronov, E. V.; Anticic, T.; Babkin, V.; Brandin, A.; Golosov, O.; Kargin, N.; Kashirin, E.; Morozov, S.; Selyuzhenkov, I.; Strikhanov, M.; Taranenko, A.; Брандин, Андрей Владимирович; Голосов, Олег Владимирович; Каргин, Николай Иванович; Стриханов, Михаил Николаевич; Тараненко, Аркадий Владимирович
Pentaquark states have been extensively investigated theoretically in the context of the constituent quark model. In this paper results of an experimental search for pentaquarks in the Xi(-) pi(-), Xi(-) pi(+), (Xi) over bar (+) pi(-) and (Xi) over bar (+) pi(+) invariant mass spectra in proton-proton interactions at root s = 17.3 GeV are presented. Previous possible evidence from the NA49 collaboration of the existence of a narrow Xi(-) pi(-) baryon resonance in p + p interactions is not confirmed with almost 10 times greater event statistics. The search was performed using the NA61/SHINE detector which reuses the main components of the NA49 apparatus. No signal was observed with either the selection cuts of NA49 or newly optimized cuts.
Только метаданные
Low temperature injected-caused charge carrier instability in n-type silicon below insulator-to-metal transition
(2020) Danilyuk, A. L.; Prischepa, S. L.; Trafimenko, A. G.; Fedotov, A. K.; Kargin, N. I.; Прищепа, Сергей Леонидович; Каргин, Николай Иванович
We report on the electric transport properties of Si heavily doped with Sb at concentration just below the insulator-to-metal transition in the temperature range 1.9-3.0 K for current density J < 0.2 A cm(-2). The change in the sign of the temperature dependence of the differential resistivity was observed: the d/dT is positive if J < 0.045 A cm(-2) whereas it becomes negative at J > 0.045 A cm(-2). The effect is explained assuming the exchange by electrons between the upper Hubbard band (UHB) and the conduction band. The obtained J dependencies of the activation energy, nonequilibrium concentration, mobility and scattering time of the conduction electrons correspond well to this hypothesis. The reason for charge instability is the Coulomb repulsion between electrons occupying states both in the UHB and conduction band. The estimated J dependencies of the conduction electrons lifetime and concentration of the D- states in the UHB strongly supports this assumption.
Открытый доступ
Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом
(НИЯУ МИФИ, 2024) Рыжук, Р. В.; Гусев, А. С.; Каргин, Н. И.; Рындя, С. М.; Калошин, М. М.; Катков, А. В.; Цунваза, Д. М.; Захарченко, Р. В.; Рындя, Сергей Михайлович; Рыжук, Роман Валериевич; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович
Изобретение относится к приборам твердотельной электроники, и в частности к конструкции силового транзистора на основе соединений нитридов III группы. Силовой транзистор на основе AlN/GaN гетероструктуры с 2D электронным газом состоит из подложки, буферного слоя GaN, нанесенного на подложку, ультратонкого барьерного слоя AlN ультратонкий не более 7, нанесенного на буферный слой, защитного верхнего слоя GaN, нанесенного на барьерный слой, электродов истока, затвора и стока, нанесенных на защитный слой и пространственно отделенных друг от друга, пассивирующего слоя Si3N4, нанесенного на защитный слой между электродами, а также металлизации полевой пластины, нанесенной на пассивирующий слой и электрически соединенной с затвором, при этом расстояние между затвором и стоком, а также длина полевой пластины - взаимосвязанные величины, подобранные исходя из требуемого значения напряжения пробоя. Изобретение обеспечивает получение силового транзистора на основе III-нитридной гетероструктуры, характеризующейся величиной слоевого сопротивления менее 250 Ом/□, с топологией, обеспечивающей напряжение пробоя более 100 В. 4 ил.
Только метаданные
Measurements of Ξ (1530) and Ξ ¯ (1530) production in proton–proton interactions at √sNN = 17.3 GeV in the NA61/SHINE experiment
(2021) Acharya, A.; Adhikary, H.; Allison, K. K.; Amin, N.; Brandin, A.; Golosov, O.; Kargin, N.; Kashirin, E.; Morozov, S.; Selyuzhenkov, I.; Strikhanov, M.; Taranenko, A.; Брандин, Андрей Владимирович; Голосов, Олег Владимирович; Каргин, Николай Иванович; Стриханов, Михаил Николаевич; Тараненко, Аркадий Владимирович
© 2021, The Author(s).Double-differential yields of Ξ (1530) and Ξ ¯ (1530) resonances produced in p+p interactions were measured at a laboratory beam momentum of 158 GeV/c. This measurement is the first of its kind in p+p interactions below LHC energies. It was performed at the CERN SPS by the NA61/SHINE collaboration. Double-differential distributions in rapidity and transverse momentum were obtained from a sample of 26 × 10 6 inelastic events. The spectra are extrapolated to full phase space resulting in mean multiplicity of Ξ (1530) (6.73 ± 0.25 ± 0.67) × 10 - 4 and Ξ ¯ (1530) (2.71 ± 0.18 ± 0.18) × 10 - 4. The rapidity and transverse momentum spectra and mean multiplicities were compared to predictions of string-hadronic and statistical model calculations.
