Publication:
Broadband push-pull power amplifier design methodology based on the GaN component base for high-performance nonlinear junction detectors

Файлы
W2991466961.pdf(1.68 MB)
Дата
2019
Авторы
Klokov, V.
Kargin, N.
Garmash, A. A.
Guzniaeva, E.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
The paper presents a description of design methodology for wide-band push-pull large-signal power amplifier based on GaN transistor with an output power of more than 10 W for high-performance Nonlinear Junction Detectors, which allows achieving optimal convergence of the theoretical model in practice, as well as increasing the efficiency of the power amplifier while maintaining a linear gain characteristic.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Broadband push-pull power amplifier design methodology based on the GaN component base for high-performance nonlinear junction detectors / Klokov, V [et al.] // 29TH INTERNATIONAL CRIMEAN CONFERENCE: MICROWAVE and TELECOMMUNICATION TECHNOLOGY (CRIMICO2019). - 2019. - 30. - 10.1051/itmconf/20193001011
URI
https://www.doi.org/10.1051/itmconf/20193001011
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000568227400011
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19562
Коллекции
Публикации