Publication:
IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing

Дата
2022
Авторы
Cherkova, S. G.
Volodin, V. A.
Skuratov, V. A.
Stoffel, M.
Rinnert, H.
Vergnat, M.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт ядерной физики и технологий
Цель ИЯФиТ и стратегия развития - создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области ядерной физики и технологий, радиационного материаловедения, физики элементарных частиц, астрофизики и космофизики.
Выпуск журнала
Аннотация
Описание
Ключевые слова
Цитирование
IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing / Cherkova, S. G. [et al.] // Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. - 2022. - 58. - № 6. - P. 633-642. - 10.3103/S8756699022060024
URI
https://www.doi.org/10.3103/S8756699022060024
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85160003543&origin=resultslist
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/28510
Коллекции
Публикации