Publication:
Comparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Дата
2019
Авторы
Ladugin, M. A.
Andreev, A. Yu.
Yarotskaya, I. V.
Ryaboshtan, Yu. L.
Marmalyuk, A. A.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Выпуск журнала
Аннотация
This paper presents results of a comparative experimental study aimed at producing GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence signal of the GaAs/GaInP QWs is shown to have a higher intensity (by a factor of 50-100) and, at the same time, a larger width (by a factor of similar to 2.5) in comparison with the GaAs/AlGaAs QWs. We analyze different approaches to controlling emission spectra of these QWs.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Comparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy / Ladugin, MA [et al.] // Inorganic Materials. - 2019. - 55. - № 4. - P. 315-319;. - 10.1134/S0020168519040095
URI
https://www.doi.org/10.1134/S0020168519040095
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85066788767&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000470331200001
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/18196
Коллекции
Публикации