Персона:
Чумаков, Александр Иннокентьевич

Загружается...
Profile Picture
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Статус
Фамилия
Чумаков
Имя
Александр Иннокентьевич
Имя

Результаты поиска

Теперь показываю 1 - 10 из 14
  • Публикация
    Только метаданные
    New Heavy Ion Facility Design Project for Single Event Effect Tests
    (2020) Syresin, E.; Butenko, A.; Filatov, G.; Slivin, A.; Kulevoy, T.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Pechenkin, A.; Sogoyan, A.; Soloviev, S.; Saburov, V.; Кулевой, Тимур Вячеславович; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Печенкин, Александр Александрович; Согоян, Армен Вагоевич; Соловьев, Сергей Александрович
  • Публикация
    Только метаданные
    Single event rate estimation based on limited experimental data
    (2020) Sogoyan, A. V.; Smolin, A. A.; Chumakov, A. I.; Согоян, Армен Вагоевич; Чумаков, Александр Иннокентьевич
  • Публикация
    Только метаданные
    Mechanisms of Initiation of Unstable Latchup Effects in CMOS ICs
    (2019) Chumakov, A. I.; Bobrovsky, D. V.; Pechenkin, A. A.; Savchenkov, D. V.; Sorokoumov, G. S.; Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Печенкин, Александр Александрович; Сорокоумов, Георгий Сергеевич; Швецов-Шиловский, Иван Иванович
    © 2019, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of research on nonstationary latchup effects (LEs) under the influence of heavy charged particles and ionizing radiation pulses, which are spontaneously counteracted depending on the operating conditions, are presented. This behavior is caused by the effects of the rail span collapse inside the complementary metal-oxide-system (CMOS) of very large scale integrated (VLSI) circuits. The experimental studies are carried out on both the ion accelerator and the laser facilities.
  • Публикация
    Только метаданные
    Application of effective LET approach for modern CMOS devices
    (2019) Akhmetov, A. O.; Bobrovsky, D. V.; Smolin, A. A.; Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич
    © 2019 IEEE.Applicability of effective LET concept to SEE testing of modern CMOS devices was investigated. Heavy ion irradiations of four CMOS ICs were performed for a wide range of LET values and angles of incidence.
  • Публикация
    Только метаданные
    TID Impact on SEL Sensitivity in the Case of High Latchup Holding Voltage
    (2021) Novikov, A. A.; Shvetsov-Shilovskiy, I. I.; Oblova, E. N.; Pechenkin, A. A.; Chumakov, A. I.; Швецов-Шиловский, Иван Иванович; Печенкин, Александр Александрович; Чумаков, Александр Иннокентьевич
    © 2021 IEEE.In an Integrated Circuit with high SEL holding voltage, pulsed-laser radiation sensitivity was found to change due to TID irradiation. The impact of TID on the DUT SEL holding voltage and SEL sensitivity was investigated.
  • Публикация
    Только метаданные
    Construction of Stations for Applied Research at the NICA Accelerator Complex
    (2022) Slivin, A.; Agapov, A.; Butenko, A.; Filatov, G.; Shipulin, K.; Syresin, E.; Tuzikov, A.; Kulevoy, T.; Titarenko, Y.; Bobrovskiy, D.; Chumakov, A.; Soloviev, S.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Соловьев, Сергей Александрович
  • Публикация
    Только метаданные
    Limitations of Methods for Evaluating the Hardness of Microelectronic Devices to Single Event Effects on Ion Accelerators
    (2022) Chumakov, A. I.; Sogoyan, A. V.; Yanenko, A. V.; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Согоян, Армен Вагоевич; Яненко, Андрей Викторович
    © 2022, Pleiades Publishing, Ltd.Abstract: The results of the analysis of limitations on the parameters of ion beams during experimental studies to estimate the sensitivity of a VLSI to the influence of heavy charged particles by single event effects (SEEs) are presented. The restrictions on the ion ranges, the bunch structure of the ion beam, the possibilities of changing the linear energy transfer (LET) by changing the angle of incidence of ions, the type of ions, and the use of energy degraders are substantiated.
  • Публикация
    Только метаданные
    NICA Beamlines and Stations for Applied Research
    (2023) Filatov, G. A.; Slivin, A. A.; Syresin, E. M.; Butenko, A. V.; Bobrovskiy, D. V.; Chumakov, A. I.; Soloviev, S. A.; Бобровский, Дмитрий Владимирович; Чумаков, Александр Иннокентьевич; Соловьев, Сергей Александрович
  • Публикация
    Только метаданные
    Single Event Displacement Effects in a VLSI
    (2023) Chumakov, A. I.; Чумаков, Александр Иннокентьевич
  • Публикация
    Только метаданные
    A New Approach of Simulating Low-Dose-Rate Radiation Effects in Bipolar Integrated Circuits
    (2024) Chumakov, A. I.; Чумаков, Александр Иннокентьевич