Publication: Влияние квантоворазмерных эффектов наночастиц тантала в тонкопленочных структурах на основе диодов Шоттки на увеличение фотоотклика в ИК диапазоне
Дата
2024
Авторы
Балахнёв, К. М.
Бортко, Д. В.
Шилов, В. А.
Васильев, О. С.
Борисюк, П. В.
Лебединский, Ю. Ю.
Journal Title
Квантовая электроника
Journal ISSN
Volume Title
Квантовая электроника
Издатель
Аннотация
Рассмотрено улучшение чувствительности фотодетекторов Шоттки на основе перехода Ag/n-Si за счет добавления нанокластерного тонкопленочного покрытия Ta. Представлена методика создания таких фотодетекторов, включая изготовление покрытий и оценку их влияния на фотовольтаические характеристики устройств. Исследование показало, что введение слоя нанокластерного покрытия Ta привело к увеличению чувствительности фотодетекторов Шоттки на 29% по сравнению с устройствами без такого покрытия. Данное улучшение обусловлено оптимизацией характеристик барьера Шоттки, что подтверждено анализом отклика исследуемых устройств на тепловое излучение.
Описание
Ключевые слова
Фотодетекторы , Диоды Шоттки , Барьер Шоттки , Ag , Ta , Нанокластерные тонкие пленки , ИК излучение
Цитирование
Влияние квантоворазмерных эффектов наночастиц тантала в тонкопленочных структурах на основе диодов Шоттки на увеличение фотоотклика в ИК диапазоне / Балахнёв К. М. [и др.] // Квантовая электроника,- 2024. - 54, 10. - С. 618-621