Publication:
Influence of temperature and electrical modes on radiation sensitivity and errors of RADFETs

Дата
2019
Авторы
Podlepetsky, B. I.
Pershenkov, V. S.
Bakerenkov, A. S.
Felitsyn, V. A.
Rodin, A. S.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019 IEEE.Influence of temperature and electrical modes on sensitivity and errors of ionizing radiation dose senor based on n- MOSFET (called as RADFET) have been investigated. There were measured the circuit's output voltages being equal to the gate voltage of RADFET-based dosimeter as function of the radiation doses at const values of the drain current and the drain - source voltage (conversion functions), as well as the current - voltage characteristics before, during and after irradiations at different temperatures. We showed how conversion functions, radiation sensitivities and errors are depending on the temperature and electrical modes. It is found that the conversion functions) have two characteristic regions for low and high doses (with negative and with positive radiation sensitivities). To interpret experimental data there were proposed the models of conversion function, its components and errors taking into account the separate contributions of charges in the dielectric and in SiO2-Si interface. Proposed models interpreting the experimental data can be used to predict performances of RADFET-based dosimeters.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Influence of temperature and electrical modes on radiation sensitivity and errors of RADFETs / Podlepetsky, B.I. [et al.] // 2019 19th European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems, RADECS 2019. - 2019. - 10.1109/RADECS47380.2019.9745716
URI
https://www.doi.org/10.1109/RADECS47380.2019.9745716
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85128580626&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000848160100059
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/19644
Коллекции
Публикации