Publication: ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КОМБИНИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫМ КАНАЛОМ И ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ AlGaAs/InGaAs/AlGaAs И ЭКСПЕРИМЕНТ
Дата
2011
Авторы
Хабибуллин, Р. А.
Васильевский, И. С.
Галиев, Г. Б.
Климов, Е. А.
Кульбачинский, В. А.
Хабибуллин, Рустам Анварович
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Описание
В теоретической части работы проведено компьютерное моделирование зонной структуры образцов и транспортной подвижности электронов µt при рассеянии на ионизированной примеси с учетом межподзонных переходов. Варьировалась концентрация доноров в слое InGaAs и в дельта-легированных переходных барьерах GaAs при сохранении суммарной слоевой концентрации доноров ND = Ndelta + NDC. Рассчитанная µt при переходе от объемного легирования к дельта-легированию представлена на рис. 1. Данная зависимость имеет два экстремума, что связано с различным поведением подвижностей электронов в подзонах составной квантовой ямы µ0, µ1 и µ2.