Персона: Мармалюк, Александр Анатольевич
Загружается...
Email Address
Birth Date
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Инженерно-физический институт биомедицины
Цель ИФИБ и стратегия развития – это подготовка высококвалифицированных кадров на базе передовых исследований и разработок новых перспективных методов и материалов в области инженерно-физической биомедицины. Занятие лидерских позиций в биомедицинских технологиях XXI века и внедрение их в образовательный процесс, что отвечает решению практикоориентированной задачи мирового уровня – диагностике и терапии на клеточном уровне социально-значимых заболеваний человека.
Статус
Фамилия
Мармалюк
Имя
Александр Анатольевич
Имя
20 results
Результаты поиска
Теперь показываю 1 - 10 из 20
- ПубликацияОткрытый доступНовые оптические передающие модули высокой надежности на основе мощных суперлюминесцентных диодов спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм(2023) Сабитов, Д. Р.; Светогоров, В. Н.; Рябоштан, Ю. Л.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Васильев, М. Г.; Васильев, А. М.; Костин, Ю. О.; Шелякин, А. А.; Мармалюк, Александр АнатольевичСозданы светоизлучающие модули спектрального диапазона 1.5 – 1.6 мкм на основе гетероструктуры AlGaInAs/InP с напряженно-компенсированными квантовыми ямами в новых уменьшенных корпусах с термостабилизацией. Проверена их работоспособность в предельных режимах эксплуатации. Изучена надежность таких модулей и устойчивость при воздействии климатических факторов.
- ПубликацияОткрытый доступИсследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения(2023) Козловский, В. И.; Женишбеков, С. М.; Скасырский, Я. К.; Фролов, М. П.; Андреев, А. Ю.; Яроцкая, И. В.; Мармалюк, А. А.; Мармалюк, Александр Анатольевич; Яроцкая, Людмила ВладимировнаИсследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs, излучающий на длине волны вблизи 780 нм, при накачке импульсным лазером на красителе с длинами волн излучения 601 и 656 нм. Использовалась структура с встроенным брэгговским зеркалом и 10 квантовыми ямами (КЯ), расставленными по глубине с периодом, равным половине длины волны излучения лазера в структуре. При накачке с l = 601 нм достигнута мощность 9.3 Вт на длине волны 782 нм при дифференциальном коэффициенте полезного действия (КПД) 12%. При накачке с l = 656 нм дифференциальный КПД практически не изменился, хотя поглощение накачки по глубине было более однородным. Эти результаты сравниваются с результатами, полученными ранее при накачке лазерами с длинами волн 450 и 532 нм, а также при накачке электронным пучком. Делается заключение, что распределение неравновесных носителей по КЯ в значительной степени определяется их длиной диффузии, которая в данной структуре равна примерно 1 мкм
- ПубликацияОткрытый доступМеталлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм(2023) Подгаецкий, К. А.; Лобинцов, А. В.; Данилов, А. И.; Иванов, А. В.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Кузнецов, Е. В.; Дюделев, В. В.; Михайлов, Д. А.; Чистяков, Д. В.; Бабичев, А. В.; Когновицкая, Е. А.; Лютецкий, А. В.; Слипченко, С. О.; Пихтин, Н. А.; Гладышев, А. Г.; Новиков, И. И.; Карачинский, Л. Я.; Егоров, А. Ю.; Соколовский, Г. С.; Мармалюк, Александр АнатольевичПредставлены результаты сравнения металлодиэлектрических зеркальных покрытий для квантовых каскадных лазеров (ККЛ) среднего ИК диапазона. Изготовлены образцы ККЛ с оптическими покрытиями Al2O3 –Ti –Au и SiO2 – Ti –Au и изучены их характеристики. Показано, что использование металлодиэлектрических зеркальных покрытий позволяет увеличить выходную оптическую мощность приборов до 93% и снизить их пороговые токи в 1.25 раза.
- ПубликацияОткрытый доступДиэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм(НИЯУ МИФИ, 2023) Подгаецкий, К. А.; Лобинцов, А. В.; Данилов, А. И.; Иванов, А. В.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Дюделев, В. В.; Михайлов, Д. А.; Чистяков, Д. В.; Бабичев, А. В.; Савченко, Г. М.; Лютецкий, А. В.; Слипченко, С. О.; Пихтин, Н. А.; Гладышев, А. Г.; Новиков, И. И.; Карачинский, Л. Я.; Егоров, А. Ю.; Соколовский, Г. С.; Мармалюк, Александр АнатольевичПроведен расчет диэлектрических зеркал для квантовых каскадных лазеров среднего ИК диапазона. Подобраны оптимальные материалы диэлектриков для минимизации поглощения лазерного излучения. Изготовлены образцы излучающих в спектральном диапазоне 4 – 5 мкм квантовых каскадных лазеров с различными диэлектрическими высокоотражающими зеркальными покрытиями и исследованы их характеристики. Показано, что нанесение на заднюю грань резонатора высокоотражающего покрытия Si – Si3N4 привело к увеличению выходной оптической мощности исследуемых лазеров на 71% по сравнению с контрольными образцами без покрытий. Использование покрытия Si – SiO2 позволило повысить выходную мощность излучателей на 88%.
