Publication: Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения
| creativeworkseries.issn | 0368-7147 | |
| dc.contributor.author | Козловский, В. И. | |
| dc.contributor.author | Женишбеков, С. М. | |
| dc.contributor.author | Скасырский, Я. К. | |
| dc.contributor.author | Фролов, М. П. | |
| dc.contributor.author | Андреев, А. Ю. | |
| dc.contributor.author | Яроцкая, И. В. | |
| dc.contributor.author | Мармалюк, А. А. | |
| dc.contributor.author | Мармалюк, Александр Анатольевич | |
| dc.contributor.author | Яроцкая, Людмила Владимировна | |
| dc.date.accessioned | 2024-06-10T14:00:22Z | |
| dc.date.available | 2024-06-10T14:00:22Z | |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.description.abstract | Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs, излучающий на длине волны вблизи 780 нм, при накачке импульсным лазером на красителе с длинами волн излучения 601 и 656 нм. Использовалась структура с встроенным брэгговским зеркалом и 10 квантовыми ямами (КЯ), расставленными по глубине с периодом, равным половине длины волны излучения лазера в структуре. При накачке с l = 601 нм достигнута мощность 9.3 Вт на длине волны 782 нм при дифференциальном коэффициенте полезного действия (КПД) 12%. При накачке с l = 656 нм дифференциальный КПД практически не изменился, хотя поглощение накачки по глубине было более однородным. Эти результаты сравниваются с результатами, полученными ранее при накачке лазерами с длинами волн 450 и 532 нм, а также при накачке электронным пучком. Делается заключение, что распределение неравновесных носителей по КЯ в значительной степени определяется их длиной диффузии, которая в данной структуре равна примерно 1 мкм | |
| dc.identifier.uri | https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10478 | |
| dc.title | Исследование полупроводникового дискового лазера, излучающего на длине волны 780 нм, на основе гетероструктуры с квантовыми ямами AlxGa1 – xAs/AlyGa1 – yAs при оптической накачке с различной длиной волны излучения | |
| dc.title.alternative | Лазеры | |
| dspace.entity.type | Publication | |
| relation.isAuthorOfPublication | a2274cc1-6ae2-4b20-a7bd-edb50d75fca3 | |
| relation.isAuthorOfPublication | fe56d677-a844-400a-bd32-5b9b77c003f9 | |
| relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery | a2274cc1-6ae2-4b20-a7bd-edb50d75fca3 | |
| relation.isJournalIssueOfPublication | 92af6ed7-3bd2-4c3c-94e4-ea1cd9b12bb0 | |
| relation.isJournalIssueOfPublication.latestForDiscovery | 92af6ed7-3bd2-4c3c-94e4-ea1cd9b12bb0 | |
| relation.isJournalOfPublication | 912baea6-a69f-48e5-a2df-af616dd3d576 |