Publication: ОПТИМИЗАЦИЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НАНО-РАЗМЕРНЫХ ПОКРЫТИЙ ИЗ КЛАСТЕРОВ ТАНТАЛА В ДИОДАХ ШОТТКИ
Дата
2024
Авторы
БАЛАХНЁВ, К. М.
БОРТКО, Д. В.
ШИЛОВ, В. А.
ВАСИЛЬЕВ, О. С.
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
НИЯУ МИФИ
Аннотация
Исследование фотодетекторов Шоттки с конфигурацией Ag/n-Si, включающих буферный слой нанокластеров тантала различных размеров и толщин. Структуры были оценены путем построения вольт-амперных характеристик и последующей аппроксимации с использованием уравнения диода Шоттки с учетом эффекта термоэлектронной эмиссии. Полученные данные позволяют оценить величину барьера Шоттки таких фотодетекторов и его зависимость от конфигурации танталового нанокластерного покрытия.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
ОПТИМИЗАЦИЯ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК НАНО-РАЗМЕРНЫХ ПОКРЫТИЙ ИЗ КЛАСТЕРОВ ТАНТАЛА В ДИОДАХ ШОТТКИ / БАЛАХНЁВ К.М. [и др.] // Сборник научных трудов X Международной конференции. Москва, ЛаПлаз-2024. - 2024.- С. 432