Только метаданные
Anisotropy of Assemblies of Densely Packed Co-Alloy Nanoparticles Embedded in Carbon Nanotubes
(2019) Prischepa, S. L.; Danilyuk, A. L.; Kukharev, A. V.; Cojocaru, C. S.; Kargin, N. I.; Прищепа, Сергей Леонидович; Каргин, Николай Иванович
IEEEWe report on the magnetic properties of an array of binary metal CoFe, CoNi and CoPt nanoparticles (NPs) embedded inside vertically-oriented carbon nanotubes (CNTs). Samples were synthesized by chemical vapor deposition activated by current discharge plasma and hot filaments. Assemblies of Co-based catalytic NPs have been preliminary formed on SiO2/Si substrates by sputtering of ultrathin films followed by reduction in a H2/NH3 mixture. As a result of the CNT growth, each CNT contained only one ferromagnet top-located NP. For all samples the easy axis of magnetization was oriented along the CNT axis. Using the obtained experimental data and the random anisotropy model, the magnetic parameters like the effective anisotropy constant, the contribution of dipole interaction, shape, magnetocrystalline and magnetoelastic anisotropy were estimated. It is shown that the latter contribution of anisotropy is decisive. From the obtained magnetoelasticity the stresses in NPs embedded inside CNTs were determined. Finally, the magnetization distribution in CoFe, CoNi and CoPt NPs was simulated considering the magnetoelastic contribution.
Только метаданные
Design of a Nonlinear Model of a Pseudomorphic 0.15 μm рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistor
(2023) Tsunvaza, D.; Ryzhuk, R. V.; Vasil'evskii, I. S.; Kargin, N. I.; Klokov, V. A.; Цунваза, Дамир; Рыжук, Роман Валериевич; Васильевский, Иван Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Клоков, Владимир Александрович
Открытый доступ
МЕТРОЛОГИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ТЕХНОЛОГИИ PHEMT НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaAs/InGaAs/GaAs
(НИЯУ МИФИ, 2012) Васильевский, И. С.; Виниченко, А. Н.; Галиев, Г. Б.; Грехов, М. М.; Щербачев, К. Д.; Сарайкин, В. Д.; Лаврухин, Д. В.; Каргин, Н. И.; Стриханов, М. Н.; Васильевский, Иван Сергеевич; Стриханов, Михаил Николаевич; Виниченко, Александр Николаевич; Каргин, Николай Иванович; Щербачев, Олег Вячеславович
РНЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs гетероструктуры являются одним из самых широко используемых базовых материалов в СВЧ электронике для создания транзисторов и монолитных интегральных схем (МИС). Данные структуры содержат большое число слоев, как основных, так и вспомогательных, из твердых растворов AlxGa1-xAs и InyGa1-yAs. Для получения требуемой зонной структуры и характеристик образцов необходимо жестко контролировать состав и толщину данных слоев. Цель работы состояла в реализации технологии РНЕМТ гетероструктур с использованием методов нанометрологии, обеспечивающими точность и воспроизводимость технологических параметров не хуже 95%. Для роста на установке МЛЭ Riber Compact 21T использовались импортные ОСЧ металлы производства Azelis Electronics. Предельный вакуум в камере роста при замороженных криопанелях и с перекрытым потоком As4 составлял до 1-2х10-11 Торр. Одним из важных факторов получения стабильной и воспроизводимой скорости роста, состава и толщины слоев РНЕМТ гетероструктур являлось получение долговременной стабильности потоков и учет быстрых переходных процессов при открытии заслонок.
Только метаданные
Initiation of Artificial Radioactivity of Impurity Elements in a Lead Cathode under Conditions of a Glow Discharge
(2023) Timashev, S. F.; Savvatimova, I. B.; Poteshin, S. S.; Ryndya, C. M.; Kargin, N. I.; Тимашев, Сергей Федорович; Савватимова, Ирина Борисовна; Потешин, Сергей Станиславович; Рындя, Сергей Михайлович; Каргин, Николай Иванович
Только метаданные
Single NV centers in diamond produced by multipulse femtosecond laser irradiation
(2025) Kononenko, V. V.; Dezhkina, M. A.; Kupriyanov, A. A.; Salkazanov, A. T.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Kilin, S. Ya.; Салказанов, Александр Тотразович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович; Килин, Сергей Яковлевич
Только метаданные
Quantum Memory on 13C–13C Dimers in Diamond with NV Centers: Simulation by Quantum Chemistry Methods
(2023) Nizovtsev, A. P.; Pushkarchuk, A. L.; Gusev, A. S.; Kargin, N. I.; Низовцев, Александр Павлович; Пушкарчук, Александр Леонидович; Гусев, Александр Сергеевич; Каргин, Николай Иванович