Publication:
Low temperature injected-caused charge carrier instability in n-type silicon below insulator-to-metal transition

Дата
2020
Авторы
Danilyuk, A. L.
Prischepa, S. L.
Trafimenko, A. G.
Fedotov, A. K.
Kargin, N. I.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
We report on the electric transport properties of Si heavily doped with Sb at concentration just below the insulator-to-metal transition in the temperature range 1.9-3.0 K for current density J < 0.2 A cm(-2). The change in the sign of the temperature dependence of the differential resistivity was observed: the d/dT is positive if J < 0.045 A cm(-2) whereas it becomes negative at J > 0.045 A cm(-2). The effect is explained assuming the exchange by electrons between the upper Hubbard band (UHB) and the conduction band. The obtained J dependencies of the activation energy, nonequilibrium concentration, mobility and scattering time of the conduction electrons correspond well to this hypothesis. The reason for charge instability is the Coulomb repulsion between electrons occupying states both in the UHB and conduction band. The estimated J dependencies of the conduction electrons lifetime and concentration of the D- states in the UHB strongly supports this assumption.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Low temperature injected-caused charge carrier instability in n-type silicon below insulator-to-metal transition / Danilyuk, AL [et al.] // Journal of Physics Condensed Matter. - 2020. - 32. - № 22. - 10.1088/1361-648X/ab720e
URI
https://www.doi.org/10.1088/1361-648X/ab720e
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85082658596&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000518918500001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/20404
Коллекции
Публикации