2019, Sibirmovsky, Y. D., Kargin, N. I., Vasil'evskii, I. S., Сибирмовский, Юрий Дмитриевич, Каргин, Николай Иванович, Васильевский, Иван Сергеевич

© 2019 IEEE.The problem of modelling the absorption coefficient and refractive index spectra of III-V heterostructures with multiple quantum wells and superlattices under applied electric field is considered. This is a crucial step in the design of efficient and compact electro-optic modulators. The goal of this work is to find a simple, fast and reliable method to qualitatively compare various heterostructure designs. Which is why two-band effective mass approximation is used here. The paper contains comparison of existing methods as well as some new results.

2012, Пономарев, Д. С., Васильевский, И. С., Галиев, Г. Б., Климов, Е. А., Кульбачинский, В. А., Васильев, А. Л., Субботин, И. А., Васильевский, Иван Сергеевич

Одним из преимуществ использования гетеросистем InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP является возможность получения более высокой дрейфовой скорости Vдр насыщения электронов в квантовой яме (КЯ) InGaAs по сравнению с другими арсенидными гетеросистемами. В сильных электростатических полях Е~105 В/см, энергия электронов становится сравнимой с энергией полярных оптических фононов, что приводит к дополнительной фононной эмиссии и возрастанию темпа рассеяния “горячих” электронов.

2011, Васильевский, И. С., Пономарев, Д. С., Галиев, Г. Б., Климов, Е. А., Кульбачинский, В. А., Юзеева, Н. А., Васильевский, Иван Сергеевич

2012, Сарайкин, В. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Щербачев, К. Д., Васильевский, Иван Сергеевич

В квантовых ямах Р-НЕМТ AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs гетероструктур с высокой подвижностью электронов структур, применяемых для создания приборов СВЧ электроники, слои AlxGa1-xAs являются и барьерными для квантовой ямы InyGa1-yAs, и одновременнодонорыми. Увеличение мольной доли х приводит к увеличению высоты потенциального барьера квантовой ямы и снижает утечки затвора. С другой стороны, при содержании Al x>24% DX-центры SiAlGaAs захватывают электроны, что ухудшает параметры транзистора - возникают паразитные гистерезис ВАХ, термо- и светочувствительность. При подгонке токов транзисторов верхний контактный слой n+GaAs(Si) стравливается в затворном заглублении, а слой AlxGa1-xAs обеспечивает селективность травления при x = 22-24%. Поэтому важнейшей задачей технологии Р-НЕМТ гетероструктур является метод контроля технологии и состава слоев AlxGa1-xAs. Масс-спектрометрия вторичных ионов (ВИМС) является одним из наиболее информативных аналитических методов для анализа гетероструктур из-за возможности измерения сложного профиля распределения состава по глубине.

2011, Галиев, Г. Б., Васильевский, И. С., Климов, Е. А., Пушкарев, С. С., Рубан, О. А., Васильевский, Иван Сергеевич

2012, Хабибуллин, Р. А., Васильевский, И. С., Галиев, Г. Б., Климов, Е. А., Кульбачинский, В. А., Боков, П. Ю., Васильевский, Иван Сергеевич

Исследование квантовых ям (КЯ), близких к поверхности, в гетероструктурах AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs является актуальной задачей для создания более совершенных транзисторных гетероструктур. При приближении КЯ к поверхности гетероструктуры, с одной стороны, возрастает модуляция потенциала КЯ затворным напряжением, что приводит к увеличению частоты. С другой стороны, при уменьшении толщины барьерного слоя AlxGa1-xAs возрастает влияние поверхностного потенциала, что приводит к изменению зонного профиля в гетероструктуре.

2019, Гудина, С. В., Арапов, Ю. Г., Дерюшкина, Ю. В., Неверов, В. Н., Савельев, А. П., Подгорных, С. М., Шелушинина, Н. Г., Якунин, М. В., Васильевский, И. С., Виниченко, А. Н., Васильевский, Иван Сергеевич

The longitudinal ρxx and Hall ρxy resistances in magnetic fields up to 12 T and temperature from 0.3 to 35 K in the n-InyGa1-yAs/InxAl1-xAs structures with high InAs content are measured. Indications pointing out the significant role of spin-orbit interaction for the values of the charge carrier parameters and in localization – delocalization processes are obtained.

2012, Галиев, Г. Б., Пушкарёв, С. С., Васильевский, И. С., Кванин, А. Л., Климов, Е. А., Васильевский, Иван Сергеевич

В настоящее время обнаруживается тенденция вытеснения НЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP, являющихся базой для СВЧ электроники микроволнового диапазона, метаморфными НЕМТ (МНЕМТ) наногетероструктурами. Причина заключается в открывающейся возможности использовать более надёжные и дешёвые подложки GaAs вместо InP и выбирать нужный состав активной области. Эпитаксиально выращенные МНЕМТ наногетероструктуры характеризуются двумя важными параметрами. Первый параметр – плотность дислокаций, прорастающих в активные слои и на поверхность, – во многом определяет подвижность электронов. Второй параметр – шероховатость поверхности, имеющей характерный для метаморфных структур поперечнополосатый рельеф, эта величина влияет на успешное создание наноразмерных топологий при изготовлении МИС.

2012, Васильев, А. В., Пресняков, М. Ю., Васильевский, И. С., Галиев, Г. Б., Климов, Е. А., Васильевский, Иван Сергеевич

Слоевой дизайн гетероструктур для СВЧ электроники непрерывно совершенствуется для увеличения дрейфовой скорости насыщения электронов, снижения рассеяния, увеличения поля насыщения. Одним из интересных решений является переход к составным квантовым ямам, содержащим несколько монослоев (МС) чистого InAs. Такое решение позволяет уменьшить эффективную массу электронов в КЯ с одной или двумя вставками InAs. В то же время, этот путь требует оптимизации технологии формирования напряженных наноразмерных слоев. В представленной работе приведены данные исследования образцов гетероструктур с различной конструкцией активной области, с одной и двумя симметрично расположенными вставками InAs методами высокоразрешающей просвечивающей растровой электронной микроскопии (ВР ПРЭМ).

2011, Васильевский, И. С., Галиев, Г. Б., Климов, Е. А., Пономарев, Д. С., Хабибуллин, Р. А., Васильевский, Иван Сергеевич