Journal Issue: Квантовая электроника
Загружается...
Volume
2023 - 53
Number
8
Issue Date
Journal Title
Journal ISSN
0368-7147
Том журнала
Том журнала
Квантовая электроника
(2023 - 53)
Статьи
Публикация
Открытый доступ
Магнитооптика и оптомагнетизм в наноструктурах
(2023) Игнатьева, Д. О.; Присяжнюк, А. В.; Кричевский, Д. М.; Белотелов, В. И.
Переход от однородных материалов к материалам, структурированным на масштабах меньше длины волны излучения, позволяет управлять взаимодействием света с веществом за счет возбуждения и перестройки различных оптических мод структуры. Описываются новые явления и эффекты, возникающие при взаимодействии света с наноструктурированными магнитными материалами. Наноструктурирование играет важную роль как для магнитооптики (воздействие намагниченности материала на световую волну), приводя к значительному усилению магнитооптических эффектов и даже к появлению новых эффектов, так и для оптомагнетизма (воздействие лазерных импульсов на намагниченность), открывая возможность для трехмерной магнитной записи и возбуждения обменных спиновых волн. Если масштаб структуры становится порядка десятков и даже единиц нанометров, то начинают проявляться квантовые свойства, которые перспективны для использования магнитных наноструктур для квантовых технологий.
Публикация
Открытый доступ
Квантовые повторители: текущие разработки и перспективы
(2023) Калачев, А. А.
Описываются принципы работы квантового повторителя – устройства, предназначенного для распределения запутанных состояний квантовых систем на большие расстояния. Представлен обзор последних достижений в области экспериментальной реализации простейшего его варианта – квантового повторителя первого поколения, а также в области разработки ключевого его компонента – квантовой памяти. Обсуждаются ближайшие и долгосрочные перспективы развития исследований в этой области
Публикация
Открытый доступ
Квантовые вычисления: прогнозы и препятствия
(2023) Кулик, С. П.
Представлен краткий обзор состояния дел в области квантовых вычислений и обсуждены основные проблемы на пути построения полномасштабных квантовых компьютеров, а также пути их решения
Публикация
Открытый доступ
Широкополосная генерация излучения на суммарных частотах СО-лазера в просветленном и непросветленном кристаллах ZnGeP2
(2023) Киняевский, И. О.; Климачев, Ю. М.; Ионин, М. В.; Сагитова, А. М.; Зиновьев, М. М.; Юдин, Н. Н.; Подзывалов, С. Н.; Ионин, А. А.
Экспериментально исследована широкополосная генерация излучения на суммарных частотах неселективного СОлазера с модуляцией добротности резонатора (длительность импульса ~0.3 мкс, частота следования ~90 Гц) в кристаллах ZnGeP2 с просветляющим интерференционным покрытием и без него. Оптическое повреждение непросветленной поверхности кристалла происходило при интенсивности лазерного излучения 0.033 ГВт/см2. В этих же условиях повреждение поверхности кристалла с просветляющим покрытием не наблюдалось. Максимальная эффективность широкополосной генерации суммарных частот СО-лазера в просветленном образце составила 4.8 % и оказалась в два раза выше, чем в непросветленном. Спектральные характеристики излучения на суммарных частотах при использовании просветленного и непросветленного образцов не изменились
Публикация
Открытый доступ
Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
(2023) Козловский, В. И.; Женишбеков, С. М.; Скасырский, Я. К.; Фролов, М. П.; Андреев, А. Ю.; Яроцкая, И. В.; Мармалюк, А. А.; Мармалюк, Александр Анатольевич; Яроцкая, Людмила Владимировна
Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs, излучающий на длине волны вблизи 780 нм, при накачке импульсным лазером на красителе с длинами волн излучения 601 и 656 нм. Использовалась структура с встроенным брэгговским зеркалом и 10 квантовыми ямами (КЯ), расставленными по глубине с периодом, равным половине длины волны излучения лазера в структуре. При накачке с l = 601 нм достигнута мощность 9.3 Вт на длине волны 782 нм при дифференциальном коэффициенте полезного действия (КПД) 12%. При накачке с l = 656 нм дифференциальный КПД практически не изменился, хотя поглощение накачки по глубине было более однородным. Эти результаты сравниваются с результатами, полученными ранее при накачке лазерами с длинами волн 450 и 532 нм, а также при накачке электронным пучком. Делается заключение, что распределение неравновесных носителей по КЯ в значительной степени определяется их длиной диффузии, которая в данной структуре равна примерно 1 мкм