- ПубликацияТолько метаданныеSuperluminescent diodes in the spectral range of 1.5 1.6 mu m based on strain-compensated AlGaInAs/InP quantum wells(2020) Sabitov, D. R.; Ryaboshtan, Y. L.; Svetogorov, V. N.; Padalitsa, A. A.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр АнатольевичSuperluminescent diodes based on AlGaInAs/InP separate-confinement double heterostructures with strain-compensated quantum wells are investigated. The influence of elastic strains in the active region on the output characteristics of the devices is analysed. It is shown that such a design of a superluminescent diode allows an optical power of more than 5 mW, a radiation spectrum width of more than 60 nm, a degree of output radiation polarisation up to 30 dB to be obtained at the output of a single-mode fibre, and has a great potential for further improvement.
- ПубликацияТолько метаданныеPulsed laser module based on a high-power semiconductor laser for the spectral range 1500 - 1600 nm(2019) Bobretsova, Yu. K.; Veselov, D. A.; Voronkova, N. V.; Slipchenko, S. O.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр Анатольевич© 2019 Kvantovaya Elektronika, Turpion Ltd and IOP Publishing Ltd.A laser source for bleaching passive Q-switches of erbium-ytterbium lasers is developed and studied. The developed and studied compact pulsed module (peak power exceeding 10 W in a pulse with a duration of 1 μs at a wavelength around 1550 nm) is made on the basis of a semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide integrated with a pulsed pump card. To optimise the output laser characteristics, a series resistance was used in the laser pump circuit. The powers of the free-space and fibre-coupled modules at a temperature of 25 °C are 15 and 12 W, respectively, at a pulse shape close to rectangular.
- ПубликацияТолько метаданныеComparative Study of GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs Quantum Wells Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy(2019) Ladugin, M. A.; Andreev, A. Yu.; Yarotskaya, I. V.; Ryaboshtan, Yu. L.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр АнатольевичThis paper presents results of a comparative experimental study aimed at producing GaAs/GaInP and GaAs/AlGaAs quantum wells (QWs) by metalorganic vapor phase epitaxy. The photoluminescence signal of the GaAs/GaInP QWs is shown to have a higher intensity (by a factor of 50-100) and, at the same time, a larger width (by a factor of similar to 2.5) in comparison with the GaAs/AlGaAs QWs. We analyze different approaches to controlling emission spectra of these QWs.
- ПубликацияТолько метаданныеSemiconductor AlGaInAs/InP lasers (l = 1450 - 1500 nm) with a strongly asymmetric waveguide(2021) Volkov, N. A.; Andreev, A. Yu.; Yarotskaya, I. V.; Ryaboshtan, Yu. L.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр Анатольевич© 2021 Turpion Ltd.. All rights reserved.Semiconductor lasers based on AlGaInAs/InP heterostructures with a strongly asymmetric waveguide are studied. It is shown that the use of such a waveguide simultaneously with an increased quantum well energy depth provides conditions for increasing the output laser power. The semiconductor AlGaInAs/InP lasers based on a strongly asymmetric waveguide with a stripe contact width of 100 mm demonstrated an output optical power of 5 W (pump current 11.5 A) in a continuouswave regime and 19 W (100 A) in a pulsed regime (100 ns, 1 kHz) at a wavelength of 1450 - 1500 nm at room temperature. The obtained data are compared with the output characteristics of lasers based on a symmetric waveguide.
- ПубликацияТолько метаданныеComparison of AlGaInAs/InP semiconductor lasers (l = 1450 - 1500 nm) with ultra-narrow and strongly asymmetric waveguides(2021) Volkov, N. A.; Svetogorov, V. N.; Ryaboshtan, Yu. L.; Andreev, A. Yu.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр Анатольевич© 2021 Kvantovaya Elektronika and IOP Publishing LimitedSemiconductor lasers based on AlGaInAs/InP heterostructures with ultra-narrow and asymmetric waveguides are comparatively studied. It is shown that the use of these waveguides with a simultaneous increase in the quantum well depth makes it possible to increase output powers. Such lasers based on both strongly asymmetric and ultra-narrow waveguides with a stripe contact width of 100 mm demonstrate an output power of 5 W (at pump currents of 11.5 and 14 A, respectively) in a continuous-wave regime at room temperature and a wavelength of 1450 - 1500 nm.
- ПубликацияТолько метаданныеHigh-power AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an ultra-narrow waveguide emitting in the spectral range 1.9-2.0 μm(2021) Svetogorov, V. N.; Ryaboshtan, Yu. L.; Volkov, N. A.; Ladugin, M. A.; Marmalyuk, A. A.; Мармалюк, Александр Анатольевич© 2021 Kvantovaya Elektronika and IOP Publishing Limited.High-power semiconductor lasers based on AlGaInAs/InP heterostructures and emitting in the spectral range 1.9 - 2.0 μm are developed. Strain compensation in the active region makes it possible to use InGaAs quantum wells with a compressive strain of about 2.0% - 2.5%. The operation of a laser with an ultra-narrow waveguide at wavelengths increasing from 1.4 - 1.6 to 2.0 μm is studied. At room temperature, the semiconductor lasers with a stripe contact width of 100 μm demonstrates a cw output optical power of 1.0 W with a wavelength of 1.91 μm at a pump current of 6.5 A and with a wavelength of 1.98 μm at a pump current of 7.2 A.