Publication:
Application of MISFETs for Irradiation Dose Rate Measurement

Дата
2021
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Издатель
Научные группы
Организационные подразделения
Организационная единица
Институт нанотехнологий в электронике, спинтронике и фотонике
Институт ИНТЭЛ занимается научной деятельностью и подготовкой специалистов в области исследования физических принципов, проектирования и разработки технологий создания компонентной базы электроники гражданского и специального назначения, а также построения современных приборов на её основе. ​Наша основная цель – это создание и развитие научно-образовательного центра мирового уровня в области наноструктурных материалов и устройств электроники, спинтроники, фотоники, а также создание эффективной инновационной среды в области СВЧ-электронной и радиационно-стойкой компонентной базы, источников ТГц излучения, ионно-кластерных технологий материалов.​
Выпуск журнала
Аннотация
© 2021 IEEE.We investigated the possibilities of using field-effect transistors to measure the dose rate of ionizing radiation using the example of an n-channel MOSFET. There were measured the gate voltage of transistors as function of ionizing dose at const values of the drain current and the drain-source voltage for different dose rates, as well as the current-voltage characteristics before and after irradiations. On the basis of the proposed models, the sensitivity, errors, and range of radiation dose rate measurement are estimated.
Описание
Ключевые слова
Цитирование
Application of MISFETs for Irradiation Dose Rate Measurement / Podlepetsky, B. [et al.] // Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM. - 2021. - 2021-September. - P. 351-355. - 10.1109/MIEL52794.2021.9569092
Коллекции