Персона: Бортко, Диана Владимировна
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт лазерных и плазменных технологий
Стратегическая цель Института ЛаПлаз – стать ведущей научной школой и ядром развития инноваций по лазерным, плазменным, радиационным и ускорительным технологиям, с уникальными образовательными программами, востребованными на российском и мировом рынке образовательных услуг.
Статус
Фамилия
Бортко
Имя
Диана Владимировна
Имя
17 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 17
- ПубликацияОткрытый доступРазмерная зависимость электронных свойств нанокластеров тантала(2024) Шилов, В. А.; Балахнев, К. М.; Борисюк, П. В.; Бортко, Д. В.; Васильев, О. С.; Шилов, Владимир Александрович; Балахнёв, Кирилл Максимович; Бортко, Диана Владимировна; Борисюк, Петр Викторович; Васильев, Олег СтаниславовичПредставлены результаты исследования электронных состояний нанокластеров тантала на кремниевой подложке методом сканирующей туннельной спектроскопии. Нанокластеры получены методом кластерного осаждения из газовой фазы с помощью магнетронного распыления мишени тантала. Формирование кластеров производилось с использованием кластерного источника Nanogen-50 (Mantis Deposition) с квадрупольным масс-фильтром, интегрированным в камеру препарирования сверхвысоковакуумной системы Omicron Multiprobe MXPS VT AFM-25. Установлено, что для сферических нанокластеров разных размеров туннельный ток существенно различается, измеренная дифференциальная вольтамперная характеристика нанокластеров вблизи энергии Ферми носит немонотонный характер, что может свидетельствовать об изменении плотности электронных состояний вблизи энергии Ферми. Это изменение туннельной проводимости нанокластеров в зависимости от их размера свидетельствует о наличии перехода металл-неметалл в нанокластерах металлов на поверхности полупроводников при уменьшении размера кластеров.
- ПубликацияОткрытый доступИзлучение нанокластерных покрытий из оксида тантала при высоких температурах(2024) Бортко, Д. В.; Борисюк, П. В.; Шилов, В. А.; Васильев, О. С.; Лебединский, Ю. Ю.; Балахнев, К. М.; Лебединский, Юрий Юрьевич; Борисюк, Петр Викторович; Шилов, Владимир Александрович; Бортко, Диана Владимировна; Балахнёв, Кирилл Максимович; Васильев, Олег СтаниславовичПредставлены результаты формирования, аттестации морфологии поверхности и химического состава, а также итоги исследования излучения при нагреве до высоких температур (600–800°C) нанокластерных пленок Та2О5, полученных путем распыления Та мишени в атмосфере газов Ar и O2 с последующей фильтрацией образующихся кластеров по выбранным размерам и осаждением их на металлическую подложку (Та). Методом атомно-силовой микроскопии (in situ) получены изображения поверхности и показано, что пленки Ta обладают рыхлой структурой, состоящей из плотноупакованных наночастиц сферической формы. Анализ химического состава методом РФЭС показал, что полученные пленки обладают высокой чистотой и близки к соединению Та2О5. При помощи спектрометра, имеющего рабочий диапазон на 600–1700 нм, были получены спектры излучения пленок и подложки с естественным оксидом тантала при нагреве до различных температур. Показано, что пленки с размерами кластеров 2–3 нм обладают более стабильной излучательной способностью при изменяющейся температуре, чем пленки с большими кластерами (4–5 нм). Показано, что при разогреве до одинаковой температуры кластеры оксида тантала размерами менее 3 нм излучают более эффективно, чем подложка с естественной пленкой оксида тантала. Обсуждаются перспективы применения полученных структур в составе селективных излучателей для повышения эффективности термофотовольтаических систем.
- ПубликацияОткрытый доступПРОПУСКАНИЕ ИК-ИЗЛУЧЕНИЯ ТОНКИМИ НАНОКЛАСТЕРНЫМИ ПЛЁНКАМИ ИЗ НАНОЧАСТИЦ ТАНТАЛА(НИЯУ МИФИ, 2025) БОРТКО, Д. В.; БОРИСЮК, П. В.; ВАСИЛЬЕВ, О. С.; ШИЛОВ, В. А.; Васильев, Олег Станиславович; Борисюк, Петр Викторович; Шилов, Валентин Александрович; Бортко, Диана ВладимировнаПроведены эксперименты по измерению пропускания излучения широкого ИК диапазона тонких плёнок (от 26 до 48 нм) из наночастиц тантала различного размера (от 1.5 до 7.5 нм), напылённых на кремниевую подложку методом магнетронного распыления мишени с последующим захоронением наночастиц под тонким слоем CaF2. Измерения проводились с помощью двух спектрометров, общий рабочий диапазон которых составляет от 500 до 2600 нм. Получены спектральные коэффициенты пропускания нанокластерных плёнок в диапазоне от 1000 до 2500 нм для разных размеров кластеров тантала.
