Publication: Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
Файлы
Дата
2023
Авторы
Козловский, В. И.
Женишбеков, С. М.
Скасырский, Я. К.
Фролов, М. П.
Андреев, А. Ю.
Яроцкая, И. В.
Мармалюк, А. А.
Яроцкая, Людмила Владимировна
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Аннотация
Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs, излучающий на длине волны вблизи 780 нм, при накачке импульсным лазером на красителе с длинами волн излучения 601 и 656 нм. Использовалась структура с встроенным брэгговским зеркалом и 10 квантовыми ямами (КЯ), расставленными по глубине с периодом, равным половине длины волны излучения лазера в структуре. При накачке с l = 601 нм достигнута мощность 9.3 Вт на длине волны 782 нм при дифференциальном коэффициенте полезного действия (КПД) 12%. При накачке с l = 656 нм дифференциальный КПД практически не изменился, хотя поглощение накачки по глубине было более однородным. Эти результаты сравниваются с результатами, полученными ранее при накачке лазерами с длинами волн 450 и 532 нм, а также при накачке электронным пучком. Делается заключение, что распределение неравновесных носителей по КЯ в значительной степени определяется их длиной диффузии, которая в данной структуре равна примерно 1 мкм