ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КОМБИНИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫМ КАНАЛОМ И ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ AlGaAs/InGaAs/AlGaAs И ЭКСПЕРИМЕНТ

Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кульбачинский, В. А.; Васильевский, Иван Сергеевич; Хабибуллин, Рустам Анварович

Publication:
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КОМБИНИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫМ КАНАЛОМ И ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ AlGaAs/InGaAs/AlGaAs И ЭКСПЕРИМЕНТ

dc.contributor.author	Хабибуллин, Р. А.
dc.contributor.author	Васильевский, И. С.
dc.contributor.author	Галиев, Г. Б.
dc.contributor.author	Климов, Е. А.
dc.contributor.author	Кульбачинский, В. А.
dc.contributor.author	Васильевский, Иван Сергеевич
dc.contributor.author	Хабибуллин, Рустам Анварович
dc.date.accessioned	2024-03-01T11:16:40Z
dc.date.available	2024-03-01T11:16:40Z
dc.date.issued	2011
dc.description	В теоретической части работы проведено компьютерное моделирование зонной структуры образцов и транспортной подвижности электронов µt при рассеянии на ионизированной примеси с учетом межподзонных переходов. Варьировалась концентрация доноров в слое InGaAs и в дельта-легированных переходных барьерах GaAs при сохранении суммарной слоевой концентрации доноров ND = Ndelta + NDC. Рассчитанная µt при переходе от объемного легирования к дельта-легированию представлена на рис. 1. Данная зависимость имеет два экстремума, что связано с различным поведением подвижностей электронов в подзонах составной квантовой ямы µ0, µ1 и µ2.
dc.identifier.uri	https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/10073
dc.publisher	НИЯУ МИФИ
dc.title	ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ С КОМБИНИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫМ КАНАЛОМ И ВЫСОКОЙ КОНЦЕНТРАЦИЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ В КВАНТОВОЙ ЯМЕ AlGaAs/InGaAs/AlGaAs И ЭКСПЕРИМЕНТ
dc.type	тезисы
dspace.entity.type	Publication
relation.isAuthorOfPublication	8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9
relation.isAuthorOfPublication	b6783b1c-e31c-47f0-b60f-3f571be5b67c
relation.isAuthorOfPublication.latestForDiscovery	8ce84220-3c34-4278-83e7-c79be7660fe9