- ПубликацияТолько метаданныеUsing Magnetron Sputtering to Deposit Metal Nanoclusters(2024) Bortko, D. V.; Balakhnev, K. M.; Shilov, V. A.; Borisyuk, P. V.; Vasilyev, O. S.; Lebedinskii, Y. Y.; Бортко, Диана Владимировна; Балахнёв, Кирилл Максимович; Шилов, Владимир Александрович; Борисюк, Петр Викторович; Васильев, Олег Станиславович; Лебединский, Юрий Юрьевич
- ПубликацияТолько метаданныеThin Ta/Ta oxide core-shell nanoparticle film size-dependent energy structure(2021) Borisyuk, P. V.; Vasilyev, O. S.; Lebedinskii, Y. Y.; Bortko, D. V.; Karazhanov, S.; Борисюк, Петр Викторович; Васильев, Олег Станиславович; Лебединский, Юрий Юрьевич; Бортко, Диана Владимировна; Каражанов, Смагул Жангабергенович© 2020 Elsevier B.V.The paper presents the research of thin films, consisting of spherical monodisperse Ta particles. For different samples particle sizes varied from 1.3 nm to 5.8 nm. The films were also exposed to the atmosphere for oxidation, which resulted in formation of a core-shell particle structure, where core was metal and shell was Ta oxide (Ta2O5). Dependency of bandgap Egap and valence band offset (VBO) on particle size has been investigated for the structure by using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and reflected electron energy loss spectroscopy (REELS) methods. We have found, that Egap decreases from 4.72 eV to 4.47 eV whereas VBO decreases from 3.50 eV to 2.95 eV with increasing the particle size. A new method of a fine regulation of the electronic structure is suggested, particularly for the application in ultraviolet (UV) photodetector design for low-lying nuclear and electron transitions detection.
- ПубликацияТолько метаданныеEmission of Tantalum Oxide Nanocluster Thin Films at High Temperatures(2023) Bortko, D. V.; Borisyuk, P. V.; Shilov, V. A.; Vasilyev, O. S.; Lebedinskii, Y.; Бортко, Диана Владимировна; Борисюк, Петр Викторович; Шилов, Владимир Александрович; Васильев, Олег Станиславович; Лебединский, Юрий Юрьевич
- ПубликацияТолько метаданныеInvestigation of the Optical Properties of Tantalum Oxide Nanocluster Films in the Infrared Range(2022) Bortko, D. V.; Borisyuk, P. V.; Shilov, V. A.; Vasilyev, O. S.; Lebedinskii, Yu. Yu.; Balakhnev, K. M.; Бортко, Диана Владимировна; Борисюк, Петр Викторович; Шилов, Владимир Александрович; Васильев, Олег Станиславович; Лебединский, Юрий Юрьевич; Балахнёв, Кирилл Максимович
- ПубликацияОткрытый доступЗАВИСИМОСТЬ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ НАНОКЛАСТЕРОВ ОКСИДА ТАНТАЛА (V) И CORE-SHELL НАНОКЛАСТЕРОВ ТАНТАЛА/ОКСИДОВ ТАНТАЛА ОТ РАЗМЕРА(НИЯУ МИФИ, 2025) ШИЛОВ, В. А.; БОРТКО, Д. В.; БОРИСЮК, П. В.; ВАСИЛЬЕВ, О. С.; Васильев, Олег Станиславович; Борисюк, Петр Викторович; Бортко, Диана Владимировна; Шилов, Валентин АлександровичВ данной работе были получены образцы нанокластеров оксида тантала (V) и core-shell нанокластеров Ta/TaO2. По результатам анализа cпектров характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ, REELS) восстановлена зависимость ширины запрещённой зоны от размера нанокластеров.
- ПубликацияТолько метаданныеSize Dependence of the Electronic Properties of Tantalum Nanoclusters(2023) Shilov, V. A.; Balakhnev, K. M.; Borisyuk, P. V.; Bortko, D. V.; Vasilyev, O. S.; Шилов, Владимир Александрович; Балахнёв, Кирилл Максимович; Борисюк, Петр Викторович; Бортко, Диана Владимировна; Васильев, Олег Станиславович
- ПубликацияОграниченоВлияние квантоворазмерных эффектов наночастиц тантала в тонкопленочных структурах на основе диодов Шоттки на увеличение фотоотклика в ИК диапазоне(2024) Балахнёв, К. М.; Бортко, Д. В.; Шилов, В. А.; Васильев, О. С.; Борисюк, П. В.; Лебединский, Ю. Ю.; Борисюк, Петр Викторович; Бортко, Диана Владимировна; Лебединский, Юрий Юрьевич; Васильев, Олег Станиславович; Балахнёв, Кирилл Максимович; Шилов, Валентин АлександровичРассмотрено улучшение чувствительности фотодетекторов Шоттки на основе перехода Ag/n-Si за счет добавления нанокластерного тонкопленочного покрытия Ta. Представлена методика создания таких фотодетекторов, включая изготовление покрытий и оценку их влияния на фотовольтаические характеристики устройств. Исследование показало, что введение слоя нанокластерного покрытия Ta привело к увеличению чувствительности фотодетекторов Шоттки на 29% по сравнению с устройствами без такого покрытия. Данное улучшение обусловлено оптимизацией характеристик барьера Шоттки, что подтверждено анализом отклика исследуемых устройств на тепловое излучение.