Publication:
Effect of elevated temperature irradiation on bipolar devices for space application

Дата
2019
Авторы
Pershenkov, V. S.
Telets, V. A.
Bakerenkov, A. S.
Rodin, A. S.
Felitsyn, V. A.
Belyakov, V. V.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
OrgUnit Logo
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
OrgUnit Logo
Организационная единица
Другие подразделения НИЯУ МИФИ
Структурные подразделения НИЯУ МИФИ, не включенные в состав институтов и факультетов.
Выпуск журнала
Аннотация
© 2019, © 2019 Informa UK Limited, trading as Taylor & Francis Group. The application of elevated temperature irradiation for simulating of low dose rate degradation in bipolar devices was considered. The analysis was performed in the framework of the conversion model, which enables to estimate the radiation degradation at any dose rate, temperature and total dose numerically. The possibility of application of the conversion model for the numerical estimation of radiation-induced increase of LM111 input current under low dose rate radiation impact was demonstrated experimentally. A test method using four-stage elevated single temperature irradiation was proposed. The ability of temperature-switching approach for simulation of enhanced low-dose-rate sensitivity was estimated and discussed.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Effect of elevated temperature irradiation on bipolar devices for space application / Pershenkov, V.S. [et al.] // Radiation Effects and Defects in Solids. - 2019. - 10.1080/10420150.2018.1564921
URI
https://www.doi.org/10.1080/10420150.2018.1564921
 https://www.scopus.com/record/display.uri?eid=2-s2.0-85062985397&origin=resultslist
 http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS_CPL&DestLinkType=FullRecord&UT=WOS:000465570500013
 https://openrepository.mephi.ru/handle/123456789/16701
Коллекции
Публикации